[發(fā)明專利]一種磁場(chǎng)調(diào)節(jié)器件及其制備方法

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202010088373.4
• 申請(qǐng)日: 2020-02-12
• 公開（公告）號(hào): CN111244262A
• 公開（公告）日: 2020-06-05
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 劉明;胡忠強(qiáng);關(guān)蒙萌;王立乾;朱家訓(xùn)
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 珠海多創(chuàng)科技有限公司
• 主分類號(hào): H01L41/09
• 分類號(hào): H01L41/09;H01L41/12;H01L41/37;H01L41/47;G01R33/02
• 代理公司: 廣東朗乾律師事務(wù)所 44291
• 代理人: 楊煥軍

1.一種磁場(chǎng)調(diào)節(jié)器件，其特征在于，包括：

復(fù)合磁性元件對(duì)，所述復(fù)合磁性元件對(duì)中的復(fù)合磁性元件間隔設(shè)置，所述復(fù)合磁性元件包括鐵磁層和壓電層，所述壓電層與外部電壓源電連接。

2.如權(quán)利要求1所述的磁場(chǎng)調(diào)節(jié)器件，其特征在于：所述復(fù)合磁性元件的橫截面形狀為方形。

3.如權(quán)利要求1所述的磁場(chǎng)調(diào)節(jié)器件，其特征在于：所述復(fù)合磁性元件之間的距離小于復(fù)合磁性元件的長(zhǎng)度的二分之一。

4.如權(quán)利要求1所述的磁場(chǎng)調(diào)節(jié)器件，其特征在于：所述鐵磁層由磁致伸縮系數(shù)≥50ppm且靜態(tài)磁導(dǎo)率≥10000的鐵磁材料形成。

5.如權(quán)利要求4所述的磁場(chǎng)調(diào)節(jié)器件，其特征在于：所述鐵磁材料為FeCoB或FeGaB或FeCoBSi或FeCoB。

6.如權(quán)利要求1所述的磁場(chǎng)調(diào)節(jié)器件，其特征在于：所述壓電層由電致伸縮系數(shù)≥500ppm的壓電材料形成。

7.如權(quán)利要求6所述的磁場(chǎng)調(diào)節(jié)器件，其特征在于：所述壓電材料為PZT或PZN-PT或PMN-PT或AlN或HfO₂。

8.如權(quán)利要求1所述的磁場(chǎng)調(diào)節(jié)器件，其特征在于：所述復(fù)合磁性元件間隔對(duì)稱設(shè)置于一基底上，其包括依次設(shè)置于所述基底上的下電極、復(fù)合磁性層、絕緣層及上電極，所述復(fù)合磁性層包括壓電層和位于所述壓電層上的鐵磁層，所述下電極和所述上電極用于實(shí)現(xiàn)所述復(fù)合磁性層中壓電層與外部電壓源的電連接。

9.如權(quán)利要求1所述的磁場(chǎng)調(diào)節(jié)器件，其特征在于：所述復(fù)合磁性元件的厚度為500nm～5000nm。

10.如權(quán)利要求1至9任一項(xiàng)所述的磁場(chǎng)調(diào)節(jié)器件的制備方法，其特征在于，步驟如下：

提供基底；

在所述基底上沉積第一導(dǎo)電層；

在所述第一導(dǎo)電層上沉積復(fù)合磁性層；

在所述復(fù)合磁性層上沉積絕緣層；

在所述在絕緣層及復(fù)合磁性層的外露表面沉積第二導(dǎo)電層，將所述第一導(dǎo)電層及所述第二導(dǎo)電層與外部電壓源電連接。