[發明專利]一種自動不間斷供電雙電源供電系統有效
| 申請號: | 202010085351.2 | 申請日: | 2020-02-10 |
| 公開(公告)號: | CN111193412B | 公開(公告)日: | 2023-07-07 |
| 發明(設計)人: | 皇金鋒 | 申請(專利權)人: | 普羅納新能源(廣東)有限公司 |
| 主分類號: | H02M3/337 | 分類號: | H02M3/337;H02H7/12;H02H7/125;H02M1/44;H02J9/06 |
| 代理公司: | 北京酷愛智慧知識產權代理有限公司 11514 | 代理人: | 王海文 |
| 地址: | 528400 廣東省中山市*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 自動 不間斷 供電 雙電源 供電系統 | ||
1.一種自動不間斷供電雙電源供電系統,其特征在于,包括防護單元、整流濾波單元、推挽單元、變壓器T3、整流濾波單元二、執行單元、電壓反饋單元、電流反饋單元和MCU芯片IC4,所述防護單元的輸入端連接市電,所述防護單元、整流濾波單元、推挽單元、變壓器T3、整流濾波單元二和執行單元依次連接,所述執行單元的輸出端連接負載,所述執行單元還通過電壓采集單元連接所述MCU芯片IC4的輸入端,所述MCU芯片IC4的輸出端連接所述執行單元,所述整流濾波單元二還通過恒壓單元與MCU芯片IC4連接,對MCU芯片IC4進行供電,所述整流濾波單元還分別通過電壓反饋單元和電流反饋單元與所述推挽單元連接,所述電壓反饋單元和所述電流反饋單元對所述推挽單元進行反饋調節,使推挽單元的開關頻率改變,進而改變變壓器T3輸入側的占空比,所述MCU芯片IC4通過電壓采集單元采集電壓值,并控制執行單元做出動作;
所述防護單元包括熔斷器F1、壓敏電阻MOV1、電阻R32、電阻R37、電容CX1、共模電感T1和共模電感T2,所述熔斷器F1串接于市電的火線L的入端上,所述熔斷器F1的后端,所述壓敏電阻MOV1連接于市電的火線L與零線N之間,所述壓敏電阻MOV1的后端,電阻R32和電阻R37串聯于火線L與零線N之間,所述電阻R32和電阻R37的后端,所述電容CX1連接于火線L與零線N之間,電容CX1的后端,火線L與零線N連接于共模電感T2的輸入側,且共模電感輸入側的兩端分別通過電容CY1和電容CY2接大地,共模電感的輸出側兩側分別連接所述共模電感T1的輸入側的兩端,所述共模電感T1的輸出側兩端連接所述整流濾波單元;通過防護單元,抑制高頻干擾和設備干擾,即防止市電電網的高頻干擾對設備進行干擾,同時防止設備的波動對電網進行干擾;
所述整流濾波單元包括整流橋BD1和濾波電容C2,所述共模電感T1的輸出側兩端分別連接所述整流橋BD1的輸入側的兩端,所述整流橋BD1的輸出側的一端接初級地,所述整流橋BD1的輸出側的另一端通過電容C2接初級地,所述整流橋BD1設置為全橋,其型號設置為KBL206;
所述推挽單元包括電源驅動芯片IC1和NMOS管Q3,所述電源驅動芯片IC1的型號設置為OB2269,所述整流橋BD1的輸出側的另一端通過串聯電阻R22和電阻R23連接電源驅動芯片IC1的3管腳,所述電源驅動芯片IC1的1管腳連接初級地,所述電源驅動芯片IC1的2管腳通過光電耦合器的受光器IC3B連接初級地,且所述電源驅動芯片IC1的2管腳與光電耦合器的受光器IC3B之間還串接電阻R28,?所述電源驅動芯片IC1的2管腳與初級地之間連接電容C13進行濾波,所述電源驅動芯片IC1的4管腳通過電阻R3接初級地,所述電源驅動芯片IC1的5管腳通過熱敏電阻RT1連接初級地,所述電源驅動芯片IC1的6管腳通過電阻R30連接所述NMOS管Q3的源極,且所述電源驅動芯片IC1的6管腳通過電容C15連接初級地,所述電源驅動芯片IC1的7管腳通過反接二極管D3連接所述變壓器T3的二次側線圈L4的高電位端,二次側線圈L4的低電位端連接初級地,且所述電源驅動芯片IC1的7管腳與二極管D3之間連接電阻R7,所述電源驅動芯片IC1的7管腳分別通過電容C10、C8接初級地,進行濾波操作,所述電源驅動芯片IC1的8管腳通過串聯電阻R26和R27連接所述NMOS管Q3的柵極,所述NMOS管Q3的柵極通過正接二極管D7連接于電阻R26與電阻R27的中間端;
