[發明專利]液/氣冷薄片激光器、增益模塊和波前畸變自補償方法在審
| 申請號: | 202010086220.6 | 申請日: | 2020-02-11 |
| 公開(公告)號: | CN111244732A | 公開(公告)日: | 2020-06-05 |
| 發明(設計)人: | 阮旭;易家玉;涂波;胡浩;曹海霞;高清松;張凱 | 申請(專利權)人: | 中國工程物理研究院應用電子學研究所 |
| 主分類號: | H01S3/04 | 分類號: | H01S3/04;H01S3/042 |
| 代理公司: | 成都九鼎天元知識產權代理有限公司 51214 | 代理人: | 陽佑虹 |
| 地址: | 621000 四川省*** | 國省代碼: | 四川;51 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 氣冷 薄片 激光器 增益 模塊 畸變 補償 方法 | ||
1.一種液/氣冷薄片激光器增益模塊波前畸變自補償方法,所述激光器增益模塊采用冷卻介質直接流過增益介質所形成的流道的方法對增益介質進行冷卻,所述冷卻介質為液體冷卻介質和/或氣體冷卻介質;其特征在于,所述冷卻介質的熱光系數與所述增益介質的熱光系數極性相反。
2.如權利要求1所述的液/氣冷薄片激光器增益模塊波前畸變自補償方法,其特征在于,所述冷卻介質與所述增益介質之間相互對應,對應關系為:所述冷卻介質所引入的波前畸變與所述增益介質所引入的波前畸變絕對值在同一數量級。
3.如權利要求1所述的液/氣冷薄片激光器增益模塊波前畸變自補償方法,其特征在于,所述增益介質為激光晶體。
4.如權利要求1~3任一所述的液/氣冷薄片激光器增益模塊波前畸變自補償方法,其特征在于,所述增益介質為熱光系數為正的增益介質,所述冷卻介質為熱光系數為負的冷卻介質。
5.如權利要求4所述的液/氣冷薄片激光器增益模塊波前畸變自補償方法,其特征在于,所述增益介質為摻雜基質材料為釔鋁石榴石的增益介質,所述冷卻介質為蒸餾水、去離子水或重水中的一種或多種。
6.如權利要求5所述的液/氣冷薄片激光器增益模塊波前畸變自補償方法,其特征在于,所述冷卻介質為重水。
7.如權利要求6所述的液/氣冷薄片激光器增益模塊波前畸變自補償方法,其特征在于,在所述增益介質的晶體流向長度為20mm時,所述增益介質的晶體厚度為1.4±0.5mm,冷卻介質的流道厚度為0.1~0.5mm。
8.一種直接液/氣冷薄片激光器的增益模塊,所述增益模塊包括冷卻介質和增益介質,所述增益介質形成有流道,所述冷卻介質直接流過所述流道以對所述增益介質進行冷卻,所述冷卻介質為液體冷卻介質和/或氣體冷卻介質;其特征在于,所述增益介質的熱光系數與所述增益介質的熱光系數極性相反。
9.如權利要求8所述的薄片激光器的增益模塊,其特征在于,所述冷卻介質與所述增益介質之間相互對應,對應關系為:所引入的波前畸變與所述增益介質所引入的波前畸變在同一數量級。
10.如權利要求8或9所述的薄片激光器的增益模塊,其特征在于,所述增益介質前方和/或后方設置有流場勻化裝置,以勻化冷卻流場的均勻性。
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