[發明專利]成膜裝置及半導體裝置的制造方法在審
| 申請號： | 202010079373.8 | 申請日： | 2020-02-03 |
| 公開（公告）號： | CN111485288A | 公開（公告）日： | 2020-08-04 |
| 發明（設計）人： | 永岡達司;西中浩之;田原大祐;吉本昌廣 | 申請（專利權）人： | 豐田自動車株式會社;國立大學法人京都工蕓纖維大學 |
| 主分類號： | C30B29/16 | 分類號： | C30B29/16;C30B19/00 |
| 代理公司： | 廣州華進聯合專利商標代理有限公司 44224 | 代理人： | 何沖 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 裝置 半導體 制造 方法 | ||
1.一種成膜裝置，向基體的表面供給溶液的噴霧而使膜在所述基體的所述表面外延生長，該成膜裝置具備：
加熱爐，收容并加熱所述基體；
儲存槽，儲存所述溶液；
加熱器，將所述儲存槽內儲存的所述溶液加熱；
超聲波振動器，通過向儲存在所述儲存槽內的所述溶液施加超聲波，從而在所述儲存槽內產生所述溶液的所述噴霧；以及
噴霧供給路徑，將所述噴霧從所述儲存槽輸送到所述加熱爐。
2.根據權利要求1所述的成膜裝置，其中，在使所述膜外延生長的工序期間，將所述儲存槽內儲存的所述溶液的溫度控制為，與位于所述儲存槽內儲存的所述溶液的液面上側的位置的所述儲存槽的外壁的內表面的溫度相比更高的溫度。
3.根據權利要求1或2所述的成膜裝置，其中，還具有載氣供給路徑，該載氣供給路徑向所述儲存槽供給載氣，
在使所述膜外延生長的工序期間，將所述儲存槽內儲存的所述溶液的溫度控制為比所述儲存槽內的所述載氣的溫度高的溫度。
4.根據權利要求1-3中任意一項所述的成膜裝置，其中，所述加熱器配置為與所述儲存槽內儲存的所述溶液的液面相比位于下側。
5.根據權利要求1-4中任意一項所述的成膜裝置，其中，在使所述膜外延生長的工序期間，使所述儲存槽儲存的所述溶液的溫度上升或者下降。
6.一種制造方法，其使用成膜裝置制造半導體裝置，其中，
所述成膜裝置具備：
加熱爐，收容并加熱基體；
儲存槽，儲存溶液；
加熱器，將所述儲存槽內儲存的所述溶液加熱；
超聲波振動器，通過向儲存在所述儲存槽內的所述溶液施加超聲波，從而在所述儲存槽內產生所述溶液的噴霧；以及
噴霧供給路徑，將所述噴霧從所述儲存槽輸送到所述加熱爐，
所述制造方法具有如下工序：
一邊通過所述加熱器加熱所述儲存槽內儲存的所述溶液，一邊通過所述超聲波振動器向儲存在所述儲存槽內的所述溶液施加超聲波，從而產生所述噴霧，向所述加熱爐內收容的所述基體的表面供給產生的所述噴霧而使膜在所述基體的所述表面外延生長。
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