[發(fā)明專利]半導(dǎo)體器件及其形成方法

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• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202010084870.7
• 申請(qǐng)日: 2020-02-10
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN111740717A
• 公開(kāi)（公告）日: 2020-10-02
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 穆苑龍;項(xiàng)少華;王沖;王大甲;魏有晨
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 中芯集成電路制造（紹興）有限公司
• 主分類號(hào): H03H9/02
• 分類號(hào): H03H9/02;H01L41/29;H01L41/047
• 代理公司: 上海思微知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 31237
• 代理人: 曹廷廷

1.一種半導(dǎo)體器件的形成方法，其特征在于，包括：

提供一襯底，并在所述襯底上依次形成電極材料層和掩模材料層；

在所述掩模材料層上形成圖形化的光阻層，其中覆蓋有所述光阻層的區(qū)域構(gòu)成第一區(qū)域，以及未覆蓋有所述光阻層的區(qū)域構(gòu)成第二區(qū)域；

以所述圖形化的光阻層為掩?？涛g所述掩模材料層位于所述第二區(qū)域中的部分，以使位于所述第二區(qū)域中的掩模材料層的頂表面位置降低至預(yù)定高度位置，所述預(yù)定高度位置高于所述掩模材料層的底表面位置；

去除所述光阻層，以暴露出所述掩模材料層位于所述第一區(qū)域中的部分；以及，

回刻蝕所述掩模材料層，直至從所述第二區(qū)域中暴露出所述電極材料層，并使所述第一區(qū)域中仍剩余有掩模材料層，剩余的掩模材料層構(gòu)成圖形化的掩模層；以及，

以所述圖形化的掩模層為掩模至少部分去除所述第二區(qū)域中的電極材料層，并利用剩余的電極材料層構(gòu)成電極層。

2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件的形成方法，其特征在于，至少部分去除所述第二區(qū)域中的電極材料層的方法包括：

執(zhí)行裁剪工藝，所述裁剪工藝包括利用轟擊氣體轟擊所述第二區(qū)域中的電極材料層。

3.如權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體器件的形成方法，其特征在于，所述裁剪工藝中的所述轟擊氣體包括惰性氣體。

4.如權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體器件的形成方法，其特征在于，所述惰性氣體包括氮?dú)夂蜌鍤庵械闹辽僖环N。

5.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件的形成方法，其特征在于，在形成所述電極層之后，還包括：去除所述掩模層。

6.如權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體器件的形成方法，其特征在于，去除所述掩模層的方法包括利用刻蝕工藝刻蝕所述掩模層，以及在刻蝕所述掩模層的過(guò)程中，所述刻蝕工藝中的刻蝕劑消耗所述電極材料層的厚度小于等于

7.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件的形成方法，其特征在于，至少部分去除所述第二區(qū)域中的電極材料層之前，所述電極材料層的厚度小于等于

8.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件的形成方法，其特征在于，所述襯底上還依次形成有下電極和電極間夾層，以及所述電極材料層形成在所述電極間夾層上。

9.如權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體器件的形成方法，其特征在于，所述半導(dǎo)體器件包括體聲波諧振器。

10.一種利用如權(quán)利要求1-10任一項(xiàng)所述的形成方法制備的半導(dǎo)體器件，包括：襯底以及形成在所述襯底上的電極層。