[發明專利]有機發光顯示設備在審
| 申請號: | 202010090274.X | 申請日: | 2020-02-13 |
| 公開(公告)號: | CN111564451A | 公開(公告)日: | 2020-08-21 |
| 發明(設計)人: | 崔鐘炫 | 申請(專利權)人: | 三星顯示有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/12 | 分類號: | H01L27/12;H01L27/32 |
| 代理公司: | 北京德琦知識產權代理有限公司 11018 | 代理人: | 郭艷芳;康泉 |
| 地址: | 韓國*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 有機 發光 顯示 設備 | ||
一種有機發光顯示設備包括基板、發光結構、底切結構和功能模塊?;灏ㄩ_口區域、圍繞開口區域的周圍區域以及圍繞周圍區域的顯示區域?;寰哂形挥谥車鷧^域中的凹槽以及位于開口區域中的開口。發光結構位于基板上的顯示區域中。底切結構位于基板中的凹槽內部。底切結構包括具有第一寬度的犧牲金屬圖案以及具有大于第一寬度的第二寬度的至少一個絕緣層圖案。功能模塊位于基板的開口中。
技術領域
示例實施例總體涉及有機發光顯示設備,并且涉及包括位于顯示區域的一部分中的功能模塊的有機發光顯示設備。
背景技術
由于平板顯示設備重量輕并且具有薄特征等,因此平板顯示設備用作顯示設備以取代陰極射線管顯示設備。液晶顯示設備和有機發光顯示設備是平板顯示設備的典型示例。
有機發光顯示設備可以包括被配置為顯示圖像的顯示區域以及被配置為不顯示圖像的圍繞顯示區域的非顯示區域。例如,多個發光結構可以被布置在顯示區域中,并且柵驅動器、數據驅動器、多條布線、功能模塊(諸如相機模塊和運動傳感器)可以被布置在非顯示區域中。近來,已經開發了一種有機發光顯示設備,其中開口形成在顯示區域的一部分中,并且功能模塊被布置在開口中。然而,水分和濕氣等可通過開口滲透到布置在鄰近功能模塊的顯示區域中的發光結構中,并且因此在有機發光顯示設備中可能產生缺陷。
發明內容
一些示例實施例提供了一種包括位于顯示區域的一部分中的功能模塊的有機發光顯示(“OLED”)設備。
根據一些示例實施例,OLED設備包括基板、發光結構、底切結構和功能模塊。基板包括開口區域、圍繞開口區域的周圍區域以及圍繞周圍區域的顯示區域?;寰哂形挥谥車鷧^域中的凹槽以及位于開口區域中的開口。發光結構位于基板上的顯示區域中。底切結構位于基板中的凹槽內部,并且包括具有第一寬度的犧牲金屬圖案以及具有大于第一寬度的第二寬度的至少一個絕緣層圖案。功能模塊位于基板的開口中。
在示例實施例中,底切結構可以與凹槽的內壁間隔開。
在示例實施例中,凹槽在平面圖中可以具有圍繞基板的開口的中空圓形形狀。
在示例實施例中,位于凹槽內部的底切結構在平面圖中可以具有圍繞開口的中空圓形形狀。
在示例實施例中,基板可以包括第一有機膜層、第一阻擋層、第二有機膜層和第二阻擋層。第一阻擋層可以位于第一有機膜層上。第二有機膜層可以位于第一阻擋層上,并且可以在周圍區域中具有第一開口。第二阻擋層可以位于第二有機膜層上,并且可以具有與第一開口重疊的第二開口。
在示例實施例中,犧牲金屬圖案可以位于第一阻擋層上。
在示例實施例中,至少一個絕緣層圖案可以包括位于犧牲金屬圖案上的第一絕緣層圖案以及位于第一絕緣層圖案上的第二絕緣層圖案。
在示例實施例中,第一絕緣層圖案可以與第二有機膜層位于同一層,并且第二絕緣層圖案可以與第二阻擋層位于同一層。
在示例實施例中,第一開口和第二開口可以限定基板中的凹槽。
在示例實施例中,OLED設備可以進一步包括位于基板與發光結構之間的半導體元件。
在示例實施例中,半導體元件可以包括有源層、柵絕緣層、柵電極、絕緣夾層以及源電極和漏電極。有源層可以位于基板上的顯示區域中。柵絕緣層可以在基板上的顯示區域中覆蓋有源層,并且可以具有在周圍區域中暴露凹槽的第三開口。柵電極可以位于柵絕緣層上的顯示區域中。絕緣夾層可以在柵絕緣層上的顯示區域中覆蓋柵電極,并且可以具有與周圍區域中的第三開口重疊的第四開口。源電極和漏電極可以位于絕緣夾層上的顯示區域中。
在示例實施例中,至少一個絕緣層圖案可以包括第三絕緣層圖案和第四絕緣層圖案。第三絕緣層圖案可以位于犧牲金屬圖案上,并且可以位于第三開口內部。第四絕緣層圖案可以位于第三絕緣層圖案上,并且可以位于第四開口內部。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





