[發明專利]封裝結構及其形成方法

有效

• 申請號: 202010084354.4
• 申請日: 2020-02-10
• 公開（公告）號: CN111755344B
• 公開（公告）日: 2023-10-24
• 發明（設計）人: 蔡柏豪;林孟良;莊博堯;翁得期;鄭心圃
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L21/56
• 分類號: H01L21/56;H01L21/60;H01L23/485;H01L23/488;H01L23/31;H01L25/18;H10B80/00
• 代理公司: 隆天知識產權代理有限公司 72003
• 代理人: 謝強;黃艷

本公開一些實施例提供一種封裝結構及一種形成封裝結構的方法。所述方法包括在承載基板之上形成重分布結構以及將半導體晶粒放置在重分布結構之上。所述方法還包括將中介層基板堆疊在重分布結構之上。中介層基板延伸跨越半導體晶粒的邊緣。所述方法還包括將一或多個裝置元件放置在中介層基板之上。此外，所述方法還包括形成包圍半導體晶粒的保護層。

技術領域

本公開一些實施例涉及半導體晶粒封裝技術，特別涉及半導體晶粒封裝結構及其形成方法。

背景技術

半導體集成電路(integrated circuit，IC)產業已經歷了快速的成長。由于半導體制造工藝技術的不斷進步，產生了具有更精細特征及/或更高整合度的半導體裝置。功能密度(即，每一芯片區域內互連元件的數目)通常增加，而特征尺寸(即，可以使用制造工藝產出的最小構件)則縮小。這種尺寸縮小的工藝通常通過生產效率增加及制造成本降低而提供好處。

芯片封裝不僅為半導體裝置提供保護以免受環境污染，也為封裝在其中的半導體裝置提供連接接口。已經開發出利用更少的面積或更低的高度的更小的封裝結構來封裝半導體裝置。

已經開發了新的封裝技術以進一步提高半導體晶粒(dies)的密度和功能。這些相對較新的半導體晶粒封裝技術目前面對許多制造挑戰。

發明內容

本公開的一些實施例提供一種形成封裝結構的方法，包括在承載基板之上形成重分布結構以及將半導體晶粒放置在重分布結構之上。所述形成封裝結構的方法還包括將中介層基板堆疊在重分布結構之上。中介層基板延伸跨越半導體晶粒的邊緣。所述形成封裝結構的方法還包括將至少一裝置元件放置在中介層基板之上。此外，所述形成封裝結構的方法還包括形成包圍半導體晶粒的保護層。

本公開的一些實施例提供一種形成封裝結構的方法，包括將第一半導體晶粒堆疊在重分布結構之上。所述形成封裝結構的方法還包括將中介層基板接合到重分布結構之上。中介層基板比第一半導體晶粒寬。所述形成封裝結構的方法還包括將第二半導體晶粒堆疊在中介層基板之上。此外，所述形成封裝結構的方法還包括形成包圍第一半導體晶粒的保護層。

本公開的一些實施例提供一種封裝結構，包括重分布結構、中介層基板、半導體晶粒以及保護層。中介層基板位于重分布結構之上，且中介層基板比重分布結構包含更多的填料。半導體晶粒位于重分布結構與中介層基板之間。保護層包圍半導體晶粒，且保護層的一部分位于半導體晶粒與中介層基板之間。

附圖說明

當閱讀說明書附圖時，從以下的詳細描述能最佳理解本公開的各方面。應注意的是，各種特征并不一定按照比例繪制。事實上，可能任意地放大或縮小各種特征的尺寸，以做清楚的說明。

圖1A至圖1G是根據本公開一些實施例的形成一封裝結構的工藝的各個階段的剖視圖。

圖2是根據本公開一些實施例的一封裝結構的剖視圖。

圖3A至圖3H是根據本公開一些實施例的形成一封裝結構的工藝的各個階段的剖視圖。

圖4A至圖4F是根據本公開一些實施例的形成一封裝結構的工藝的各個階段的剖視圖。

圖5A至圖5F是根據本公開一些實施例的形成一封裝結構的工藝的各個階段的剖視圖。

圖6A至圖6D是根據本公開一些實施例的形成一封裝結構的工藝的各個階段的剖視圖。

圖7A至圖7G是根據本公開一些實施例的形成一封裝結構的工藝的各個階段的剖視圖。

圖8A至圖8G是根據本公開一些實施例的形成一封裝結構的工藝的各個階段的剖視圖。

圖9是根據本公開一些實施例的一封裝結構的剖視圖。

附圖標記說明：