[發明專利]接近傳感器及使用其的電子機器在審
| 申請號: | 202010087036.3 | 申請日: | 2020-02-11 |
| 公開(公告)號: | CN111564519A | 公開(公告)日: | 2020-08-21 |
| 發明(設計)人: | 上平祥嗣 | 申請(專利權)人: | 羅姆股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L31/12 | 分類號: | H01L31/12;H01L31/0203;G01S17/04;G01S17/08;G01S7/481;G01V8/10 |
| 代理公司: | 北京律盟知識產權代理有限責任公司 11287 | 代理人: | 林斯凱 |
| 地址: | 日本國京都府京*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 接近 傳感器 使用 電子 機器 | ||
1.一種接近傳感器,其特征在于具有:基板,具有主面;發光元件及受光元件,搭載在所述主面上;及樹脂體,在所述基板的所述主面側包入所述發光元件及所述受光元件,且具有與所述主面相隔的邊界面;且
在所述樹脂體的所述邊界面具有:第1串擾降低機構,具有第1傾斜面;及第2串擾降低機構,具有第2傾斜面。
2.根據權利要求1所述的接近傳感器,其中所述第1串擾降低機構位于所述發光元件與所述受光元件之間,所述第2串擾降低機構位于比所述第1串擾降低機構更靠所述受光元件側的位置。
3.根據權利要求2所述的接近傳感器,其中所述第1傾斜面及所述第2傾斜面為越遠離所述基板的主面越向所述發光元件側位移的傾斜面。
4.根據權利要求1所述的接近傳感器,其中所述邊界面中的除設置有所述第1串擾降低機構及第2串擾降低機構的區域以外的區域為與所述基板的所述主面平行的平坦面。
5.根據權利要求3或4所述的接近傳感器,其中所述第1串擾降低機構由第1槽形成,該第1槽以在與所述發光元件及所述受光元件排列的方向交叉的方向延伸的方式形成在所述邊界面,且該第1槽的所述發光元件側的內表面構成所述第1傾斜面。
6.根據權利要求5所述的接近傳感器,其中所述第1傾斜面為從所述第1槽的底部越朝向所述邊界面越向所述發光元件側位移的平坦面。
7.根據權利要求6所述的接近傳感器,其中所述第1槽為截面V字狀或截面倒梯形狀。
8.根據權利要求5所述的接近傳感器,其中所述第1傾斜面為從所述第1槽的底部越朝向所述邊界面越向所述發光元件側位移的凹曲面。
9.根據權利要求8所述的接近傳感器,其中所述第1槽為截面U字狀或截面半圓狀。
10.根據權利要求4所述的接近傳感器,其中所述第1串擾降低機構由第1凸條形成,該第1凸條以在與所述發光元件及所述受光元件排列的方向交叉的方向延伸的方式形成在所述邊界面,且該第1凸條的所述受光元件側的面構成所述第1傾斜面。
11.根據權利要求10所述的接近傳感器,其中所述第1傾斜面為從所述第1凸條的頂部越朝向所述邊界面越向所述受光元件側位移的平坦面。
12.根據權利要求11所述的接近傳感器,其中所述第1凸條為截面三角狀或截面梯形狀。
13.根據權利要求10所述的接近傳感器,其中所述第1傾斜面為從所述第1凸條的頂部越朝向所述邊界面越向所述受光元件側位移的凸曲面。
14.根據權利要求13所述的接近傳感器,其中所述第1凸條為截面倒U字狀或截面半圓狀。
15.根據權利要求3或4所述的接近傳感器,其中所述第2串擾降低機構由第2槽形成,該第2槽以在與所述發光元件及所述受光元件排列的方向交叉的方向延伸的方式形成在所述邊界面,且該第2槽的所述發光元件側的內表面構成所述第2傾斜面。
16.根據權利要求15所述的接近傳感器,其中所述第2傾斜面為從所述第2槽的底部越朝向所述邊界面越向所述發光元件側位移的平坦面。
17.根據權利要求16所述的接近傳感器,其中所述第2槽為截面V字狀或截面倒梯形狀。
18.根據權利要求15所述的接近傳感器,其中所述第2傾斜面為從所述第2槽的底部越朝向所述邊界面越向所述發光元件側位移的凹曲面。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





