[發(fā)明專利]混合內(nèi)存模塊以及操作混合內(nèi)存模塊的系統(tǒng)和方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202010083536.X
• 申請日: 2014-11-07
• 公開（公告）號: CN111208951A
• 公開（公告）日: 2020-05-29
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 炫·李;杰斯·R·巴克達(dá);池社·陳;杰弗里·C·所羅門;馬里奧·杰西·馬丁內(nèi)斯;浩·樂;淑·J·蔡
• 申請（專利權(quán)）人: 奈特力斯股份有限公司
• 主分類號: G06F3/06
• 分類號: G06F3/06;G06F11/10;G06F12/02;G06F12/06;G06F12/08;G06F12/0868;G06F12/0871;G06F12/0897;G06F13/10;G06F13/28;G11C7/10
• 代理公司: 上海晨皓知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 31260
• 代理人: 成麗杰

一種內(nèi)存模塊包括：易失性內(nèi)存子系統(tǒng)，用于耦合到計算機(jī)系統(tǒng)中的內(nèi)存通道且能夠充當(dāng)計算機(jī)系統(tǒng)的主內(nèi)存；非易失性內(nèi)存子系統(tǒng)，其為計算機(jī)系統(tǒng)提供存儲裝置；和模塊控制器，其耦合到易失性內(nèi)存子系統(tǒng)、非易失性內(nèi)存子系統(tǒng)和C/A總線。模塊控制器用于控制在易失性內(nèi)存子系統(tǒng)和非易失性內(nèi)存子系統(tǒng)之間的模塊內(nèi)數(shù)據(jù)傳送。該模塊控制器進(jìn)一步用于監(jiān)視C/A總線上的C/A信號，且根據(jù)C/A信號調(diào)度模塊內(nèi)數(shù)據(jù)傳送，使得模塊內(nèi)數(shù)據(jù)傳送不與內(nèi)存控制器對易失性內(nèi)存子系統(tǒng)的存取沖突。

相關(guān)申請案的交叉引用

本申請案主張以下各申請案的優(yōu)先權(quán)：2013年11月7日提交的名稱為“對非易失性內(nèi)存的動態(tài)隨機(jī)存取(Dynamic Random Access to Non-Volatile Memory)”的第61/901,439號美國臨時專利申請案，2014年1月21日提交的名稱為“內(nèi)存通道存儲(Memory ChannelStorage)”的第61929942號美國臨時專利申請案，2014年8月22日提交的名稱為“用于傳送存儲內(nèi)容的設(shè)備和方法(Apparatus and Methods for Transferring Storage Content)”的第62/041,024號美國臨時專利申請案，2014年9月26日提交的名稱為“內(nèi)存通道存儲(Memory Channel Storage)”的第62/056,469號美國臨時專利申請案，以及2014年10月22日提交的名稱為“用于隨機(jī)存取的混合移動內(nèi)存(Hybrid Mobile Memory for RandomAccess)”的第62/067,411號美國臨時專利申請案，所述申請案中的每一個以全文引用的方式并入本文中。本申請案與2011年7月28日提交的名稱為“高密度DIMM(High DensityDIMMs)”的第61/512,871號美國臨時專利申請案以及2012年7月26日提交的名稱為“閃存DRAM混合內(nèi)存模塊(Flash DRAM Hybrid Memory Module)”的第13/559,476號美國專利申請案有關(guān)，所述申請案中的每一個以全文引用的方式并入本文中。本申請還要求于2014年5月7日提交的、名稱為“高密度混合存儲系統(tǒng)”的第61/989,941號美國臨時專利申請的優(yōu)先權(quán)。

技術(shù)領(lǐng)域

本專利申請大體上涉及內(nèi)存模塊，并且更具體來說，涉及具有易失性子系統(tǒng)和非易失性子系統(tǒng)兩者的混合內(nèi)存模塊，以及操作混合內(nèi)存模塊的系統(tǒng)和方法。

背景技術(shù)

計算機(jī)系統(tǒng)很大程度上依賴于其系統(tǒng)或主內(nèi)存的容量和吞吐量以及在最優(yōu)性能下對所述計算機(jī)系統(tǒng)進(jìn)行存取的速度，例如網(wǎng)絡(luò)服務(wù)器、個人計算機(jī)、PDA、移動電話、視頻游戲、科學(xué)儀器儀表、工業(yè)機(jī)器人、醫(yī)療電子器件等等。當(dāng)前，動態(tài)隨機(jī)存取內(nèi)存(DRAM)常用作系統(tǒng)內(nèi)存。DRAM是一種將數(shù)據(jù)的每個位存儲在集成電路中的單獨(dú)電容器中的隨機(jī)存取內(nèi)存。該電容器可以充電或放電，以至于可采用常規(guī)稱為0和1的這兩個狀態(tài)來表示一位的兩個值。因為電容器漏電，所以除非周期性地刷新電容器電荷，否則信息最終會逐漸消失。因為此刷新的需求，所以DRAM是一種與SRAM和其它靜態(tài)內(nèi)存相反的動態(tài)內(nèi)存。

DRAM的結(jié)構(gòu)簡單性允許DRAM芯片達(dá)到非常高的密度，因為數(shù)十億個晶體管和電容器對可以裝配在單一內(nèi)存芯片上。另一方面，DRAM是易失性內(nèi)存，也即當(dāng)去除電力時，其將快速丟失其數(shù)據(jù)。閃存內(nèi)存是一種可以被電擦除且重新編程的電子非易失性計算機(jī)存儲媒體。與閃存內(nèi)存相比，DRAM還貴得多。例如，高密度DRAM的費(fèi)用可超過高性能閃存裝置的10倍。此外，因閃存芯片可具有比DRAM芯片高得多的密度，所以允許設(shè)定成相同大小的內(nèi)存模塊以更多的封裝，從而達(dá)到大得多的內(nèi)存容量。