[發(fā)明專利]一種電磁波吸收器結(jié)構(gòu)

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• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202010083203.7
• 申請(qǐng)日: 2020-02-08
• 公開（公告）號(hào): CN111129786A
• 公開（公告）日: 2020-05-08
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 劉錦霖;張彬超;陳國(guó)勝;程文婷
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 盛緯倫（深圳）通信技術(shù)有限公司
• 主分類號(hào): H01Q17/00
• 分類號(hào): H01Q17/00
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

本發(fā)明提供一種電磁波吸收器結(jié)構(gòu)，包括底層金屬板單元、上層介質(zhì)基底單元及設(shè)置在底層金屬板單元與上層介質(zhì)基底單元之間的泡沫層，上層介質(zhì)基底單元的上表面和下表面均為金屬單元，上層介質(zhì)基底單元的上表面和下表面均分別設(shè)置有第一金屬條和第二金屬條。本發(fā)明的電磁波吸收器結(jié)構(gòu)能實(shí)現(xiàn)寬帶吸波、大角度吸波以及極化不敏感的特性，同時(shí)保證結(jié)構(gòu)本身的小型化，可用于微波探測(cè)、天線隱身等方面。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明屬于電磁波吸收器技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種低剖面超寬帶電磁波吸收器結(jié)構(gòu)。

背景技術(shù)

在通信領(lǐng)域，電磁波吸收器因其優(yōu)良的濾波特性而被廣泛應(yīng)用，例如改善集成電路的電磁兼容性，消除復(fù)雜環(huán)境中的電磁干擾，以及在無芯片射頻識(shí)別技術(shù)中的應(yīng)用。目前，大多數(shù)電磁波吸收器的應(yīng)用場(chǎng)景要求大帶寬和低剖面，以及至少10dB的雷達(dá)截面積（Radar Cross Section，RCS）縮減，這種要求就限制了傳統(tǒng)電磁波吸收器的廣泛使用，例如Salisbury結(jié)構(gòu)以及多層Jaumann結(jié)構(gòu)。

電路模擬吸收體是一種有效的降低RCS的方法，其通過諧振電路匹配介質(zhì)板的阻抗特性，能在較寬的頻帶內(nèi)實(shí)現(xiàn)RCS降低，但這往往會(huì)帶來較大的體積。

另外，也有人利用3D結(jié)構(gòu)來實(shí)現(xiàn)帶寬的展寬和厚度的降低，但其加工的復(fù)雜性以及單極化的特性仍未得到很好的解決。

2000年8月發(fā)表在IEEE的第48期論文中，網(wǎng)址：https://ieeexplore.ieee.org/document/884491，俄羅斯科學(xué)院的Rozanov教授提出，對(duì)于非磁性的電磁波吸收器，在給定的吸收性能下，存在一個(gè)理論上的物理極限，而如何向這個(gè)物理極限逼近，仍是一個(gè)巨大的挑戰(zhàn)。

因此，有必要開發(fā)一種新的電磁波吸收器結(jié)構(gòu)，可以實(shí)現(xiàn)寬帶吸波、大角度吸波以及極化不敏感的特性，同時(shí)保證電磁波吸收器結(jié)構(gòu)本身的小型化。

發(fā)明內(nèi)容

為了解決上述問題，本發(fā)明提供了一種低剖面超寬帶的電磁波吸收器，能在較寬的工作頻帶內(nèi)實(shí)現(xiàn)降低RCS，同時(shí)保證電磁波吸收器較小的厚度，從而促進(jìn)其在國(guó)防和商業(yè)系統(tǒng)中的廣泛應(yīng)用。

實(shí)現(xiàn)本發(fā)明的技術(shù)方案如下：

一種電磁波吸收器結(jié)構(gòu)，包括底層金屬板單元、上層介質(zhì)基底單元及設(shè)置在底層金屬板單元與上層介質(zhì)基底單元之間的泡沫層，上層介質(zhì)基底單元的上表面和下表面均為金屬單元，上層介質(zhì)基底單元的上表面和下表面均分別設(shè)置有第一金屬條和第二金屬條；

進(jìn)一步的，所述的上層介質(zhì)基底單元的上表面的第一金屬條和第二金屬條與下表面的第一金屬條和第二金屬條分別設(shè)置偶數(shù)個(gè)貼片電阻，貼片電阻分別以第一金屬條和第二金屬條的中心對(duì)稱。

進(jìn)一步的，所述的底層金屬板單元和上層介質(zhì)基底單元均為矩形。

進(jìn)一步的，所述的第一金屬條沿上層介質(zhì)基底單元的上表面的對(duì)角線設(shè)置，第二金屬條平行設(shè)置在第一金屬條的側(cè)面。

進(jìn)一步的，所述的第二金屬條為兩個(gè)，且分別平行設(shè)置在第一金屬條的兩側(cè)。

進(jìn)一步的，所述的上層介質(zhì)基底單元的下表面金屬單元由上層介質(zhì)基底單元的上表面金屬單元水平旋轉(zhuǎn)90°得到。

進(jìn)一步的，所述的上層介質(zhì)基底單元采用介電常數(shù)為4.4且損耗正切值為0.02的FR4環(huán)氧玻璃布層壓板材料制成。

進(jìn)一步的，所述的上層介質(zhì)基底單元的下方還設(shè)置有金屬板，該金屬板與上層介質(zhì)基底單元的下表面之間的間距為8mm。

進(jìn)一步的，所述的金屬單元和金屬板采用導(dǎo)電性金屬材料制成。

進(jìn)一步的，所述的第一金屬條和第二金屬條的寬度均為mm，第一金屬條的長(zhǎng)度為mm，第二金屬條的長(zhǎng)度為mm，第一金屬條與第二金屬條之間的垂直距離為mm。