[發明專利]顯示面板及移動終端在審
| 申請號: | 202010087094.6 | 申請日: | 2020-02-11 |
| 公開(公告)號: | CN111276522A | 公開(公告)日: | 2020-06-12 |
| 發明(設計)人: | 鄭敏;金武謙 | 申請(專利權)人: | 武漢華星光電半導體顯示技術有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;H01L51/52 |
| 代理公司: | 深圳紫藤知識產權代理有限公司 44570 | 代理人: | 遠明 |
| 地址: | 430079 湖北省武漢市東湖新技術*** | 國省代碼: | 湖北;42 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 顯示 面板 移動 終端 | ||
本揭示提供一種顯示面板及移動終端,所述顯示面板陣列基板,所述陣列基板包括陣列排布的多個子像素區域,所述子像素區域內設置有子像素驅動電路,相鄰所述子像素區域之間形成感光區域;顯示器件層,設置于所述陣列基板上;光電流傳感器,設置于所述感光區域內,并與所述子像素驅動電路連接;以及第一控制單元,與所述子像素驅動電路連接,利用光電流傳感器對顯示器件層發光亮度的感測,并將光信號通過子像素驅動電路轉變為電信號,再通過第一控制單元對所述電信號進行識別判斷,并產生相應的補償信號對亮度下降部分的顯示器件層進行補償,提升顯示器件層的發光亮度,實現顯示面板以及移動終端對比度均一化。
技術領域
本發明涉及顯示技術領域,尤其涉及一種顯示面板及顯示終端。
背景技術
有機發光二極管(organic lightemitting diode,OLED)顯示面板通過在有機材料中電子空穴的復合過程中發射出的光來顯示圖像。采用OLED的顯示面板是一種新興的顯示器件,由于其制備工藝簡單、成本低、響應速度快、易于實現彩色顯示和大屏幕顯示、功耗低、容易實現和集成電路驅動器的匹配、發光亮度高、工作溫度適應范圍廣、體積輕薄且易于實現柔性顯示等優點,使其具有廣闊的應用前景。
隨著OLED顯示面板的使用,有機發光二極管顯示器件內金屬走線的電阻逐漸增大,有機發光二極管器件內的有機材料也會發生老化,導致有機發光二極管的發光效率以及發光亮度隨之降低,發光的顏色也會有所變化,縮短了OLED顯示面板的壽命。
綜上所述,現有有機發光二極管顯示面板在使用過程存在由于電阻的逐漸增大以及有機材料老化導致的發光效率降低、亮度下降的問題。故,有必要提供一種顯示面板及顯示裝置來改善這一缺陷。
發明內容
本揭示實施例提供一種顯示面板及移動終端,用于解決現有有機發光二極管顯示面板在使用過程存在由于電阻的逐漸增大以及有機材料老化導致的發光效率降低、亮度下降的問題。
本揭示實施例提供一種顯示面板,包括:
陣列基板,包括陣列排布的多個子像素區域,所述子像素區域內設置有子像素驅動電路,相鄰所述子像素區域之間形成感光區域;
顯示器件層,設置于所述陣列基板上;
光電流傳感器,設置于所述感光區域內,與所述子像素驅動電路連接,并通過所述子像素驅動電路將所述顯示器件層產生的光信號轉變為電信號;以及
第一控制單元,與所述子像素驅動電路連接,接收所述電信號并產生相應的補償信號。
根據本揭示一實施例,所述光電流傳感器包括層疊設置的柵極線層、溝道層和源漏電極層,所述溝道層的材料包括金屬氧化物。
根據本揭示一實施例,所述金屬氧化物的材料包括銦鎵鋅氧化物、銦鎵氧化物、銦錫鋅氧化物或鋁鋅氧化物。
根據本揭示一實施例,所述陣列基板包括襯底基板和設置于所述襯底基板上的緩沖層,所述光電流傳感器設置于所述顯示器件層與所述緩沖層之間。
根據本揭示一實施例,所述子像素驅動電路包括多個薄膜晶體管,多個所述薄膜晶體管中包括至少一個氧化物薄膜晶體管。
根據本揭示一實施例,所述氧化物薄膜晶體管與所述光電流傳感器的結構相同,并與所述光電流傳感器同層設置。
根據本揭示一實施例,多個所述薄膜晶體管中包括驅動薄膜晶體管,所述驅動薄膜晶體管設置于所述緩沖層遠離所述襯底基板的一側上,所述驅動薄膜晶體管包括第一溝道層、第一柵極線層和第一源漏電極層,所述第一柵極線層設置于所述第一溝道層遠離所述襯底基板的一側上。
根據本揭示一實施例,所述子像素驅動電路包括七個薄膜晶體管和一個存儲電容。
根據本揭示一實施例,所述第一控單元為微處理器或中央處理器。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





