[發(fā)明專利]發(fā)光組件

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 202010089869.3
• 申請日: 2016-10-21
• 公開（公告）號: CN111276586B
• 公開（公告）日: 2021-08-24
• 發(fā)明（設計）人: 王泰鈞;周建樺;蘇志宗;陳標達
• 申請（專利權）人: 晶元光電股份有限公司
• 主分類號: H01L33/38
• 分類號: H01L33/38;H01L33/62
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 陳小雯

本發(fā)明公開一發(fā)光組件，其包含一半導體疊層；一電極墊包含一周界位于半導體疊層上；以及一延伸電極連接至電極墊，其中延伸電極包含一第一部分延伸自電極墊的周界以及一第二部分遠離于電極墊，第一部分包含一第一邊及一第二邊，第一邊與第二邊相對，第一邊包含一第一弧線具有一第一曲率半徑，第一曲率半徑大于10μm。

本申請是中國發(fā)明專利申請(申請?zhí)枺?01610919891.X，申請日：2016年10月21日，發(fā)明名稱：發(fā)光組件)的分案申請。

技術領域

本發(fā)明涉及一種發(fā)光組件，且特別是涉及一種發(fā)光組件，其包含一電極墊及一延伸電極延伸自電極墊。

背景技術

發(fā)光二極管(LED)為一廣泛使用的固態(tài)發(fā)光組件。發(fā)光二極管(LED)包含一p型半導體層，一n型半導體層，以及一活性層位于p型半導體層及n型半導體層之間以發(fā)出一光線。LED的原理為提供一電流予LED以將電子及空穴注入于活性層中，使電能轉為光能。電子及空穴于活性層中結合以發(fā)出光線。

發(fā)明內容

一發(fā)光組件包含一半導體疊層；一電極墊包含一周界位于半導體疊層上；以及一延伸電極連接至電極墊，其中延伸電極包含一第一部分延伸自電極墊的周界以及一第二部分遠離于電極墊，第一部分包含一第一邊及一第二邊，第一邊與第二邊相對，第一邊包含一第一弧線具有一第一曲率半徑，第一曲率半徑大于10μm。

附圖說明

圖1A為本發(fā)明一實施例所揭示的一發(fā)光組件的上視圖；

圖1B為圖1A的沿著A-A’線的發(fā)光組件剖視圖；

圖1C為圖1A的沿著B-B’線的發(fā)光組件剖視圖；

圖2為本發(fā)明一實施例中，圖1A所揭示的發(fā)光組件的部分放大圖；

圖3為具有不同曲率半徑的發(fā)光組件的過度電性應力(Electrical Over Stress,EOS)；

圖4為本發(fā)明一實施例中，圖1A所揭示的發(fā)光組件的部分放大圖；

圖5為本發(fā)明一實施例中，圖1A所揭示的發(fā)光組件的部分放大圖；

圖6為本發(fā)明一實施例中所揭示的一燈泡。

符號說明

1 發(fā)光組件

10 基板

12 半導體疊層

121 第一半導體層

122 第二半導體層

123 活性層

14 第一電極

141 第一電極墊

1410 周界

142 第一延伸電極

1421 第一部分

1422 第二部分

1423 第一邊

1425 第二邊

16 第二電極

16’ 電極

161 第二電極墊

161’ 電極墊

1610 周界

1610’ 周界