[發明專利]切割后硅棒的脫膠裝置和方法有效
| 申請號: | 202010079080.X | 申請日: | 2020-02-03 |
| 公開(公告)號: | CN111318500B | 公開(公告)日: | 2021-10-26 |
| 發明(設計)人: | 陳建銘;盧健平 | 申請(專利權)人: | 徐州鑫晶半導體科技有限公司 |
| 主分類號: | B08B3/02 | 分類號: | B08B3/02;B08B3/08;B08B3/12;B08B3/10;B08B13/00;B08B1/02;B08B3/14;B28D7/00 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 切割 后硅棒 脫膠 裝置 方法 | ||
本發明公開了切割后硅棒的脫膠裝置和方法,裝置包括:清洗單元和脫膠分片單元,清洗單元上設有噴淋組件;脫膠分片單元設在清洗單元的下游,脫膠分片單元內設有加熱組件和熱水,脫膠分片單元上方設有承載組件,承載組件包括間隔設置的推板和護板,推板和護板沿切割后硅棒的長度方向設在其兩端,護板能夠沿切割后硅棒的長度方向移動,護板包括相連的護板部和分隔部,護板部上開設有沿切割后硅棒的長度方向貫穿的開口,與機械手臂相連的吸盤經開口與切割后硅棒的端部接觸,分隔部設在護板部上靠近推板的一側的上端部,分隔部與護板部之間形成容納間隙,脫膠分片單元進一步包括霧化噴淋組件,霧化噴淋組件設在容納間隙上方。
技術領域
本發明屬于切割硅片分片技術領域,具體涉及一種切割后硅棒的脫膠裝置和方法。
背景技術
相關技術中在硅片切割后,需要將切割后的硅片進行清洗分離,目前切割后的脫膠方式為將硅片在熱水中浸泡20min左右,再人工操作進行分離取片。現有的這種脫膠方式,一方面脫膠后硅片的表面容易殘留硅粉或切割砂漿,影響后續工藝的進行,另一方面人工脫膠分片過程中,由于硅片表面容易干燥,導致硅片與硅片之間的表面張力太強,在取片分片過程中容易造成硅片邊緣應力殘留,產生存在chip(崩邊),而且人工效率低,造成良率偏低,成本過高。
因此,現有的切割后硅棒的脫膠技術有待改進。
發明內容
本發明旨在至少在一定程度上解決相關技術中的技術問題之一。為此,本發明的一個目的在于提出一種切割后硅棒的脫膠裝置和方法,采用該裝置不僅提高硅片表面的清潔度,而且避免在分片取片過程中產生chip崩邊,提高硅片的良率和品質。
在本發明的一個方面,本發明提出了一種切割后硅棒的脫膠裝置。根據本發明的實施例,所述裝置包括:
清洗單元,所述清洗單元上設有噴淋組件,所述噴淋組件用于對切割后硅棒進行表面沖洗;
脫膠分片單元,所述脫膠分片單元設在所述清洗單元的下游,所述脫膠分片單元內設有加熱組件和熱水,所述脫膠分片單元上方設有承載組件,所述承載組件包括間隔設置的推板和護板,所述推板和護板沿所述切割后硅棒的長度方向設在其兩端,并且所述護板能夠沿所述切割后硅棒的長度方向移動,所述護板包括相連的護板部和分隔部,所述護板部上開設有沿所述切割后硅棒的長度方向貫穿的開口,與機械手臂相連的吸盤經所述開口與所述切割后硅棒的端部接觸,所述分隔部設在所述護板部上靠近所述推板的一側的上端部,并且所述分隔部與所述護板部之間形成容納間隙,
其中,所述脫膠分片單元進一步包括霧化噴淋組件,所述霧化噴淋組件設在所述容納間隙上方。
根據本發明實施例的切割后硅棒的脫膠裝置,首先利用清洗單元上的噴淋組件對切割后硅棒進行表面沖洗,可以有效去除切割后硅棒的表面殘留,從而提高后續處理機構的清潔度,其次,采用與機械手臂相連的吸盤取代人工操作,效率更高。同時在吸盤取片過程中設置了霧化噴淋組件,由于硅片暴露于空氣中的位置容易干燥,而與硅片相近的地方又容易存在水,使得鄰近的硅片容易粘連,導致在機械吸盤取片過程中容易擠壓破片。若直接噴水或在水中進行取片,吸盤又極易打滑。該霧化噴淋組件向分片取片過程的硅片表面噴淋霧化水,保持分片硅片表面濕潤,避免硅片之間由于表面干燥導致的擠壓破片,同時又避免了太多水而導致吸盤的打滑。
另外,根據本發明上述實施例的切割后硅棒的脫膠裝置還可以具有如下附加的技術特征:
在本發明的一些實施例中,所述護板部上靠近所述推板的一側設有氣體噴嘴且朝向所述硅棒。該氣體噴嘴可解決分片過程中鄰近硅片粘連的問題,由此,提高分片效率。
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