[發明專利]隨機存取記憶體單元及電阻式隨機存取記憶體單元的操作方法

有效

• 申請號: 202010090393.5
• 申請日: 2020-02-13
• 公開（公告）號: CN111986720B
• 公開（公告）日: 2023-04-18
• 發明（設計）人: 陳朝陽;吳承潤;蔡竣揚;黃國欽
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: G11C11/56
• 分類號: G11C11/56
• 代理公司: 北京律誠同業知識產權代理有限公司 11006
• 代理人: 徐金國

1.一種操作一電阻式隨機存取記憶體單元的方法，其特征在于，包含：通過以下步驟對該電阻式隨機存取記憶體單元進行一重置操作：

對該電阻式隨機存取記憶體單元施加一第一電壓偏壓，其中該第一電壓偏壓具有一第一極性，其中該第一電壓偏壓的施加誘使該電阻式隨機存取記憶體單元從一低電阻變為一中間電阻，并且其中該中間電阻大于該低電阻；且

對該電阻式隨機存取記憶體單元施加一第二電壓偏壓，其中該第二電壓偏壓具有一第二極性，其中該第二極性與該第一極性相反，其中該第二電壓偏壓的一絕對值大于或等于該第一電壓偏壓的一絕對值，其中該第二電壓偏壓的施加誘使該電阻式隨機存取記憶體單元具有一高電阻，其中該高電阻大于該中間電阻；

直接在施加該第二電壓偏壓之后，在一讀取電壓下量測該高電阻，其中該讀取電壓具有該第二極性，該讀取電壓的一絕對值小于該第一電壓偏壓的該絕對值和該第二電壓偏壓的該絕對值；

通過以下步驟對該電阻式隨機存取記憶體單元進行一設定操作：

對該電阻式隨機存取記憶體單元施加一第三電壓偏壓，其中該第三電壓偏壓具有該第二極性，其中該第三電壓偏壓的一絕對值大于該第二電壓偏壓的該絕對值，并且其中該第三電壓偏壓的施加誘使該電阻式隨機存取記憶體單元從該高電阻變為該低電阻；以及

直接在施加該第三電壓偏壓之后，在該讀取電壓下量測該低電阻。

2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，還包含：在該讀取電壓下量測該中間電阻。

3.根據權利要求2所述的方法，其特征在于，其中該中間電阻具有在該讀取電壓下量測的對應的一第一讀取電流，其中該高電阻具有在該讀取電壓下量測的對應的一第二讀取電流，并且其中該第二讀取電流至少比該第一讀取電流小10％。

4.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，其中該第一極性為負極性，該第二極性為正極性。

5.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，還包含：在該讀取電壓下量測該中間電阻，其中該中間電阻具有在該讀取電壓下量測的對應的一第一讀取電流，其中該低電阻具有在該讀取電壓下量測的對應的一第三讀取電流，并且其中該第三讀取電流大于該第一讀取電流。

6.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，其中該第二電壓偏壓至多為該第三電壓偏壓的95％。

7.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，其中該第一電壓偏壓包含一第一脈沖和一第二脈沖，其中該第一脈沖包含持續一第一時間長度的一第一重置電壓，其中該第二脈沖包含持續一第二時間長度的一第二重置電壓。

8.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，其中該第二電壓偏壓包含一第一脈沖和一第二脈沖，其中該第一脈沖包含持續一第一時間長度的一第一重置電壓，其中該第二脈沖包含持續一第二時間長度的一第二重置電壓。