[發明專利]用于減輕針對存儲器裝置的選擇失敗的技術

在審

• 申請號: 202010082505.2
• 申請日: 2020-02-07
• 公開（公告）號: CN111667867A
• 公開（公告）日: 2020-09-15
• 發明（設計）人: K.班納吉
• 申請（專利權）人: 英特爾公司
• 主分類號: G11C16/08
• 分類號: G11C16/08;G11C16/34
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司 72001
• 代理人: 李嘯;閆小龍

示例可包括減輕某個時間段上的電壓閾值漂移的技術，該電壓閾值漂移對于選擇存儲器裝置的存儲器單元而言可導致選擇失敗。跳回事件檢測用于確定是否使用一個或多個選擇偏置電壓已經為至少第一刷新寫入操作選擇了選擇的存儲器單元?？梢曰谠摯_定來實現隨后的刷新寫入操作。

技術領域

本文描述的示例一般涉及用于減輕由于閾值電壓漂移而導致的包括在存儲器裝置中的存儲器單元的選擇失敗的技術。

背景技術

諸如非易失性存儲器之類的各種類型的存儲器可能具有由具有單獨閾值電壓的非易失性存儲器單元的趨勢所促使的可靠性問題，所述單獨閾值電壓在下文中被稱為隨時間的“Vt漂移”。使用較高Vt編程到各個狀態的存儲器單元（諸如編程到“重置”狀態（例如，存儲“0”的值）的存儲器單元）可隨時間漂移，使得寫入選擇失敗的風險針對每個時間單位增加，直到對這些存儲器單元進行新寫入或刷新寫入為止。換句話說，如果在一個或多個時間單位（例如，48小時）到期之前沒有實現新寫入或刷新寫入，則在一個或多個時間單位之后的后漂移（post-drift）Vt可導致高于最大寫入選擇偏置電壓的Vt。高于最大寫入選擇偏置電壓的Vt可促使存儲器單元變得不可編程或不能夠可靠地存儲數據。

附圖說明

圖1示出了示例系統。

圖2示出了示例陣列部分。

圖3示出了示例分布。

圖4示出了示例曲線圖。

圖5示出了存儲單元電壓偏置的示例對比。

圖6示出了示例第一方案。

圖7示出了示例第二方案。

圖8示出了設備的示例框圖。

圖9示出了邏輯流程的示例。

圖10示出了存儲介質的示例。

圖11示出了示例計算平臺。

具體實施方式

如本公開中所設想的，在一個或多個時間單位上的Vt漂移可導致非易失性存儲器單元的寫入選擇失敗。尤其是對于被編程到重置狀態的非易失性存儲器單元而言也是如此?？砂ㄖT如相變存儲器（PCM）之類的電阻性類型的存儲器單元的一種類型的非易失性存儲器架構可易受此類型的Vt漂移影響。在一些示例中，PCM可包括由硫族化物相變材料（例如，硫族化物玻璃）組成的存儲器單元。基于硫族化物的存儲器單元可表征為電阻性類型的存儲器單元，其面臨由于隨時間的Vt漂移而導致的可能的可靠性問題。例如，如果在給定的時間量內沒有實現新寫入或刷新寫入，則基于硫族化物的存儲器單元的閾值電壓可以在一個或多個時間單位上繼續增加。最后，基于硫族化物的存儲單元的閾值電壓可能漂移超過最大選擇偏置電壓。用于減輕該Vt漂移的技術是以固定間隔實現基于硫族化物的存儲器單元的單個刷新寫入，該單個刷新寫入重置Vt漂移，使得基于硫族化物的存儲器單元的Vt可以被移位到小于最大寫入選擇偏置電壓。

用于基于固定間隔上的單個刷新寫入的減輕Vt漂移的技術可具有兩個缺點。第一個缺點是沒有驗證單個刷新寫入曾成功地重置Vt漂移，使得基于硫族化物的存儲器單元的Vt小于最大選擇偏置電壓。例如，如果后漂移Vt已經高于最大選擇偏置，則目標為刷新寫入的存儲器單元可能不被選擇用于刷新寫入，并且因此Vt漂移將不會被成功地重置。這可能導致包括存儲器單元的存儲器裝置的不可接受的高誤比特率。第二個缺點是Vt漂移與材料、制造工藝或用于電阻性類型的存儲器單元（諸如基于硫族化物的存儲器單元）的編程算法有強烈的相關性。因此，固定間隔可能不會考慮材料、制造工藝或編程算法中的可能的可變性?？赡艿目勺冃钥赡艽偈够驅е骂~外的選擇失敗。本文描述的示例可解決上文提及的缺點以及與Vt漂移相關聯的其它挑戰。