[發明專利]具有擴散阻擋間隙件部分的場效應晶體管

在審

• 申請號: 202010084168.0
• 申請日: 2020-02-10
• 公開（公告）號: CN111668309A
• 公開（公告）日: 2020-09-15
• 發明（設計）人: 喬治·R·姆芬格;余鴻;谷曼;彭建偉;麥克·阿基利諾
• 申請（專利權）人: 格芯公司
• 主分類號: H01L29/78
• 分類號: H01L29/78
• 代理公司: 北京戈程知識產權代理有限公司 11314
• 代理人: 程偉;王錦陽

1.一種結構，包括：

主動區，由半導體材料組成；

柵極結構，位于該主動區上方；

第一側壁間隙件，與該柵極結構相鄰，該第一側壁間隙件由低k介電材料組成；以及

第二側壁間隙件，包括設置于該第一側壁間隙件與該主動區之間的部分。

2.如權利要求1所述的結構，其中，該低k介電材料包含碳，且該第二側壁間隙件的該部分由氮化硅組成。

3.如權利要求1所述的結構，其中，該低k介電材料為碳摻雜氧化硅，且該第二側壁間隙件的該部分由氮化硅組成。

4.如權利要求1所述的結構，其中，該第二側壁間隙件的該部分由具有第一介電常數的介電材料組成，且該低k介電材料具有小于該第一介電常數的第二介電常數。

5.如權利要求1所述的結構，其中，該第一側壁間隙件具有與該柵極結構直接接觸的內邊緣，以及外邊緣，且該第二側壁間隙件的該部分自該內邊緣延伸至該外邊緣。

6.如權利要求5所述的結構，其中，該第二側壁間隙件的該部分具有均勻的厚度。

7.如權利要求5所述的結構，其中，該第二側壁間隙件的該部分與位于該第一側壁間隙件的該內邊緣下方的該柵極結構直接接觸。

8.如權利要求5所述的結構，其中，該第二側壁間隙件的該部分終止于該第一側壁間隙件的該外邊緣。

9.如權利要求1所述的結構，還包括：

源/漏區，與該主動區關聯，

其中，該第二側壁間隙件的該部分設置于該第一側壁間隙件與該源/漏區之間。

10.如權利要求1所述的結構，其中，該主動區包括半導體鰭件，且該柵極結構與該半導體鰭件具有疊置關系。

11.如權利要求1所述的結構，其中，該主動區包括塊體半導體襯底的部分或絕緣體上半導體晶圓的裝置層的部分。

12.一種方法，包括：

在由半導體材料構成的主動區上方形成第一柵極結構；

形成鄰近該第一柵極結構的第一側壁間隙件；以及

形成設置于該第一側壁間隙件與該主動區之間的第二側壁間隙件的第一部分，

其中，該第一側壁間隙件由低k介電材料組成。

13.如權利要求12所述的方法，其中，形成設置于該第一側壁間隙件與該主動區之間的該第二側壁間隙件的該第一部分包括：

在該主動區上及該第一柵極結構的側壁上沉積共形層。

14.如權利要求13所述的方法，還包括：

自該第一柵極結構的該側壁移除該共形層。

15.如權利要求13所述的方法，還包括：

蝕刻該共形層，以在該第一柵極結構的該側壁上形成該第二側壁間隙件的該第一部分及第二部分；

移除該第一柵極結構，以定義暴露該第二側壁間隙件的該第二部分的開口；

在移除該第一柵極結構以后，通過蝕刻制程移除該第二側壁間隙件的該第二部分；以及

在該開口中形成第二柵極結構。

16.如權利要求12所述的方法，其中，形成鄰近該第一柵極結構的該第一側壁間隙件包括：

在該第一柵極結構及該主動區上方沉積第一共形層；

在該第一共形層上方沉積由該低k介電材料組成的第二共形層；以及

蝕刻該第二共形層，以形成該第一側壁間隙件。