[發明專利]OLED顯示基板及其制作方法、顯示裝置

有效

• 申請號: 202010081411.3
• 申請日: 2020-02-06
• 公開（公告）號: CN111146264B
• 公開（公告）日: 2023-08-18
• 發明（設計）人: 程磊磊
• 申請（專利權）人: 合肥鑫晟光電科技有限公司;京東方科技集團股份有限公司
• 主分類號: H10K59/121
• 分類號: H10K59/121;H10K59/131
• 代理公司: 北京銀龍知識產權代理有限公司 11243
• 代理人: 許靜;張博

本發明提供了一種OLED顯示基板及其制作方法、顯示裝置，屬于顯示技術領域。OLED顯示基板，包括依次位于襯底基板上的遮光層、緩沖層、有源層圖形、柵絕緣層、柵極層圖形、層間絕緣層、源漏極層圖形、陽極、發光層和陰極，其中，所述源漏極層圖形和/或所述柵極層圖形采用透明導電材料制作。本發明的技術方案能夠提高OLED顯示產品的像素開口率。

技術領域

本發明涉及顯示技術領域，特別是指一種OLED顯示基板及其制作方法、顯示裝置。

背景技術

OLED(有機電致發光二極管)顯示器件因其高對比度、自發光等優點逐漸成為顯示行業發展主流。

隨著日益增長的顯示需求，高精度顯示技術受到了人們的廣泛重視。在高PPI(像素密度)的OLED顯示器件中，為了減小電路上的電壓降，需要采用雙層金屬走線以降低走線的阻抗，以減小回路上的電壓降，降低功耗；另外，還需要利用金屬圖形形成存儲電容，利用金屬圖形對薄膜晶體管進行遮擋，這些導致OLED顯示器件中的金屬圖形密度較大，使得像素發光區受限于金屬圖形而開口率較小。

發明內容

本發明要解決的技術問題是提供一種OLED顯示基板及其制作方法、顯示裝置，能夠提高OLED顯示產品的像素開口率。

為解決上述技術問題，本發明的實施例提供技術方案如下：

一方面，提供一種OLED顯示基板，包括依次位于襯底基板上的遮光層、緩沖層、有源層圖形、柵絕緣層、柵極層圖形、層間絕緣層、源漏極層圖形、陽極、發光層和陰極，其中，所述源漏極層圖形和/或所述柵極層圖形采用透明導電材料制作。

可選地，所述有源層圖形包括第一半導體子圖形和第二有源層子圖形，所述第二有源層子圖形經過導體化處理，所述源漏極層圖形包括與所述陽極連接的信號線，所述第二有源層子圖形在所述襯底基板上的正投影與所述信號線在所述襯底基板上的正投影存在重疊區域，所述第二有源層子圖形通過多個過孔與所述信號線并聯。

可選地，所述第二有源層子圖形與所述信號線之間未設置柵極層。

可選地，所述有源層圖形包括第三有源層子圖形，所述第三有源層子圖形經過導體化處理，所述源漏極層圖形包括存儲電容極板，所述第三有源層子圖形在所述襯底基板上的正投影與所述存儲電容極板在所述襯底基板上的正投影存在重疊區域，所述第三有源層子圖形與所述存儲電容極板組成所述OLED顯示基板的第一存儲電容。

可選地，所述陽極在所述襯底基板上的正投影與所述存儲電容極板在所述襯底基板上的正投影存在重疊區域，所述存儲電容極板與所述陽極組成所述OLED顯示基板的第二存儲電容。

可選地，所述有源層圖形包括第一半導體子圖形和第二有源層子圖形，所述遮光層在所述襯底基板上的正投影不超出所述第一半導體子圖形在所述襯底基板上的正投影。

可選地，所述源漏極層圖形包括與所述陽極連接的信號線，所述柵極層圖形包括第一柵極層子圖形和除所述第一柵極層子圖形之外的第二柵極層子圖形，所述第一柵極層子圖形與所述信號線在所述襯底基板上的正投影存在重疊區域，所述第一柵極層子圖形與所述信號線通過多個過孔并聯，所述第一柵極層子圖形的厚度小于所述第二柵極層子圖形的厚度。

可選地，所述源漏極層圖形包括與所述陽極連接的信號線，所述遮光層包括第一遮光子圖形，所述第一遮光子圖形與所述信號線在所述襯底基板上的正投影存在重疊區域，所述第一遮光子圖形與所述信號線通過多個過孔并聯。

本發明實施例還提供了一種顯示裝置，包括如上所述的OLED顯示基板。

本發明實施例還提供了一種OLED顯示基板的制作方法，用以制作如上所述的OLED顯示基板，包括在襯底基板上依次形成遮光層、緩沖層、有源層圖形、柵絕緣層、柵極層圖形、層間絕緣層、源漏極層圖形、陽極、發光層和陰極，其中，采用透明導電材料制作所述源漏極層圖形和/或所述柵極層圖形。