[發(fā)明專(zhuān)利]一種LED芯片及其制作方法在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202010088656.9 | 申請(qǐng)日： | 2020-02-12 |
| 公開(kāi)（公告）號(hào)： | CN111180563A | 公開(kāi)（公告）日： | 2020-05-19 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 劉銳森;霍麗艷;吳洪浩;劉兆 | 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人： | 江西乾照光電有限公司 |
| 主分類(lèi)號(hào)： | H01L33/32 | 分類(lèi)號(hào)： | H01L33/32;H01L33/14;H01L33/06;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京集佳知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227 | 代理人： | 張靜 |
| 地址： | 330103 江西省南*** | 國(guó)省代碼： | 江西;36 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 led 芯片 及其 制作方法 | ||
本申請(qǐng)實(shí)施例提供了一種LED芯片及其制作方法，該LED芯片包括：襯底、緩沖層、N型氮化鎵層、多量子阱發(fā)光層、空穴注入層，其中，空穴注入層包括層疊的AlInGaN層、含鎂材料層和P型AlInGaN層，其中，含鎂材料層中鎂的電離能較低，激活效率較高，可以對(duì)AlInGaN層和P型AlInGaN層進(jìn)行鎂濃度的補(bǔ)充，提高AlInGaN層和P型AlInGaN層中鎂的摻雜濃度，從而有利于提高整個(gè)空穴注入層的空穴濃度，便于更多的空穴向多量子阱發(fā)光層注入，以使得空穴注入層在提高多量子阱發(fā)光層中的空穴濃度的基礎(chǔ)上，不會(huì)吸收過(guò)多的多量子阱發(fā)光層中發(fā)出的光線，提高LED芯片的發(fā)光亮度。
技術(shù)領(lǐng)域
本申請(qǐng)涉及發(fā)光二極管技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種LED芯片及其制作方法。
背景技術(shù)
GaN基LED作為一種新型半導(dǎo)體固態(tài)光源，被廣泛應(yīng)用于照明和顯示等可見(jiàn)光領(lǐng)域，市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)激烈。近年來(lái)紫外LED由于利潤(rùn)高，技術(shù)難度大，市場(chǎng)增長(zhǎng)快，越來(lái)越受到外延、芯片、封裝和應(yīng)用廠商的青睞。而且，紫外LED具有節(jié)能、環(huán)保、體積小和光響應(yīng)速度快等特點(diǎn)，因此在紫外固化、殺菌消毒、防偽檢測(cè)和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)方面有廣泛的應(yīng)用前景。由此可見(jiàn)，紫外LED及其應(yīng)用，是LED行業(yè)未來(lái)重要的發(fā)展方向之一。
隨著限制汞使用和排放的《水俁公約》正式生效，紫外LED的發(fā)展迎來(lái)了重要的契機(jī)。但是，現(xiàn)有紫外LED的發(fā)光效率有待提高。
發(fā)明內(nèi)容
有鑒于此，本申請(qǐng)?zhí)峁┝艘环NLED芯片及其制作方法，以提高紫外LED芯片的發(fā)光效率。
為實(shí)現(xiàn)上述目的，本申請(qǐng)?zhí)峁┤缦录夹g(shù)方案：
一種LED芯片，包括：
襯底；
位于襯底第一側(cè)表面的緩沖層；
位于所述緩沖層背離所述襯底一側(cè)的N型氮化鎵層；
位于所述N型氮化鎵層背離所述緩沖層一側(cè)的多量子阱發(fā)光層；
位于所述多量子阱發(fā)光層背離所述N型氮化鎵層一側(cè)的空穴注入層，所述空穴注入層包括層疊的AlInGaN層、含鎂材料層和P型AlInGaN層，其中，所述含鎂材料層用于提高所述AlInGaN層和所述P型AlInGaN層中鎂的摻雜濃度。
可選的，所述含鎂材料層中鎂的摻雜濃度取值范圍為1E17cm-3～1E22cm-3，包括端點(diǎn)值。
可選的，所述含鎂材料層中還含有銦。
可選的，所述AlInGaN層的厚度與所述P型AlInGaN層的厚度相同或不同。
可選的，所述AlInGaN層的厚度取值范圍為1nm～20nm，包括端點(diǎn)值，所述P型AlInGaN層的厚度取值范圍為1nm～20nm，包括端點(diǎn)值；
或，所述AlInGaN層的厚度取值范圍為1nm～15nm，包括端點(diǎn)值；所述P型AlInGaN層的厚度取值范圍為5nm～25nm，包括端點(diǎn)值。
一種LED芯片的制作方法，包括：
在襯底第一側(cè)表面形成緩沖層；
在所述緩沖層背離所述襯底一側(cè)形成N型氮化鎵層；
在所述N型氮化鎵層背離所述緩沖層一側(cè)形成多量子阱發(fā)光層；
在所述多量子阱發(fā)光層背離所述N型氮化鎵層一側(cè)形成空穴注入層，所述空穴注入層包括層疊的AlInGaN層、含鎂材料層和P型AlInGaN層，其中，所述含鎂材料層用于提高所述AlInGaN層和所述P型AlInGaN層中鎂的摻雜濃度。
可選的，在所述多量子阱發(fā)光層背離所述N型氮化鎵層一側(cè)形成空穴注入層包括：
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H01L 半導(dǎo)體器件；其他類(lèi)目中不包括的電固體器件
H01L33-00 至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或表面勢(shì)壘的專(zhuān)門(mén)適用于光發(fā)射的半導(dǎo)體器件；專(zhuān)門(mén)適用于制造或處理這些半導(dǎo)體器件或其部件的方法或設(shè)備；這些半導(dǎo)體器件的零部件
H01L33-02 .以半導(dǎo)體為特征的
H01L33-36 .以電極為特征的
H01L33-44 .以涂層為特征的，例如鈍化層或防反射涂層
H01L33-48 .以半導(dǎo)體封裝體為特征的
H01L33-50 ..波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換元件
