[發明專利]放大接口以及用于校正放大接口的對應測量系統和方法

在審

• 申請號: 202010081701.8
• 申請日: 2020-02-06
• 公開（公告）號: CN111555721A
• 公開（公告）日: 2020-08-18
• 發明（設計）人: C·M·伊波利托;M·韋亞納;A·雷克希亞
• 申請（專利權）人: 意法半導體股份有限公司
• 主分類號: H03F1/30
• 分類號: H03F1/30
• 代理公司: 北京市金杜律師事務所 11256
• 代理人: 王茂華

1.一種放大接口，包括：

第一FET，具有連接到第一節點的漏極端子以及連接到第三節點的源極端子；

第二FET，具有連接到第二節點的漏極端子以及連接到所述第三節點的源極端子；

第一偏置電流發生器，被配置為向所述第一節點施加第一偏置電流；

第二偏置電流發生器，被配置為向所述第二節點施加第二偏置電流；

第三FET，具有連接到所述第三節點的漏極端子以及連接到參考電壓的源極端子；

調節電路，被配置為驅動所述第三FET的柵極端子，以便將所述第一節點處的共模電壓和所述第二節點處的共模電壓調節到給定值；

至少一個電流發生器，被配置為向所述第一節點和所述第二節點中的一個節點施加校正電流；以及

差分電流積分器，包括連接到所述第二節點的第一輸入端子和連接到所述第一節點的第二輸入端子，其中所述差分電流積分器被配置為經由兩個輸出端子提供輸出電壓，所述輸出電壓指示第一輸出電流與第二輸出電流之差的積分，所述第一輸出電流從所述第二節點在所述差分電流積分器的所述第一輸入端子處被接收，所述第二輸出電流從所述第一節點在所述差分電流積分器的所述第二輸入端子處被接收。

2.根據權利要求1所述的放大接口，其中所述調節電路被配置為驅動所述第三FET的所述柵極端子，使得：

(V_O1P+V_O1N)/2＝V_CM1，

其中V_O1P與所述第一節點處的電壓相對應，V_O1N與所述第二節點處的電壓相對應，并且V_CM1與所述給定值相對應。

3.根據權利要求1所述的放大接口，其中所述差分電流積分器包括差分運算放大器，所述差分運算放大器包括：

第一電容器，連接在所述差分運算放大器的第一輸出端子與所述第一輸入端子之間；以及

第二電容器，連接在所述差分運算放大器的第二輸出端子與所述第二輸入端子之間。

4.根據權利要求3所述的放大接口，其中所述差分電流積分器還包括分別與所述第一電容器和所述第二電容器并聯連接的第一電子開關和第二電子開關，其中所述第一電子開關和所述第二電子開關經由復位信號而被驅動。

5.根據權利要求4所述的放大接口，還包括采樣保持電路，所述采樣保持電路被配置為：

當控制信號具有第一邏輯值時，存儲所述輸出電壓；以及

當所述控制信號具有與所述第一邏輯值不同的第二邏輯值時，維持所述輸出電壓。

6.根據權利要求5所述的放大接口，包括控制電路，所述控制電路被配置為：

生成所述復位信號，使得使所述差分電流積分器周期性地在復位間隔期間被復位、并且在測量間隔期間被激活；以及

在每個測量間隔期間，在采樣間隔內將所述控制信號設置為所述第一邏輯值，并且在保持間隔內將所述控制信號設置為所述第二邏輯值。

7.根據權利要求6所述的放大接口，還包括具有電容器和電阻器的RC振蕩器，所述電容器和所述電阻器限定所述RC振蕩器的振蕩周期，并且其中所述控制電路被配置為生成所述控制信號，使得所述采樣間隔與所述RC振蕩器的所述振蕩周期的倍數相對應。

8.根據權利要求1所述的放大接口，其中所述第一偏置電流和所述第二偏置電流與絕對溫度成比例(PTAT)。

9.根據權利要求1所述的放大接口，其中所述第一FET和所述第二FET包括n溝道MOS晶體管。

10.根據權利要求1所述的放大接口，其中所述第一FET和所述第二FET是熱隔離晶體管，并且其中所述第一FET和所述第二FET的柵極端子連接到另一參考電壓。