[發明專利]連接結構改進的微機電麥克風及其制備方法

在審

• 申請號: 202010091092.4
• 申請日: 2020-02-13
• 公開（公告）號: CN111182418A
• 公開（公告）日: 2020-05-19
• 發明（設計）人: 葉菁華
• 申請（專利權）人: 鈺太芯微電子科技（上海）有限公司;鈺太科技股份有限公司
• 主分類號: H04R3/00
• 分類號: H04R3/00;H04R19/00;H04R19/04;H04R31/00;B81B7/00;B81B7/02;B81C1/00
• 代理公司: 上海申新律師事務所 31272
• 代理人: 俞滌炯

1.連接結構改進的微機電麥克風，其特征在于，包括一基板，一蓋設于所述基板上與所述基板形成聲學腔體的蓋體，所述聲學腔體中的所述基板上設置：

一聲學換能器，設置于所述基板的第一區域；

一集成電路芯片，所述集成電路芯片包括第一焊墊和第二焊墊，所述第一焊墊與所述聲學換能器引線連接，所述第二焊墊連通一形成于所述集成電路芯片底部的溝槽，一金屬連接層形成于所述溝槽的表面并延伸至所述集成電路芯片的底面的部分作為金屬連接區，所述集成電路芯片通過所述金屬連接區連接所述基板的第二區域。

2.根據權利要求1所述的連接結構改進的微機電麥克風，其特征在于，所述集成電路芯片包括第一半導體層和第二半導體層，所述第一半導體層設有所述第一焊墊和所述第二焊墊，所述第二半導體層上形成所述溝槽，所述溝槽的底部與所述第二焊墊連通，所述金屬連接層形成于所述溝槽的表面并延伸至所述第二半導體層的底面的部分作為所述金屬連接區。

3.根據權利要求1所述的連接結構改進的微機電麥克風，其特征在于，所述第二焊墊位于所述第一半導體層與所述第二半導體層的結合面，所述溝槽的深度等于所述第二半導體層的深度。

4.根據權利要求1所述的連接結構改進的微機電麥克風，其特征在于，所述金屬連接區所包圍區域的面積不大于所述第二區域的面積。

5.根據權利要求1所述的連接結構改進的微機電麥克風，其特征在于，所述第一焊墊和所述第二焊墊分別位于所述第一半導體層的相對的兩面。

6.根據權利要求1所述的連接結構改進的微機電麥克風，其特征在于，一聲學通孔設置于所述基板或所述蓋體上。

7.連接結構改進的微機電麥克風的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：

步驟1，至少準備一基板，一聲學換能器，一集成電路芯片，一蓋體；

步驟2，于所述基板的第一區域固定所述聲學換能器，于所述基板的第二區域固定所述集成電路芯片，所述集成電路芯片通過底部的金屬連接區連接至所述基板的第二區域；

步驟3，設置引線連接所述聲學換能器的電連接點與所述集成電路芯片的第一焊墊；

步驟4，一蓋體蓋設于所述基板上與所述基板形成聲學腔體。

8.根據權利要求7所述的連接結構改進的微機電麥克風的制備方法，其特征在于，所述集成電路芯片的形成步驟如下：

步驟11，分別形成一第一半導體層和一位于所述第一半導體層底部的第二半導體預處理層，所述第一半導體層的第一表面形成第一焊墊，所述第一半導體層與所述第二半導體預處理層的結合面設有第二焊墊；

步驟12，對所述第二半導體預處理層的底部研磨一設定厚度得到第二半導體層；

步驟13，對所述第二半導體層進行刻蝕，于一第三區域得到一溝槽，所述溝槽的深度等于所述第二半導體層的厚度；

步驟14，于所述溝槽的表面通過金屬蒸鍍形成一金屬連接層，所述金屬連接層延伸至所述第二半導體層的底面的部分作為所述金屬連接區。

9.根據權利要求7所述的連接結構改進的微機電麥克風的制備方法，其特征在于，所述金屬連接區所包圍區域的面積不大于所述第二區域的面積。

10.根據權利要求8所述的連接結構改進的微機電麥克風的制備方法，其特征在于，所述溝槽通過硅通孔工藝形成。