[發明專利]一種基于零序調磁的記憶電機調磁控制方法及系統

有效

• 申請號: 202010090457.1
• 申請日: 2020-02-13
• 公開（公告）號: CN111181464B
• 公開（公告）日: 2021-06-25
• 發明（設計）人: 陽輝;付方圓;林鶴云;雷家興
• 申請（專利權）人: 東南大學
• 主分類號: H02P21/22
• 分類號: H02P21/22;H02P27/12;H02P29/028
• 代理公司: 南京蘇高專利商標事務所(普通合伙) 32204
• 代理人: 馮艷芬

1.一種基于零序調磁的記憶電機調磁控制方法，其特征在于該方法包括以下步驟：

(1)將記憶電機定子上的繞組采用集成了電樞繞組和調磁繞組功能的集成繞組，將并聯的第一逆變器和第二逆變器連接所述集成繞組；

(2)在記憶電機正常運行無需調磁時，根據檢測到的記憶電機的轉子電角度θ_e和三相電流I_abc轉換得到d、q軸電流I_d、I_q，根據檢測到的記憶電機轉子轉速ω_r得到q軸電流給定值再將d、q軸電流與給定值的差值進行比例-積分調節后轉換得到電壓信號，并根據轉換后的電壓信號按照空間矢量調制方式產生開關信號，驅動兩個逆變器對記憶電機集成繞組進行矢量控制；

(3)在記憶電機需要調磁時，根據檢測到的三相電流I_abc得到零序電流I_o，將I_o與磁化狀態選擇器輸出的給定零序電流的差值進行比例-積分調節，得到輸出電壓并對采用平均分配原則，得到逆變器中零矢量的偏移時間根據T_Z進行零矢量調制產生開關信號，驅動兩個逆變器產生調磁電流，實現記憶電機永磁體的調磁，U_dc表示逆變器端的直流母線電壓。

2.根據權利要求1所述的基于零序調磁的記憶電機調磁控制方法，其特征在于：所述磁化狀態選擇器內存儲有將記憶電機永磁體調節到不同磁化狀態時所需要的給定零序電流在記憶電機正常運行無需調磁時，磁化狀態選擇器輸出的給定零序電流在記憶電機需要調磁時，磁化狀態選擇器輸出給定零序電流

3.根據權利要求1所述的基于零序調磁的記憶電機調磁控制方法，其特征在于：步驟(2)具體包括：

(2.1)在記憶電機正常運行無需調磁時，磁化狀態選擇器輸出給定零序電流

(2.2)檢測記憶電機的轉子轉速ω_r，并將轉子轉速ω_r與轉子轉速給定值的差值輸入比例-積分調節器，得到q軸電流給定值

(2.3)檢測記憶電機的轉子電角度θ_e和三相電流I_abc，并根據轉子電角度θ_e和三相電流I_abc按照下式轉換得到d軸電流I_d、q軸電流I_q：

式中，I_a、I_b、I_c分別為三相電流I_abc的A相、B相、C相電流；

(2.4)將d軸電流I_d和d軸電流給定值的差值輸入比例-積分調節器，得到d軸電壓給定值將q軸電流I_q和q軸電流給定值的差值輸入比例-積分調節器，得到q軸電壓給定值

(2.5)將和按照下式進行坐標變換得到和

其中，超前電角度，超前電角度；

(2.6)對和按照空間矢量調制方式產生第一開關信號，對和按照空間矢量調制方式產生第二開關信號，第一逆變器和第二逆變器分別根據第一開關信號和第二開關信號的驅動，對記憶電機集成繞組進行矢量控制。