[發(fā)明專利]一種基于駐極體的突觸晶體管及其制備方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 202010088592.2 | 申請日: | 2020-02-12 |
| 公開(公告)號: | CN111180582B | 公開(公告)日: | 2021-12-21 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 陳惠鵬;俞礽堅;陳耿旭;郭太良;李恩龍 | 申請(專利權(quán))人: | 福州大學(xué) |
| 主分類號: | H01L51/05 | 分類號: | H01L51/05;H01L51/40 |
| 代理公司: | 福州元創(chuàng)專利商標(biāo)代理有限公司 35100 | 代理人: | 錢莉;蔡學(xué)俊 |
| 地址: | 350108 福建省福*** | 國省代碼: | 福建;35 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 基于 駐極體 突觸 晶體管 及其 制備 方法 | ||
本發(fā)明涉及一種基于駐極體的突觸晶體管及其制備方法,所述的晶體管自下而上由帶有絕緣層的基底、駐極體介電層、有機半導(dǎo)體層以及頂部電極組成;所述的駐極體介電層在絕緣層與半導(dǎo)體之間形成一個界面捕獲層,用于捕獲電子與空穴,形成額外的電場,對半導(dǎo)體層起到額外的柵極調(diào)控作用。該晶體管具有高的開關(guān)比,較大的電導(dǎo)調(diào)控范圍,并且電導(dǎo)增加與調(diào)控的脈沖數(shù)呈現(xiàn)很好的線性關(guān)系,適用于神經(jīng)形態(tài)計算,有效地提高對模式識別的精度,為未來的人工突觸提供了一個應(yīng)用前景。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及電子材料與器件領(lǐng)域,特別是一種基于駐極體的突觸晶體管及其制備方法。
背景技術(shù)
傳統(tǒng)的計算由于存儲和處理過程的獨立性而受到馮·諾依曼瓶頸的限制。神經(jīng)形態(tài)計算可以通過模擬人腦神經(jīng)系統(tǒng)來同時執(zhí)行多項任務(wù),例如學(xué)習(xí),存儲和傳輸信息,它具有高效率,低效率的特點。受人腦神經(jīng)系統(tǒng)啟發(fā)的神經(jīng)形態(tài)計算將克服獨立信息處理和存儲的問題。人工突觸設(shè)備作為神經(jīng)形態(tài)計算系統(tǒng)的基本單元,可以以低功耗進行信號處理。目前存在的突觸器件多種多樣,例如電阻式隨機存取存儲器(RRAM),相變存儲器(PCM),憶阻器以及有機晶體管。但是,有機晶體管的突觸器件目前尚未有基于駐極體的突觸晶體管。
發(fā)明內(nèi)容
有鑒于此,本發(fā)明的目的是提供一種基于駐極體的突觸晶體管及其制備方法,能夠?qū)Π雽?dǎo)體層起到額外的柵極調(diào)控作用。
本發(fā)明采用以下方案實現(xiàn):一種基于駐極體的突觸晶體管,所述晶體管自下而上由帶有絕緣層的基底、駐極體介電層、有機半導(dǎo)體層以及頂部電極組成;所述駐極體介電層在絕緣層與有機半導(dǎo)體層之間形成一個界面捕獲層,用以捕獲電子與空穴形成額外的電場,對有機半導(dǎo)體層進行額外的柵極調(diào)控。
進一步地,所述駐極體介電層采用的是有機駐極體材料,厚度為10~20 nm。
進一步地,所述的有機半導(dǎo)體層的材料采用的是有機大分子共聚物材料,其厚度為100~200 nm。
進一步地,所述頂部電極的源電極為金或銀金屬;所述頂部電極的漏電極也為金或銀金屬;所述頂部電極的厚度為50~100 nm。
本發(fā)明還提供一種基于駐極體的突觸晶體管的制備方法,包括以下步驟:
步驟S1:將襯底清洗干凈即將帶有絕緣層的基底清洗干凈;
步驟S2:將有機駐極體材料按一定比例溶解于有機溶劑中,充分加熱并攪拌,待充分溶解后,在襯底上旋涂一層均勻的薄膜,在空氣條件下進行退火處理,得到駐極體介電層;
步驟S3:將有機大分子共聚物材料按一定比例溶解于有機溶劑中,充分加熱并攪拌,采用旋涂或刮涂的方式在駐極體層上繼續(xù)進行,然后在空氣條件下進行退火處理,得到有機半導(dǎo)體層;
步驟S4:采用真空蒸發(fā)沉積的方式在有機半導(dǎo)體層上通過掩膜板蒸鍍一層頂部電極。
進一步地,步驟S1中所述襯底使用帶有絕緣層的基底,隨后使用丙酮、異丙醇溶液清洗,最后用氮氣吹干。
進一步地,步驟S2中所述有機溶劑為甲苯或者二丁酮,所述有機駐極體材料按一定比例溶解,濃度范圍為2~8 mg·mL-1。
進一步地,步驟S3中所述有機半導(dǎo)體層有機溶劑為氯苯或者氯仿,所述的有機半導(dǎo)體按一定比例溶解,濃度范圍為2.5~10 mg·mL-1。
與現(xiàn)有技術(shù)相比,本發(fā)明具有以下有益效果:本發(fā)明對半導(dǎo)體層起到額外的柵極調(diào)控作用。該晶體管具有高的開關(guān)比,在給與柵壓脈沖的過程中,在柵壓脈沖之后都會有源漏電導(dǎo)的提升,且擁有較大的電導(dǎo)調(diào)控范圍(可以從0.3 nS 調(diào)節(jié)到33 nS,超過100倍的電導(dǎo)調(diào)控范圍),并且電導(dǎo)增加與調(diào)控的脈沖數(shù)呈現(xiàn)很好的線性關(guān)系(在電導(dǎo)增長的過程中非線性度為0.08),適用于神經(jīng)形態(tài)計算,有效地提高對模式識別的精度(達到85%以上的對MNIST手寫數(shù)據(jù)庫的識別精度)。
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