[發(fā)明專利]半導體器件在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202010091291.5 | 申請日： | 2020-02-13 |
| 公開（公告）號： | CN111668218A | 公開（公告）日： | 2020-09-15 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 林漢鎮(zhèn);金奇南;丁炯碩;鄭圭鎬;黃棋鉉 | 申請（專利權(quán)）人： | 三星電子株式會社 |
| 主分類號： | H01L27/108 | 分類號： | H01L27/108 |
| 代理公司： | 北京匯知杰知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11587 | 代理人： | 李潔;董江虹 |
| 地址： | 韓國京畿道水*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 半導體器件 | ||
1.一種半導體器件，包括：
彼此間隔開的第一電極與第二電極；以及
電容器介電膜，位于所述第一電極與所述第二電極之間且包括第一介電膜及第二介電膜，
其中所述第一介電膜包括第一單金屬氧化物膜及第一雙金屬氧化物膜中的一者，
所述第一介電膜具有正交晶系，
所述第二介電膜包含順電材料，且
所述電容器介電膜的介電常數(shù)大于所述第二介電膜的介電常數(shù)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導體器件，其中所述第一介電膜及所述第二介電膜中的每一者是單膜。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導體器件，其中所述第一介電膜包括第一子介電膜及第二子介電膜，且
所述第一子介電膜位于所述第二子介電膜與所述第二介電膜之間。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的半導體器件，其中所述第二介電膜包括第三子介電膜及第四子介電膜，且
所述第三子介電膜位于所述第四子介電膜與所述第一介電膜之間。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導體器件，其中所述電容器介電膜還包括包含順電材料的第三介電膜，且
所述第一介電膜位于所述第二介電膜與所述第三介電膜之間。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導體器件，其中所述第一介電膜及所述第二介電膜形成介電膜群組，且
所述電容器介電膜包括多個所述介電膜群組。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導體器件，其中所述第一單金屬氧化物膜包含鉿(Hf)及鑭系稀土金屬元素中的一者。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導體器件，其中所述第一雙金屬氧化物膜包含鉿(Hf)及鋯(Zr)。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導體器件，其中所述第二介電膜包括第二單金屬氧化物膜及第二雙金屬氧化物膜中的一者，且
所述第二單金屬氧化物膜及所述第二雙金屬氧化物膜中包含的金屬包括鉿(Hf)及鋯(Zr)中的至少一者。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導體器件，還包括：
保護層，位于所述第一電極與所述第二電極之間且包含金屬氧化物，
其中所述保護層位于所述第一電極與所述電容器介電膜之間和/或位于所述第二電極與所述電容器介電膜之間。
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導體器件，其中所述電容器介電膜的電容大于所述第二介電膜的電容。
12.一種半導體器件，包括：
彼此間隔開的第一電極與第二電極；
電容器介電膜，位于所述第一電極與所述第二電極之間，且所述電容器介電膜包括第一介電膜及第二介電膜，所述第一介電膜包含鐵電材料，所述第二介電膜包含順電材料且位于所述第一介電膜與所述第一電極之間；以及
至少一個界面膜，包含導電材料且接觸所述第一介電膜。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的半導體器件，其中所述至少一個界面膜位于所述第二電極與所述第一介電膜之間。
14.根據(jù)權(quán)利要求12所述的半導體器件，其中所述至少一個界面膜位于所述第一介電膜與所述第二介電膜之間。
15.根據(jù)權(quán)利要求12所述的半導體器件，其中所述第一介電膜包括單金屬氧化物膜及雙金屬氧化物膜中的一者。
16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的半導體器件，其中所述單金屬氧化物膜與所述雙金屬氧化物膜包含相同的金屬元素。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的多個半導體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的；包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的，或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點的熱電元件的；包括有熱磁組件的
