[發(fā)明專利]一種預(yù)測(cè)晶體熱場(chǎng)分布的方法、裝置以及設(shè)備在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202010086848.6 | 申請(qǐng)日: | 2020-02-11 |
| 公開(公告)號(hào): | CN111400862A | 公開(公告)日: | 2020-07-10 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 王雅儒;舒天宇;周敏;劉圓圓;姜興剛;張紅巖 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 山東天岳先進(jìn)材料科技有限公司 |
| 主分類號(hào): | G06F30/20 | 分類號(hào): | G06F30/20;G06N3/08;G06N3/04 |
| 代理公司: | 北京君慧知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11716 | 代理人: | 董延麗 |
| 地址: | 250100 山*** | 國(guó)省代碼: | 山東;37 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 預(yù)測(cè) 晶體 分布 方法 裝置 以及 設(shè)備 | ||
本申請(qǐng)公開了一種預(yù)測(cè)晶體熱場(chǎng)分布的方法,包括:確定晶體溫場(chǎng)結(jié)構(gòu)變化的參數(shù)值,其中,溫場(chǎng)結(jié)構(gòu)為腔體結(jié)構(gòu),中間內(nèi)置晶體;將晶體的溫場(chǎng)結(jié)構(gòu)變化數(shù)據(jù)的參數(shù)值,輸入預(yù)先訓(xùn)練的溫度分布預(yù)測(cè)模型,預(yù)測(cè)出溫場(chǎng)結(jié)構(gòu)對(duì)應(yīng)的溫度分布;其中,溫度分布預(yù)測(cè)模型包括溫場(chǎng)結(jié)構(gòu)參數(shù)輸入層、全連接層神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)隱含層、溫度分布的預(yù)測(cè)輸出層,溫度分布為溫場(chǎng)結(jié)構(gòu)腔體內(nèi)的溫度分布。在溫場(chǎng)結(jié)構(gòu)發(fā)生變化時(shí),本申請(qǐng)實(shí)施例可以通過溫度分布預(yù)測(cè)模型預(yù)測(cè)溫場(chǎng)結(jié)構(gòu)對(duì)應(yīng)的溫度分布,并使得溫場(chǎng)結(jié)構(gòu)對(duì)應(yīng)的溫度分布處于監(jiān)測(cè)的狀態(tài),一旦溫度分布預(yù)測(cè)模型預(yù)測(cè)出溫場(chǎng)結(jié)構(gòu)對(duì)應(yīng)的溫度分布處于非正常范圍時(shí),可以發(fā)出警示信息,提醒管理人員及時(shí)進(jìn)行處理。
技術(shù)領(lǐng)域
本申請(qǐng)涉及計(jì)算機(jī)技術(shù)領(lǐng)域,尤其涉及一種預(yù)測(cè)晶體熱場(chǎng)分布的方法、裝置以及設(shè)備。
背景技術(shù)
目前能夠批量制備碳化硅單晶的方法為物理氣相傳輸法,這是一種通過高溫將低壓環(huán)境,將原料氣化后在溫度梯度的作用下促使其向上升華并在籽晶表面結(jié)晶的方法。由于碳化硅的堆垛層錯(cuò)能很低,很多晶型需要幾十層的結(jié)構(gòu)才能穩(wěn)定下來,因此碳化硅的同質(zhì)異構(gòu)體超過240種,在晶體生長(zhǎng)過程中維持晶格統(tǒng)一不變,需要穩(wěn)定且合理的溫場(chǎng)分布,這也成為制約碳化硅量產(chǎn)的主要技術(shù)瓶頸之一。碳化硅單晶的生長(zhǎng)需要在2200℃,10-4Pa真空環(huán)境下進(jìn)行,目前還沒有可靠的技術(shù)手段可以對(duì)晶體生長(zhǎng)過程中的溫度分布進(jìn)行測(cè)量與監(jiān)測(cè)。
發(fā)明內(nèi)容
有鑒于此,本申請(qǐng)實(shí)施例提供了一種預(yù)測(cè)晶體熱場(chǎng)分布的方法、裝置以及設(shè)備,用于解決現(xiàn)有技術(shù)中缺乏可靠的技術(shù)手段可以對(duì)晶體生長(zhǎng)過程中的溫度分布進(jìn)行測(cè)量與監(jiān)測(cè)的問題。
本申請(qǐng)實(shí)施例采用下述技術(shù)方案:
本申請(qǐng)實(shí)施例提供一種預(yù)測(cè)晶體熱場(chǎng)分布的方法,所述方法包括:
