[發明專利]基板處理裝置和基板處理方法

在審

• 申請號: 202010081888.1
• 申請日: 2020-02-06
• 公開（公告）號: CN111540694A
• 公開（公告）日: 2020-08-14
• 發明（設計）人: 五師源太郎
• 申請（專利權）人: 東京毅力科創株式會社
• 主分類號: H01L21/67
• 分類號: H01L21/67;H01L21/02
• 代理公司: 北京林達劉知識產權代理事務所(普通合伙) 11277
• 代理人: 劉新宇

本發明提供一種抑制在利用超臨界狀態的處理流體進行干燥時晶圓上的圖案倒塌的基板處理裝置和基板處理方法。所述基板處理裝置具備：超臨界流體制造裝置，其具有送出處理流體的泵；處理容器，其使用來自超臨界流體制造裝置的超臨界狀態的處理流體來對基板進行超臨界流體處理；以及控制部，其至少用于控制超臨界流體制造裝置。控制部在使用處理流體使處理容器內升壓時，基于進行升壓的目標時間、升壓所需的處理流體的量、以及處理流體的密度來決定向處理容器供給處理流體的第一供給速度。超臨界流體制造裝置基于第一供給速度來向處理容器供給處理流體。

技術領域

本公開涉及一種基板處理裝置和基板處理方法。

背景技術

在半導體晶圓(以下稱作晶圓)等基板的表面形成集成電路的層疊構造的半導體裝置的制造工序中，進行藥液清洗或濕蝕刻等液處理。在去除在這樣的液處理中附著于晶圓的表面的液體等時，近年來使用利用超臨界狀態的處理流體的干燥方法(例如參照專利文獻1)。

現有技術文獻

專利文獻

專利文獻1：日本特開2014-101241號公報

發明內容

發明要解決的問題

本公開提供一種能夠抑制在利用超臨界狀態的處理流體進行干燥時晶圓上的圖案倒塌的基板處理裝置和基板處理方法。

用于解決問題的方案

基于一個實施方式的基板處理裝置具備：超臨界流體制造裝置，其具有送出處理流體的泵；處理容器，其使用來自所述超臨界流體制造裝置的超臨界狀態的處理流體來對基板進行超臨界流體處理；以及控制部，其至少用于控制所述超臨界流體制造裝置，其中，所述控制部在使用所述處理流體使所述處理容器內升壓時，基于進行所述升壓的目標時間、所述升壓所需的所述處理流體的量以及所述處理流體的密度來決定向所述處理容器供給所述處理流體的第一供給速度，所述超臨界流體制造裝置基于所述第一供給速度來向所述處理容器供給所述處理流體。

發明的效果

根據本公開，能夠抑制在利用超臨界狀態的處理流體進行干燥時晶圓上的圖案倒塌。

附圖說明

圖1是表示基板處理系統的整體結構的橫剖截面圖。

圖2是表示超臨界處理裝置的處理容器的一例的外觀立體圖。

圖3是表示超臨界處理裝置的系統整體的結構例的圖。

圖4是表示超臨界處理裝置的泵的概要的截面圖。

圖5是說明IPA的干燥機制的圖。

圖6是表示干燥處理中的處理容器內的壓力的變動的曲線圖。

圖7是表示泵的性能表的曲線圖。

具體實施方式

下面，參照附圖來說明一個實施方式。此外，為了便于圖示和理解，在本說明書中所附的附圖中所示的結構可能包括相比于實物的尺寸和比例尺等變更了尺寸和比例尺等的部分。

[基板處理系統的結構]

圖1是表示基板處理系統1的整體結構的橫剖截面圖。