[發明專利]電容式間接接觸感測系統有效
| 申請號: | 202010085910.X | 申請日: | 2020-02-09 |
| 公開(公告)號: | CN111338514B | 公開(公告)日: | 2022-07-08 |
| 發明(設計)人: | 謝樺岳;李炫運;李璟林;黃彥衡;張登琦;林柏榮 | 申請(專利權)人: | 業成科技(成都)有限公司;業成光電(深圳)有限公司;英特盛科技股份有限公司 |
| 主分類號: | G06F3/044 | 分類號: | G06F3/044 |
| 代理公司: | 成都希盛知識產權代理有限公司 51226 | 代理人: | 楊冬梅;張行知 |
| 地址: | 611730 四川*** | 國省代碼: | 四川;51 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 電容 間接 接觸 系統 | ||
1.一種電容式間接接觸感測系統,其特征在于,該電容式間接接觸感測系統包含:
一電容式感測器,包含一感測電極及一驅動電路,其中該感測電極與該驅動電路系彼此電性連接,該驅動電路具有一接地端;
一接地導體,電性連接于該接地端并配置以接觸一接地面;
一接觸導體,配置以接觸該感測電極,其中當該接觸導體接觸該感測電極時,該驅動電路取得該感測電極對該接地端之一第一電容值;以及
一第一待測導體,配置以接觸該接觸導體,當該第一待測導體接觸該接觸導體時,該驅動電路取得該感測電極對該接地端之一第二電容值,并依據該第一電容值與該第二電容值之一差值來判斷該第一待測導體是否接觸該接觸導體;
其中該接地導體之一接觸面積大于或等于3000mm2。
2.如權利要求1所述之電容式間接接觸感測系統,其特征在于,該感測電極與該接觸導體之一接觸面積大于或等于10mm2。
3.如權利要求1所述之電容式間接接觸感測系統,其特征在于,該接觸導體之阻抗系在0Ω~30MΩ。
4.如權利要求1所述之電容式間接接觸感測系統,其特征在于,該第一待測導體之阻抗系在0Ω~30MΩ。
5.如權利要求1所述之電容式間接接觸感測系統,其特征在于,該電容式間接接觸感測系統進一步包括一絕緣層,其中該接地導體藉由該絕緣層而設于該接觸導體上。
6.如權利要求1所述之電容式間接接觸感測系統,其特征在于,該電容式間接接觸感測系統進一步包括:
一第二待測導體,配置以接觸該接觸導體,當該第二待測導體接觸該接觸導體時,該驅動電路取得該感測電極對該接地端之一第三電容值,并依據該第一電容值與該第三電容值之一差值來判斷該第二待測導體是否接觸該接觸導體。
7.如權利要求6所述之電容式間接接觸感測系統,其特征在于,該第二待測導體之阻抗為0Ω~30MΩ。
8.如權利要求1所述之電容式間接接觸感測系統,其特征在于,該電容式間接接觸感測系統進一步包括:
一第二待測導體,配置以接觸該第一待測導體,當該第二待測導體接觸該第一待測導體時,該驅動電路取得該感測電極對該接地端之一第四電容值,并依據該第一電容值與該第四電容值之一差值來判斷該第二待測導體是否接觸該第一待測導體。
9.如權利要求8所述之電容式間接接觸感測系統,其特征在于,該第二待測導體之阻抗為0Ω~30MΩ。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于業成科技(成都)有限公司;業成光電(深圳)有限公司;英特盛科技股份有限公司,未經業成科技(成都)有限公司;業成光電(深圳)有限公司;英特盛科技股份有限公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/202010085910.X/1.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。





