[發(fā)明專利]有源矩陣基板及具備該有源矩陣基板的光電轉(zhuǎn)換拍攝面板

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202010084595.9
• 申請日: 2020-02-10
• 公開（公告）號: CN111564460A
• 公開（公告）日: 2020-08-21
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 森脅弘幸
• 申請（專利權(quán)）人: 夏普株式會社
• 主分類號: H01L27/146
• 分類號: H01L27/146
• 代理公司: 深圳市賽恩倍吉知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 44334
• 代理人: 王娟

1.一種有源矩陣基板，其特征在于，具備：

柵極線；

數(shù)據(jù)線，其與所述柵極線交叉；

光電轉(zhuǎn)換元件，其設(shè)置于由所述柵極線與所述數(shù)據(jù)線限定的像素，并與所述數(shù)據(jù)線電連接；

偏置布線，其與所述光電轉(zhuǎn)換元件連接，并向所述光電轉(zhuǎn)換元件供給偏壓；

第一保護電路，其與所述數(shù)據(jù)線連接；

第二保護電路，其與所述柵極線連接；以及

第三保護電路，其與所述偏置布線連接，

所述第一保護電路、所述第二保護電路、以及所述第三保護電路分別包含至少一個非線形元件，

所述第一保護電路中的非線形元件與所述第二保護電路和所述第三保護電路中的至少一方的非線形元件相比為高電阻。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有源矩陣基板，其特征在于，

所述至少一個非線形元件由薄膜晶體管構(gòu)成，

所述第一保護電路中的所述薄膜晶體管的溝道長與所述第二保護電路和所述第三保護電路中的至少一方的所述薄膜晶體管的溝道長相比較長。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有源矩陣基板，其特征在于，

所述至少一個非線形元件由薄膜晶體管構(gòu)成，

所述第一保護電路中的所述薄膜晶體管的溝道寬與所述第二保護電路和所述第三保護電路中的至少一方的所述薄膜晶體管的溝道寬相比較短。

4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的有源矩陣基板，其特征在于，

所述第一保護電路中的所述薄膜晶體管使用氧化物半導(dǎo)體來構(gòu)成。

5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的有源矩陣基板，其特征在于，

所述第一保護電路中的所述薄膜晶體管具有由多晶低溫多晶硅構(gòu)成的半導(dǎo)體層。

6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的有源矩陣基板，其特征在于，

所述第一保護電路具備：第一薄膜晶體管，其具有第一導(dǎo)電型的半導(dǎo)體層；以及第二薄膜晶體管，其具有與所述第一導(dǎo)電型相反的第二導(dǎo)電型的半導(dǎo)體層。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有源矩陣基板，其特征在于，

所述光電轉(zhuǎn)換元件與所述第一保護電路中的非線形元件分別使用光電二極管來構(gòu)成。

8.根據(jù)權(quán)利要求2所述的有源矩陣基板，其特征在于，

還具備：共用布線，其供給比所述數(shù)據(jù)線的電位低的規(guī)定的基準電壓，

所述第一保護電路具備與所述共用布線連接的一個薄膜晶體管，在所述第一保護電路的薄膜晶體管中，柵極和漏極與所述共用布線連接，源極與所述數(shù)據(jù)線連接，

所述第二保護電路與所述共用布線連接并具備并聯(lián)連接的一對薄膜晶體管，在所述一對薄膜晶體管中的、一方的薄膜晶體管中，柵極和源極與所述柵極線連接，漏極與所述共用布線連接，在另一方的薄膜晶體管中，柵極和漏極與所述共用布線連接，源極與所述柵極線連接。

9.根據(jù)權(quán)利要求2所述的有源矩陣基板，其特征在于，

還具備：共用布線，所述共用布線供給比所述數(shù)據(jù)線的電位低的規(guī)定的基準電壓，

所述第一保護電路、所述第二保護電路、以及所述第三保護電路分別與所述共用布線連接，并具備相互并聯(lián)連接的一對薄膜晶體管，

在所述第一保護電路中的所述一對薄膜晶體管中的一方的薄膜晶體管中，柵極和源極與所述數(shù)據(jù)線連接，漏極與所述共用布線連接，在另一方的薄膜晶體管中，柵極和漏極與所述共用布線連接，源極與所述數(shù)據(jù)線連接，

在所述第二保護電路中的所述一對薄膜晶體管中的一方的薄膜晶體管中，柵極和源極與所述柵極線連接，漏極與所述共用布線連接，在另一方的薄膜晶體管中，柵極和漏極與所述共用布線連接，源極與所述柵極線連接，

在所述第三保護電路中的所述一對薄膜晶體管中的一方的薄膜晶體管中，柵極和源極與偏置布線連接，漏極與所述共用布線連接，在另一方的薄膜晶體管中，柵極和漏極與所述共用布線連接，源極與所述偏置布線連接。