確定晶體溫場(chǎng)結(jié)構(gòu)變化的參數(shù)值,其中,所述溫場(chǎng)結(jié)構(gòu)為腔體結(jié)構(gòu),中間內(nèi)置晶體;
將所述晶體的溫場(chǎng)結(jié)構(gòu)變化數(shù)據(jù)的參數(shù)值,輸入預(yù)先訓(xùn)練的溫度分布預(yù)測(cè)模型,預(yù)測(cè)出所述溫場(chǎng)結(jié)構(gòu)對(duì)應(yīng)的溫度分布;其中,所述溫度分布預(yù)測(cè)模型包括溫場(chǎng)結(jié)構(gòu)參數(shù)輸入層、全連接層神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)隱含層、溫度分布的預(yù)測(cè)輸出層,所述溫度分布為所述溫場(chǎng)結(jié)構(gòu)腔體內(nèi)的溫度分布。
進(jìn)一步的,所述輸入預(yù)先訓(xùn)練的溫度分布預(yù)測(cè)模型前,所述方法還包括:
通過向溫場(chǎng)仿生模擬系統(tǒng)輸入多組溫場(chǎng)結(jié)構(gòu)的參數(shù)值,獲得多組與溫場(chǎng)結(jié)構(gòu)的參數(shù)值對(duì)應(yīng)的溫度分布;
建立初始的溫度分布預(yù)測(cè)模型;
根據(jù)所述多組溫場(chǎng)結(jié)構(gòu)的參數(shù)值以及每種溫場(chǎng)結(jié)構(gòu)的參數(shù)值對(duì)應(yīng)的溫度分布,訓(xùn)練初始的溫度分布預(yù)測(cè)模型,得出符合預(yù)設(shè)條件的溫度分布預(yù)測(cè)模型。
進(jìn)一步的,獲得多組與溫場(chǎng)結(jié)構(gòu)的參數(shù)值對(duì)應(yīng)的溫度分布后,所述方法還包括:
根據(jù)預(yù)設(shè)方法對(duì)溫度分布的結(jié)果進(jìn)行處理,以便于得到均勻數(shù)值的溫度分布。
進(jìn)一步的,所述預(yù)設(shè)方法為差值法。
進(jìn)一步的,所述根據(jù)所述多組溫場(chǎng)結(jié)構(gòu)的參數(shù)值以及每種溫場(chǎng)結(jié)構(gòu)的參數(shù)值對(duì)應(yīng)的溫度分布,訓(xùn)練初始的溫度分布預(yù)測(cè)模型,得出符合預(yù)設(shè)條件的溫度分布預(yù)測(cè)模型,具體包括:
將多組溫場(chǎng)結(jié)構(gòu)的參數(shù)值以及每種溫場(chǎng)結(jié)構(gòu)的參數(shù)值對(duì)應(yīng)的溫度分布構(gòu)建數(shù)據(jù)集,并按照預(yù)先設(shè)定的比例將所述數(shù)據(jù)集劃分為訓(xùn)練集與驗(yàn)證集,將訓(xùn)練集中的溫場(chǎng)結(jié)構(gòu)的參數(shù)值以及每種溫場(chǎng)結(jié)構(gòu)的參數(shù)值對(duì)應(yīng)的溫度分布輸入至所述初始的溫度分布預(yù)測(cè)模型,通過全連接層神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)隱含層的神經(jīng)元,計(jì)算溫場(chǎng)結(jié)構(gòu)的參數(shù)值與所述溫場(chǎng)結(jié)構(gòu)的參數(shù)值對(duì)應(yīng)的溫度分布之間的權(quán)重關(guān)系并不斷迭代調(diào)整,當(dāng)?shù)玫筋A(yù)設(shè)條件的權(quán)重關(guān)系后,將驗(yàn)證集中的溫場(chǎng)結(jié)構(gòu)的參數(shù)值作為輸入,按照該權(quán)重關(guān)系預(yù)測(cè)出所述溫場(chǎng)結(jié)構(gòu)的參數(shù)值對(duì)應(yīng)的溫度分布,并和驗(yàn)證集中的溫度分布進(jìn)行對(duì)比,若誤差值大于預(yù)設(shè)值則通過反向調(diào)整權(quán)重關(guān)系,直到誤差值小于或等于預(yù)設(shè)值,得出符合條件的溫度分預(yù)測(cè)模型。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于山東天岳先進(jìn)材料科技有限公司,未經(jīng)山東天岳先進(jìn)材料科技有限公司許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購(gòu)買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請(qǐng)聯(lián)系【客服】
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