[發(fā)明專利]太陽(yáng)能電池模組、用于太陽(yáng)能電池模組的背板及背板組合在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202010088502.X | 申請(qǐng)日: | 2020-02-12 |
| 公開(公告)號(hào): | CN113078229A | 公開(公告)日: | 2021-07-06 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 黃莉媚;潘恩郁;黃崇杰;蘇俊瑋;黃兆平 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 財(cái)團(tuán)法人工業(yè)技術(shù)研究院 |
| 主分類號(hào): | H01L31/048 | 分類號(hào): | H01L31/048;H01L31/049 |
| 代理公司: | 中科專利商標(biāo)代理有限責(zé)任公司 11021 | 代理人: | 周天宇 |
| 地址: | 中國(guó)臺(tái)灣新竹*** | 國(guó)省代碼: | 臺(tái)灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 太陽(yáng)能電池 模組 用于 背板 組合 | ||
1.一種用于太陽(yáng)能電池模組的背板,其特征在于,包括:
一聚偏氟乙烯納米材料復(fù)合層,其包括聚偏氟乙烯以及分散于該聚偏氟乙烯中的納米材料,其中,該納米材料的尺寸為5nm至500nm;
二導(dǎo)電層,其設(shè)置于該聚偏氟乙烯納米材料復(fù)合層的相對(duì)兩側(cè);以及
二粘著層,其分別設(shè)置于該二導(dǎo)電層的外側(cè)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的背板,其特征在于,該背板還包括一保護(hù)層和一絕緣層,其分別設(shè)置于該二粘著層的外側(cè)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的背板,其特征在于,該背板還包括二保護(hù)層,其分別設(shè)置于該二粘著層的外側(cè)。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的背板,其特征在于,該背板還包括二絕緣層,其分別設(shè)置于該二粘著層的外側(cè)。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的背板,其特征在于,該聚偏氟乙烯與該納米材料的重量比為97:3至20:80。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的背板,其特征在于,該聚偏氟乙烯與該納米材料的體積比為100:1至60:40。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的背板,其特征在于,該納米材料為無(wú)機(jī)納米片材。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的背板,其特征在于,該無(wú)機(jī)納米片材為無(wú)機(jī)納米粘土片材。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的背板,其特征在于,該納米材料為無(wú)機(jī)納米粒子。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的背板,其特征在于,該導(dǎo)電層包含金屬材料以及透明導(dǎo)電氧化物。
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的背板,其特征在于,該納米材料為粘土或陶瓷。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的背板,其特征在于,構(gòu)成該粘土的材質(zhì)為合成鋰皂石(Laponite)、多水高領(lǐng)土(Halloysite)、或海泡石(Sepiolite)。
13.根據(jù)權(quán)利要求11所述的背板,其特征在于,構(gòu)成該陶瓷的材質(zhì)為鈦酸鋇、鈦酸鉛、鈦酸鈣、或氧化鈦鋯。
14.根據(jù)權(quán)利要求1所述的背板,其特征在于,該背板的放電能量密度的增加,隨著溫度增加而呈正相關(guān)。
15.根據(jù)權(quán)利要求1所述的背板,其特征在于,該背板的放電能量密度隨著溫度自20℃增加至80℃,而增加1.5~4倍。
16.一種用于太陽(yáng)能電池的背板組合,其特征在于,包括:
至少二根據(jù)權(quán)利要求1至15中的任一項(xiàng)所述的背板,其相互堆迭且電性并聯(lián)。
17.一種太陽(yáng)能電池模組,其特征在于,包括:
透明前板;
根據(jù)權(quán)利要求1至15中的任一項(xiàng)所述的背板;
至少一封裝層,其設(shè)置于該透明前板及該背板之間;
多個(gè)太陽(yáng)能電池,其相互串聯(lián)并嵌埋于該至少一封裝層中;以及
接線盒,其設(shè)置于該背板上并電性連接該背板中的該二導(dǎo)電層。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對(duì)紅外輻射、光、較短波長(zhǎng)的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或者專門適用于通過(guò)這樣的輻射進(jìn)行電能控制的半導(dǎo)體器件;專門適用于制造或處理這些半導(dǎo)體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導(dǎo)體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉(zhuǎn)換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過(guò)該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的,一個(gè)或多個(gè)電光源,如場(chǎng)致發(fā)光光源在結(jié)構(gòu)上相連的,并與其電光源在電氣上或光學(xué)上相耦合的