所述NMOS管Q3的源極通過并聯的電阻R33和R38連接初級地,所述NMOS管Q3的漏極連接變壓器T3的一次側線圈L2的低電位端,所述整流橋BD1的輸出側的另一端連接所述變壓器T3的一次側線圈L2的高電位端,所述變壓器T3的一次側線圈L2的高電位端通過串聯的電阻R5和R20連接二極管D6的負極,所述變壓器T3的一次側線圈L2的高電位端,所述變壓器T3的一次側線圈L2的高電位端通過串聯的電阻R6和電阻R21連接二極管D6的負極,所述變壓器T3的一次側線圈L2的高電位端通過串聯的電容C3、電阻R8和R12連接二極管D6的負極,所述二極管D6的負極連接所述NMOS管Q3的漏極;
所述變壓器T3設置為四繞組變壓器,四個繞組線圈分別為一次側線圈L1、L2,二次側線圈L3、L4;
所述變壓器T3的二次側線圈L3的高電位端連接所述整流濾波單元二的輸入端,所述變壓器T3的一次側線圈L2的低電位端連接次級地,所述整流濾波單元由二極管D1、二極管D4、電容C6、C9、C4和C7,二極管D1的正極和二極管D4的正極均連接所述變壓器T3的二次側線圈L3的高電位端,二極管D1的負極和二極管D4的負極共連,二極管D1的負極分別通過電容C6、C9、C4和C7接次級地,且所述變壓器T3的一次側線圈L2的高電位端通過并聯電阻R1和R2連接所述二極管D1的負極,且電阻R1和R2與二極管D1的負極之間還連接電容C1,所述二極管D1的負極即為電源V+;
所述電壓反饋單元包括穩壓芯片U1、電位器RP1和三極管Q2,所述穩壓芯片U1的型號設置為TL431,所述穩壓芯片U1負極端接大地,所述穩壓芯片U1的正極管為電壓反饋點,電壓反饋點通過串聯電阻和電容C5連接所述穩壓芯片U1的控制端,所述穩壓芯片U1的控制端通過電阻R3連接所述電源V+,所述穩壓芯片U1的控制端通過電阻R13接大地,所述電位器RP1的一端和滑動端均連接于所述穩壓芯片U1的控制端,所述電位器RP1的另一端通過電阻R17接大地,所述穩壓芯片U1的控制端還通過電阻R14連接所述三極管Q2的集電極,所述三極管Q2的發射極接大地,所述三極管Q2的基極通過電阻R19接大地,且所述三極管Q2的基極通過電阻R11接MCU芯片IC4輸出端;
所述電流反饋單元設有運算放大器IC2A和檢測電阻JR1,所述檢測電阻JR1的一端連接所述次級地,所述檢測電阻JR1的另一端連接所述穩壓芯片U1的低電位端,所述運算放大器IC2A的反相輸入端通過檢測電阻JR1連接次級地,所述運算放大器IC2A的反相輸入端與所述檢測電阻JR1之間還連接電阻R25,所述運算放大器IC2A的反相輸入端連接MCU芯片IC4輸入端,所述運算放大器IC2A的反相輸入端作為電流采集端,被MCU芯片IC4采集,所述運算放大器IC2A的反相輸入端通過電容C16接次級地,所述運算放大器IC2A的反相輸入端通過電容C11連接所述運算放大器IC2A的輸出端,所述運算放大器IC2A的反相輸入端通過串聯的電阻R24和電容C12連接所述運算放大器IC2A的輸出端,所述運算放大器IC2A的同相輸入端通過電阻R31連接基準電壓,所述運算放大器IC2A的同相輸入端通過并聯的電阻R34和R35接次級地,所述運算放大器IC2A的輸出端為電流反饋點;
所述電壓反饋點通過反接二極管D9連接于所述光電耦合器的發光源IC3A的低電位端,所述電流反饋點通過反接二極管D10連接于所述光電耦合器的發光源IC3A的低電位端,所述光電耦合器的發光源IC3A的高電位端連接所述電源V+,所述光電耦合器的發光源IC3A的高電位端通過電阻R40連接所述電源V+,且所述電源V+與所述光電耦合器的發光源IC3A低電位端通過電阻R39連接。
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