[發(fā)明專利]微型LED顯示面板、制作方法、母版及顯示裝置有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 202010087997.4 | 申請日： | 2020-02-12 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN111370560B | 公開（公告）日： | 2021-09-28 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 遲霄;禹少榮;符鞠建 | 申請（專利權(quán)）人： | 上海天馬微電子有限公司 |
| 主分類號(hào)： | H01L33/60 | 分類號(hào)： | H01L33/60;H01L33/64;H01L25/075;H01L27/15 |
| 代理公司： | 北京晟睿智杰知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(特殊普通合伙) 11603 | 代理人： | 于淼 |
| 地址： | 201201 上海*** | 國省代碼： | 上海;31 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 微型 led 顯示 面板 制作方法 母版 顯示裝置 | ||
1.一種微型LED顯示面板，其特征在于，包括：
顯示區(qū)以及圍繞所述顯示區(qū)的非顯示區(qū)，所述顯示區(qū)包括多個(gè)發(fā)光單元；
襯底基板；
溫度補(bǔ)償層，溫度補(bǔ)償層位于所述襯底基板一側(cè)；
限定層，所述限定層位于所述溫度補(bǔ)償層遠(yuǎn)離所述襯底基板一側(cè)，所述限定層包括多個(gè)擋墻，所述擋墻包括多個(gè)第一方向延伸且沿第二方向排列的第一擋墻和多個(gè)沿所述第二方向延伸且沿所述第一方向排列的第二擋墻，多個(gè)所述第一擋墻和多個(gè)所述第二擋墻交叉限定多個(gè)所述發(fā)光單元，所述第一方向和所述第二方向交叉；
在垂直于所述襯底基板的方向上，所述擋墻包括相對設(shè)置的第一面和第二面，所述第一面為所述擋墻靠近所述微型LED顯示面板出光面一側(cè)的表面，所述第二面為所述擋墻遠(yuǎn)離所述微型LED顯示面板出光面一側(cè)的表面，所述第二面在所述襯底基板所在平面的正投影大于且覆蓋所述第一面在所述襯底基板所在平面的正投影；
所述擋墻在所述襯底基板所在平面的正投影至少部分覆蓋所述溫度補(bǔ)償層在所述襯底基板所在平面的正投影，所述溫度補(bǔ)償層用于調(diào)節(jié)所述擋墻的局部溫度；
控溫層，所述控溫層位于所述非顯示區(qū)圍繞所述顯示區(qū)設(shè)置，用于調(diào)節(jié)所述溫度補(bǔ)償層溫度變化。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的微型LED顯示面板，其特征在于，所述擋墻在所述襯底基板所在平面的正投影覆蓋所述溫度補(bǔ)償層在所述襯底基板所在平面的正投影。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的微型LED顯示面板，其特征在于，所述擋墻還包括第三面，所述第三面分別與所述第一面和所述第二面連接；
所述第三面包括第三甲面和第三乙面，所述第三甲面為所述擋墻靠近所述第一面的一側(cè)，所述第三乙面為所述擋墻靠近所述第二面的一側(cè)；
所述第三甲面與所述第二面的夾角為第一夾角，所述第三乙面與所述第二面的夾角為第二夾角，所述第一夾角與所述第二夾角不同。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的微型LED顯示面板，其特征在于，所述溫度補(bǔ)償層在所述襯底基板所在平面的正投影大于且覆蓋所述擋墻在所述襯底基板所在平面的正投影。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的微型LED顯示面板，其特征在于，所述擋墻還包括第四面，所述第四面分別與所述第一面和所述第二面連接，所述第四面與所述第二面的夾角為45°至60°。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的微型LED顯示面板，其特征在于，還包括反射層，所述反射層完全覆蓋所述擋墻的所述第四面。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的微型LED顯示面板，其特征在于，所述溫度補(bǔ)償層材料的導(dǎo)熱系數(shù)大于所述擋墻材料的導(dǎo)熱系數(shù)。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的微型LED顯示面板，其特征在于，所述溫度補(bǔ)償層材料的導(dǎo)熱系數(shù)大于等于15W/mk。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的微型LED顯示面板，其特征在于，所述發(fā)光單元還包括微型發(fā)光二極管，所述微型發(fā)光二極管位于所述襯底基板靠近所述限定層的一側(cè)；
還包括陣列層，所述陣列層位于所述襯底基板和所述溫度補(bǔ)償層之間，
所述陣列層包括至少一個(gè)薄膜晶體管；
所述陣列層還包括有源層、第一金屬層、電容金屬層、第二金屬層、第一電極層和絕緣層，其中，所述第一金屬層、所述絕緣層和所述第二金屬層依次設(shè)置在所述襯底基板上，所述有源層位于所述絕緣層靠近所述第一金屬層一側(cè)，所述第二金屬層和所述有源層之間形成所述電容金屬層，所述第一電極層位于所述第一金屬層遠(yuǎn)離所述絕緣層一側(cè)；
所述薄膜晶體管包括位于所述第一金屬層的柵極以及位于所述第二金屬層的源極和漏極。
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