[發(fā)明專利]基片處理裝置和基片處理方法

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202010079118.3
• 申請(qǐng)日: 2020-02-03
• 公開（公告）號(hào): CN111554571A
• 公開（公告）日: 2020-08-18
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 佐野要平
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 東京毅力科創(chuàng)株式會(huì)社
• 主分類號(hào): H01L21/027
• 分類號(hào): H01L21/027;H01L21/67;G03F7/16
• 代理公司: 北京尚誠(chéng)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11322
• 代理人: 龍淳;劉芃茜

1.一種基片處理裝置，其特征在于：

包括對(duì)基片進(jìn)行熱處理的熱處理單元，其中，所述基片形成有含金屬抗蝕劑的覆膜且已對(duì)該覆膜實(shí)施了曝光處理，

所述熱處理單元包括：

支承所述基片并對(duì)其進(jìn)行加熱的熱板；

覆蓋所述熱板上的處理空間的腔室；

在所述腔室內(nèi)從上方向所述熱板上的所述基片釋放含有水分的氣體的氣體釋放部；

從所述處理空間的外周對(duì)所述腔室內(nèi)進(jìn)行排氣的排氣部；和

設(shè)置于所述腔室的用于加熱所述腔室的加熱器。

2.如權(quán)利要求1所述的基片處理裝置，其特征在于：

所述熱處理單元還包括濕度調(diào)節(jié)部，所述濕度調(diào)節(jié)部能夠調(diào)節(jié)從所述氣體釋放部釋放的所述氣體的濕度。

3.如權(quán)利要求1所述的基片處理裝置，其特征在于：

所述氣體釋放部包括沿與所述熱板上的所述基片相對(duì)的面分散地存在的多個(gè)釋放孔。

4.如權(quán)利要求1所述的基片處理裝置，其特征在于：

還包括加熱器控制部，其在所述熱處理中控制所述加熱器以使得所述腔室的溫度與所述熱板的溫度大致一致。

5.如權(quán)利要求1～4中的任一項(xiàng)所述的基片處理裝置，其特征在于，還包括：

氣體切換部，其切換從所述氣體釋放部釋放含有水分的第1氣體的第1狀態(tài)、和從所述氣體釋放部釋放與所述第1氣體相比不易與來自所述覆膜的金屬升華物發(fā)生反應(yīng)的第2氣體的第2狀態(tài)；以及

切換控制部，其在所述熱處理中控制所述氣體切換部以使得從所述第1狀態(tài)切換為所述第2狀態(tài)。

6.如權(quán)利要求1～4中的任一項(xiàng)所述的基片處理裝置，其特征在于，還包括：

流量切換部，其切換從所述氣體釋放部以第1流量釋放氣體的第1狀態(tài)、和從所述氣體釋放部以大于所述第1流量的第2流量釋放氣體的第2狀態(tài)；以及

切換控制部，其在所述熱處理中控制所述流量切換部以使得從所述第1狀態(tài)切換為所述第2狀態(tài)。

7.如權(quán)利要求6所述的基片處理裝置，其特征在于：

所述流量切換部，在所述第1狀態(tài)下以所述第1流量從所述氣體釋放部釋放含有水分的第1氣體，在所述第2狀態(tài)下以所述第2流量從所述氣體釋放部釋放與所述第1氣體相比濕度低的第2氣體。

8.如權(quán)利要求1～4中的任一項(xiàng)所述的基片處理裝置，其特征在于：

所述熱處理單元還包括：

能夠使所述熱板上的所述基片升降的升降部；和

從所述熱板的上表面向上方釋放氣體的下側(cè)氣體釋放部。

9.如權(quán)利要求8所述的基片處理裝置，其特征在于，還包括：

升降控制部，其在所述熱處理結(jié)束后控制所述升降部以使所述基片上升；和

釋放控制部，其在所述熱板上的所述基片上升了的狀態(tài)下控制所述下側(cè)氣體釋放部以使得從所述熱板的上表面釋放氣體。

10.如權(quán)利要求1～4中的任一項(xiàng)所述的基片處理裝置，其特征在于：

在所述處理空間的外周部，形成有上表面與下表面的間隔隨著去往外側(cè)而變小的整流部。

11.如權(quán)利要求10所述的基片處理裝置，其特征在于：

所述排氣部在比所述整流部靠外側(cè)，在所述處理空間的上表面開口。

12.一種基片處理方法，其特征在于，包括：

在基片形成含金屬抗蝕劑的覆膜的步驟；

對(duì)形成有所述覆膜且已對(duì)該覆膜實(shí)施了曝光處理的基片進(jìn)行熱處理的步驟；和

對(duì)實(shí)施了所述熱處理的所述覆膜進(jìn)行顯影處理的步驟，

所述進(jìn)行熱處理的步驟包括：

使熱板支承所述基片并對(duì)其進(jìn)行加熱的步驟；

在覆蓋所述熱板上的處理空間的腔室內(nèi)，從上方向所述基片釋放含有水分的氣體的步驟；

從所述處理空間的外周對(duì)所述腔室內(nèi)進(jìn)行排氣的步驟；和

用設(shè)置于所述腔室的加熱器對(duì)所述腔室進(jìn)行加熱的步驟。