[發明專利]一種三維堆疊閃存單元閾值電壓分布模型構建方法在審
| 申請號： | 202010086344.4 | 申請日： | 2020-02-11 |
| 公開（公告）號： | CN111276176A | 公開（公告）日： | 2020-06-12 |
| 發明（設計）人： | 吳佳;李禮;陳佳;苗詩君;余云;楊冀;季峰;劉碧貞 | 申請（專利權）人： | 上海威固信息技術股份有限公司 |
| 主分類號： | G11C16/12 | 分類號： | G11C16/12;G11C16/14;G11C16/22;G11C5/14 |
| 代理公司： | 上海海貝律師事務所 31301 | 代理人： | 王文鋒 |
| 地址： | 201702 上海市青*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 三維 堆疊 閃存 單元 閾值 電壓 分布 模型 構建 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種三維堆疊閃存單元閾值電壓分布模型構建方法，應用在閃存系統中，其特征在于，所述方法包括以下步驟：
(1)設置數據保存時間為1個月、3個月、6個月和9個月，閃存塊的可編程擦寫周期為1000次、2000次、3000次、4000次、5000次、6000次和7000次；
(2)閃存塊的可編程擦寫周期調到1000次；
(3)將隨機生成的數據以順序寫入的方式寫入閃存塊的頁面中，將寫入數據的閃存塊保存1個月；
(4)使用不同的讀參考電壓逐層將數據讀出，統計出落入每兩個相鄰讀參考電壓內的存儲單元數量，獲取三維堆疊閃存每個存儲層單元閾值電壓分布離散點，利用差值擬合的方法得到每層的閾值電壓分布模型；
(5)將寫入數據的閃存塊分別保存3個月、6個月和9個月，并依次執行步驟(4)；
(6)閃存塊的可編程擦寫周期依次從2000次增加到7000次，以1000次為間隔，并依次執行步驟(3)和(5)。
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