[發(fā)明專利]光傳感器裝置及其制造方法

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202010088151.2
• 申請(qǐng)日: 2020-02-12
• 公開（公告）號(hào): CN111554753A
• 公開（公告）日: 2020-08-18
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 塚越功二
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 艾普凌科有限公司
• 主分類號(hào): H01L31/0203
• 分類號(hào): H01L31/0203;H01L31/02;H01L31/18
• 代理公司: 中國(guó)專利代理(香港)有限公司 72001
• 代理人: 何欣亭;閆小龍

1.一種光傳感器裝置，其特征在于具備：

承載光半導(dǎo)體元件的基部；

與所述基部重疊設(shè)置，并將所述光半導(dǎo)體元件密封在中空部中的蓋部；

設(shè)置在所述蓋部的與所述基部相對(duì)的表面的第1金屬化層；

設(shè)置在所述基部的與所述蓋部相對(duì)的表面的第2金屬化層；

將所述第一金屬化層與所述第二金屬化層接合的接合層，

在所述第一金屬化層上設(shè)置有多個(gè)第一切口部。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光傳感器裝置，其特征在于，所述第一切口部設(shè)置在所述第一金屬化層的內(nèi)周緣及外周緣。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或權(quán)利要求2所述的光傳感器裝置，其特征在于，所述第一切口部?jī)H配置在第一金屬化層的直線部。

4.根據(jù)權(quán)利要求1或權(quán)利要求2所述的光傳感器裝置，其特征在于，在所述第二金屬化層設(shè)置有多個(gè)第二切口部。

5.根據(jù)權(quán)利要求1或權(quán)利要求2所述的光傳感器裝置，其特征在于，所述第一金屬化層的寬度等于或小于所述第二金屬化層的寬度。

6.根據(jù)權(quán)利要求1或權(quán)利要求2所述的光傳感器裝置，其特征在于，所述接合層不超過(guò)所述第一金屬化層的內(nèi)周緣及外周緣，并且不超過(guò)所述第二金屬化層的內(nèi)周緣及外周緣。

7.一種光傳感器裝置的制造方法，其特征在于具備：

準(zhǔn)備基部和與所述基部重疊設(shè)置的蓋部的工序；

在所述蓋部的與所述基部相對(duì)的表面設(shè)置第1金屬化層的工序；

在所述基部的與所述蓋部相對(duì)的表面設(shè)置第2金屬化層的工序；

在所述基部承載所述光半導(dǎo)體元件的工序；

在所述第一金屬化層上涂布接合材料的工序；

對(duì)所述涂布的接合材料進(jìn)行預(yù)燒結(jié)的工序；

將所述蓋部和所述基部隔著所述第一金屬化層、所述第二金屬化層和所述預(yù)燒結(jié)的接合材料進(jìn)行重合的工序；

以比所述進(jìn)行預(yù)燒結(jié)的工序高的溫度在施加重量的同時(shí)進(jìn)行主燒結(jié)，將所述蓋部和所述基部接合的工序。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的光傳感器裝置的制造方法，其特征在于，所述進(jìn)行主燒結(jié)的工序在氮?dú)鈿夥栈蛘婵諝夥罩羞M(jìn)行。

9.根據(jù)權(quán)利要求7或權(quán)利要求8所述的光傳感器裝置的制造方法，其特征在于，在所述進(jìn)行涂布的工序中，將相鄰的所述接合材料分離地進(jìn)行涂布。

10.根據(jù)權(quán)利要求7或權(quán)利要求8所述的光傳感器裝置的制造方法，其特征在于，在所述進(jìn)行涂布的工序中，將所述接合材料涂布在所述第一金屬化層的內(nèi)周緣與外周緣之間的區(qū)域中。