[發明專利]一種檢測方法及裝置在審
| 申請號: | 202010078965.8 | 申請日: | 2020-02-03 |
| 公開(公告)號: | CN111276414A | 公開(公告)日: | 2020-06-12 |
| 發明(設計)人: | 孟勝偉;李輝;周毅;羋健 | 申請(專利權)人: | 長江存儲科技有限責任公司 |
| 主分類號: | H01L21/66 | 分類號: | H01L21/66 |
| 代理公司: | 北京集佳知識產權代理有限公司 11227 | 代理人: | 郭化雨 |
| 地址: | 430074 湖北省武漢*** | 國省代碼: | 湖北;42 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 檢測 方法 裝置 | ||
1.一種檢測方法,其特征在于,包括:
利用光學線寬量測設備對待測膜層進行測量,得到量測光譜;
利用預先建立的光譜與膜層厚度的對應關系,確定所述量測光譜對應的量測厚度,作為所述待測膜層的厚度;所述預先建立的光譜與膜層厚度的對應關系是利用所述光學線寬量測設備對不同厚度的歷史膜層進行測量得到的,所述歷史膜層與所述待測膜層的材料相同。
2.根據權利要求1所述的方法,其特征在于,所述利用預先建立的光譜與膜層厚度的對應關系,確定所述量測光譜對應的量測厚度,包括:
利用預先訓練得到的機器學習模型確定所述量測光譜對應的量測厚度;所述機器學習模型基于光譜與膜層厚度的對應關系訓練得到。
3.根據權利要求2所述的方法,其特征在于,所述機器學習模型包括:神經網絡模型。
4.根據權利要求1所述的方法,其特征在于,所述歷史膜層的厚度為利用金屬脈沖機臺對所述歷史膜層進行測量得到的;所述光譜與膜層厚度的對應關系,通過所述光學線寬量測設備和所述金屬脈沖機臺對所述歷史膜層的相同位置進行測量得到。
5.根據權利要求4所述的方法,其特征在于,在利用所述金屬脈沖機臺對所述歷史膜層進行測量得到所述歷史膜層的厚度之前,還包括:
利用金屬脈沖機臺對校準膜層進行測量,得到第一結果;
利用透射電子顯微鏡對所述校準膜層進行測量,得到第二結果;
根據所述第一結果和所述第二結果,對所述金屬脈沖機臺進行校準。
6.根據權利要求1-5任意一項所述的方法,其特征在于,所述待測膜層為半導體器件中位于頂層的金屬層。
7.根據權利要求6所述的方法,其特征在于,所述歷史膜層為多個,至少一個所述歷史膜層為與所述半導體器件結構相同的器件中位于頂層的金屬層。
8.根據權利要求6所述的方法,其特征在于,所述金屬層的材料為銅。
9.一種檢測裝置,其特征在于,包括:
光學線寬量測設備,用于對待測膜層進行測量,得到量測光譜;對不同厚度的歷史膜層進行測量,以預先建立光譜與膜層厚度的對應關系,所述歷史膜層與所述待測膜層的材料相同;
檢測控制設備,用于利用所述預先建立的光譜與膜層厚度的對應關系,確定所述量測光譜對應的量測厚度,作為所述待測膜層的厚度。
10.根據權利要求9所述的裝置,其特征在于,所述檢測控制設備具體用于:
利用預先訓練得到的機器學習模型確定所述量測光譜對應的量測厚度;所述機器學習模型基于光譜與膜層厚度的對應關系訓練得到。
11.根據權利要求10所述的裝置,其特征在于,所述機器學習模型包括:神經網絡模型。
12.根據權利要求9所述的裝置,其特征在于,還包括:
金屬脈沖機臺,用于對所述歷史膜層進行測量,得到所述歷史膜層的厚度;所述光譜與膜層厚度的對應關系,通過所述光學線寬量測設備和所述金屬脈沖機臺對所述歷史膜層的相同位置進行測量得到。
13.根據權利要求12所述的裝置,其特征在于,還包括:
透射電子顯微鏡,用于對所述校準膜層進行測量,得到第二結果;
則所述金屬脈沖機臺,還用于對校準膜層進行測量,得到第一結果;
所述控制設備,還用于根據所述第一結果和所述第二結果,對所述金屬脈沖機臺進行校準。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





