[發明專利]遠程氮等離子體摻雜過渡金屬硫族化合物的方法在審
| 申請號： | 202010083046.X | 申請日： | 2020-02-07 |
| 公開（公告）號： | CN111312579A | 公開（公告）日： | 2020-06-19 |
| 發明（設計）人： | 孫正宗;軒寧寧;包文中 | 申請（專利權）人： | 復旦大學 |
| 主分類號： | H01L21/02 | 分類號： | H01L21/02;C23C8/36;C23C8/02 |
| 代理公司： | 上海正旦專利代理有限公司 31200 | 代理人： | 陸飛;陸尤 |
| 地址： | 200433 *** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 遠程 等離子體 摻雜 過渡 金屬 化合物 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種遠程氮等離子體摻雜過渡金屬硫族化合物的方法，其特征在于，具體步驟為：
（1）采用機械剝離或者化學氣相沉積法制備單層或少層的過渡金屬硫族化合物；
（2）將過渡金屬硫族化合物樣品放入遠程氮等離子體裝置，樣品位置距等離子體產生輝光的尾部為0~60 cm；體系采用高真空系統，壓力為10-3 Pa，通入氮氣，在功率為1~1000W的條件下處理1~1200 s，即制備得不同氮摻雜濃度的過渡金屬硫族化合物。
2. 根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述過渡金屬硫族化合物為MX2，其中，M為Ti、 Zr、Hf、V、Nb、Ta、Mo、W、Re或Pt；X為S、Se或Te。
3. 根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述通入的氮氣流速為1~5 sccm。
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H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
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