[發明專利]OLED顯示面板及屏下光學指紋識別方法在審
| 申請號: | 202010082959.X | 申請日: | 2020-02-07 |
| 公開(公告)號: | CN111276517A | 公開(公告)日: | 2020-06-12 |
| 發明(設計)人: | 劉杰 | 申請(專利權)人: | 武漢華星光電半導體顯示技術有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;G06K9/00 |
| 代理公司: | 深圳紫藤知識產權代理有限公司 44570 | 代理人: | 呂姝娟 |
| 地址: | 430079 湖北省武漢市東湖新技術*** | 國省代碼: | 湖北;42 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | oled 顯示 面板 光學 指紋識別 方法 | ||
一種OLED顯示面板及屏下光學指紋的識別方法,所述OLED顯示面板包括:多個半導體器件層,半導體器件對應有機電致發光器件進行設置,用以驅動有機電致發光器件,使有機電致發光器件層進行發光;每個半導體器件層中包含多個膜層;多個有機電致發光器件,分布于OLED功能層中,每個有機電致發光器件包括陽極層、陰極層以及設置陽極層和陰極層之間的有機發光單元,其中,所述陰極層僅覆蓋所述有機發光單元背離所述陽極層一側的區域;有益效果為:首先,通過將金屬層的材質替換為透明的金屬氧化物—氧化銦錫,增大了OLED顯示面板的透光率,從而提高了指紋識別的準確度。
技術領域
本申請涉及顯示領域,特別是涉及一種OLED顯示面板及屏下光學指紋識別方法。
背景技術
OLED(Orgnic Light-Emitting Diode,有機發光二極管)顯示面板由于其廣視角、高柔韌性等特點被廣泛應用于各種電子設備中。而現有的全面屏OLED顯示面板的屏占比和指紋占比也越來越高,現在一般的指紋識別有兩種:電容式指紋識別和光學式指紋識別;電容式指紋識別技術利用手指的嵴和峪與感應電極之間所形成的電容值的大小來探測手指嵴和峪的位置從而形成指紋圖像信息。但是電容式指紋技術需要在屏幕的指紋觸摸處設置觸覺開關、電容元件和指紋識別傳感器等設備,一方面提高了制程時間,另一方面提高了設計成本,且該技術的指紋識別無法設置于顯示區,所以目前基本被淘汰。而光學指紋技術則是采用終OLED顯示屏幕作為發光源,通過照射到手指的指紋,返回的光線再返回到屏幕下方的圖像傳感器(Sensor),終端設備針對返回的圖像與數據庫進行分析對比,最終識別指紋,但金屬層均采用鉬/鋁/鈦等金屬材料制作,透光性較差;且陰極層一般還是采用共用金屬掩膜板在薄膜晶體管基板上進行鍍膜,使得非發光區域的透光率很低。
但現有的光學指紋識別普遍存在透光率低,指紋識別的準確度不高的問題。
因此,現有的OLED顯示面板技術中,還存在著光學式指紋識別的OLED顯示面板的透光率較低,指紋識別的準確度不高的問題,急需改進。
發明內容
本申請涉及一種OLED顯示面板及屏下光學指紋識別方法,用于解決現有技術中存在著的光學式指紋識別的OLED顯示面板的透光率較低,指紋識別的準確度不高的問題。
為解決上述問題,本申請提供的技術方案如下:
本申請提供的一種OLED顯示面板,包括:多個半導體器件層,所述半導體器件對應有機電致發光器件進行設置,用以驅動有機電致發光器件,使有機電致發光器件層進行發光;每個半導體器件層中包含多個膜層;
OLED功能層,包括多個有機電致發光器件,分布于OLED功能層中,每個有機電致發光器件包括陽極層、陰極層以及設置陽極層和陰極層之間的有機發光單元,其中,所述陰極層僅覆蓋所述有機發光單元背離所述陽極層一側的區域。
根據本申請提供的一實施例,半導體器件層包括:依次層疊設置的襯底基板、有源層、第一絕緣層、第一金屬層、第二絕緣層、第二金屬層、第三絕緣層。
根據本申請提供的一實施例,所述第一金屬層和所述第二金屬層的材料均采用透明的氧化銦錫。
根據本申請提供的一實施例,第一絕緣層、第二絕緣層和第三絕緣層的材料相同。
根據本申請提供的一實施例,有源層采用非晶硅、多晶硅或是銦鎵鋅氧化物材料;第一絕緣層采用氧化硅、氮化硅或是氮氧化硅材料;陽極層采用氧化銦錫或是氧化銦錫/銀/氧化銦錫材料。
根據本申請提供的一實施例,所述OLED功能層還設置有像素界定層;所述像素界定層與陰極層背離襯底基板一側還依次層疊設置有薄膜封裝層、觸控電極層以及蓋板層。
根據本申請提供的一實施例,薄膜封裝層分為:第一無機封裝層、有機封裝層和第二無機封裝層。
根據本申請提供的一實施例,蓋板層為“U”字形。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





