[發明專利]一種體聲波諧振器的頂電極結構及制作工藝

在審

• 申請號: 202010080951.X
• 申請日: 2020-02-05
• 公開（公告）號: CN111211757A
• 公開（公告）日: 2020-05-29
• 發明（設計）人: 李林萍;盛荊浩;江舟
• 申請（專利權）人: 杭州見聞錄科技有限公司
• 主分類號: H03H9/17
• 分類號: H03H9/17;H03H3/02
• 代理公司: 廈門福貝知識產權代理事務所(普通合伙) 35235
• 代理人: 陳遠洋

1.一種體聲波諧振器的頂電極制作工藝，其特征在于，包括以下步驟：

S1，制備設置有空腔的襯底，在所述襯底上依次制作覆蓋所述空腔的底電極層和壓電層；

S2，在所述壓電層上制作介質隔離層，使所述介質隔離層覆蓋于所述壓電層頂部的部分上表面；以及

S3，在所述介質隔離層和所述壓電層上制作所述頂電極層，所述頂電極層覆蓋在所述介質隔離層上，并且至少有一邊延伸到所述空腔在所述壓電層上的投影區域的邊緣。

2.根據權利要求1所述的制作工藝，其特征在于，所述S2包括以下子步驟：

S21，在所述壓電層上無需布置所述介質隔離層的區域制作掩膜；

S22，通過旋涂、曝光和顯影工藝制作所述介質隔離層；以及

S23，去除所述掩膜。

3.根據權利要求2所述的制作工藝，其特征在于，在所述介質隔離層上制作第二掩膜以保護所述介質隔離層。

4.根據權利要求1所述的制作工藝，其特征在于，所述步驟S2具體包括以下子步驟：

在所述壓電層上制作掩膜；

通過旋涂、曝光和顯影工藝在所述掩膜上制作介質隔離層；以及

通過蝕刻工藝去除未施加所述介質隔離層的區域的掩膜。

5.根據權利要求4所述的制作工藝，其特征在于，所述掩膜的厚度為10-20nm。

6.根據權利要求1所述的制作工藝，其特征在于，還包括以下步驟：

S4，通過沉積在所述介質隔離層上制作阻擋層；

S5，在所述阻擋層上制作第二隔離層；

S6，在所述頂電極層上制作第二質量負載層；以及

S7，將所述第二隔離層刻蝕掉。

7.根據權利要求6所述的制作工藝，其特征在于，所述S6中所述第二質量負載層在所述頂電極層上延伸至所述第二隔離層。

8.根據權利要求1-7中任一項所述的制作工藝，其特征在于，所述底電極層和頂電極層在映射到所述襯底上的輪廓形狀為由直線和弧線連接而成的封閉不規則形狀。

9.根據權利要求1-7任一項所述的制作工藝，其特征在于，所述步驟S2還包括對所述介質隔離層進行烘烤。

10.根據權利要求9所述的制作工藝，其特征在于，所述介質隔離層的材料包括PI材料，所述介質隔離層的烘烤溫度設定為200-250℃。

11.根據權利要求1-7任一項所述的制作工藝，其特征在于，所述S2還包括以下步驟：利用光刻或蝕刻工藝調整所述介質隔離層的邊緣。

12.根據權利要求1-7任一項所述的制作工藝，其特征在于，所述介質隔離層的上表面的高度接近所述壓電層的上表面。

13.一種薄膜體聲波諧振器，其特征在于，包括依次設置在具有空腔的襯底上的底電極層、壓電層和頂電極層，并且還包括介質隔離層，所述介質隔離層被設置在所述壓電層和頂電極層之間，并且覆蓋在所述壓電層頂部的部分上表面，所述頂電極層覆蓋在所述介質隔離層上方，并且至少有一邊延伸到所述空腔垂直于所述壓電層的投影區域的邊緣。

14.根據權利要求13所述的諧振器，其特征在于，所述諧振器還包括設置在所述介質隔離層與所述壓電層之間的掩膜。

15.根據權利要求13所述的諧振器，其特征在于，所述諧振器還包括設置在所述介質隔離層上并且延伸到所述介質隔離層與所述頂電極層之間的掩膜。

16.根據權利要求13所述的諧振器，其特征在于，所述諧振器還包括設置在所述介質隔離層上方的暴露于外部的區域上的阻擋層。