[發明專利]一種GaN基LED外延結構及其制備方法、發光二極管在審
| 申請號： | 202010089189.1 | 申請日： | 2020-02-12 |
| 公開（公告）號： | CN111276583A | 公開（公告）日： | 2020-06-12 |
| 發明（設計）人： | 李成果;曾巧玉;張康;姜南;趙維;陳志濤 | 申請（專利權）人： | 廣東省半導體產業技術研究院 |
| 主分類號： | H01L33/14 | 分類號： | H01L33/14;H01L33/32;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京超凡宏宇專利代理事務所(特殊普通合伙) 11463 | 代理人： | 郭斌莉 |
| 地址： | 510000 廣*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 gan led 外延 結構 及其 制備 方法 發光二極管 | ||
1.一種GaN基LED外延結構，其特征在于，包括：
襯底；
形成在所述襯底上的n型摻雜層；
形成在所述n型摻雜層上的量子阱有源層；
形成在所述量子阱有源層上的電子阻擋層；
形成在所述電子阻擋層上的p型摻雜層；
其中，所述p型摻雜層的極性與所述電子阻擋層的極性相反。
2.根據權利要求1所述的GaN基LED外延結構，其特征在于，所述量子阱有源層、所述n型摻雜層和所述電子阻擋層的極性相同。
3.根據權利要求1或2所述的GaN基LED外延結構，其特征在于，所述電子阻擋層為鎵面極性，所述p型摻雜層為氮面極性。
4.根據權利要求1或2所述的GaN基LED外延結構，其特征在于，所述電子阻擋層的能帶寬度大于所述量子阱有源層中勢壘的能帶寬度。
5.根據權利要求1所述的GaN基LED外延結構，其特征在于，所述n型摻雜層的材料為Si摻雜的GaN或者AlGaN或者AlN。
6.根據權利要求1所述的GaN基LED外延結構，其特征在于，所述p型摻雜層的材料為Mg摻雜的GaN或AlGaN。
7.根據權利要求1所述的GaN基LED外延結構，其特征在于，所述量子阱有源層的材料為GaN/InGaN或AlGaN/GaN或AlN/GaN。
8.根據權利要求1所述的GaN基LED外延結構，其特征在于，所述襯底的材料為藍寶石、碳化硅、硅或氮化鎵。
9.一種GaN基LED外延結構的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：
在襯底上形成n型摻雜層；
在所述n型摻雜層上形成量子阱有源層；
在所述量子阱有源層上形成電子阻擋層；
在所述電子阻擋層上形成與所述電子阻擋層極性相反的p型摻雜層。
10.一種發光二極管，其特征在于，包括P電極、N電極和如權利要求1-8任一項所述的GaN基LED外延結構，所述N電極設置在所述n型摻雜層上，所述P電極設置在所述p型摻雜層上。
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