[發(fā)明專利]半導(dǎo)體模塊以及半導(dǎo)體模塊的評價方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 202010078618.5
• 申請日: 2020-02-03
• 公開（公告）號: CN111554668B
• 公開（公告）日: 2023-10-24
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 永淵博章
• 申請（專利權(quán)）人: 三菱電機(jī)株式會社
• 主分類號: H10B80/00
• 分類號: H10B80/00;H01L23/367;G01K7/22;G01K13/00
• 代理公司: 北京天昊聯(lián)合知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11112
• 代理人: 何立波;張?zhí)焓?/td>

1.一種半導(dǎo)體模塊，其具有：

半導(dǎo)體器件；

導(dǎo)熱性材料，其具有在特定的溫度下軟化或者熔化的性質(zhì)，并且設(shè)置于所述半導(dǎo)體器件的外表面中的能夠安裝于散熱器的一個面；以及

控制部，其基于所述半導(dǎo)體器件的不同的2點(diǎn)處的溫度信息，判定所述半導(dǎo)體器件的所述一個面與所述散熱器之間的所述導(dǎo)熱性材料的狀態(tài)。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體模塊，其中，

所述半導(dǎo)體器件包含：

半導(dǎo)體芯片；

殼體，其收容所述半導(dǎo)體芯片；

一個溫度傳感器，其對所述半導(dǎo)體芯片的溫度即芯片溫度進(jìn)行檢測；以及

另一個溫度傳感器，其對所述殼體內(nèi)的溫度即殼體溫度進(jìn)行檢測，

所述不同的2點(diǎn)處的所述溫度信息包含所述芯片溫度與所述殼體溫度之間的溫度差。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的半導(dǎo)體模塊，其中，

所述控制部包含內(nèi)置于所述半導(dǎo)體器件的控制IC，

所述控制IC基于所述不同的2點(diǎn)處的所述溫度信息，判定所述導(dǎo)熱性材料的所述狀態(tài)。

4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的半導(dǎo)體模塊，其中，

所述控制部包含在所述半導(dǎo)體器件的外部設(shè)置的外部IC，

所述外部IC基于所述不同的2點(diǎn)處的所述溫度信息，判定所述導(dǎo)熱性材料的所述狀態(tài)。

5.根據(jù)權(quán)利要求1至4中任一項所述的半導(dǎo)體模塊，其中，

所述控制部通過判定標(biāo)志而判定所述導(dǎo)熱性材料的所述狀態(tài)。

6.根據(jù)權(quán)利要求1至5中任一項所述的半導(dǎo)體模塊，其中，

所述不同的2點(diǎn)處的所述溫度信息包含所述不同的2點(diǎn)的溫度差，

所述控制部在對所述半導(dǎo)體器件開始通電之后所述溫度差以預(yù)先確定的時間保持恒定的情況下，判定為所述導(dǎo)熱性材料填充了所述半導(dǎo)體器件與所述散熱器之間的空隙。

7.一種半導(dǎo)體模塊的評價方法，該半導(dǎo)體模塊包含半導(dǎo)體器件，

在該半導(dǎo)體模塊的評價方法中，

經(jīng)由具有在特定的溫度下軟化或者熔化的性質(zhì)、并且在所述半導(dǎo)體器件的外表面中的能夠安裝于散熱器的一個面設(shè)置的導(dǎo)熱性材料，將所述半導(dǎo)體器件安裝于所述散熱器，

基于所述半導(dǎo)體器件的不同的2點(diǎn)處的溫度信息，判定所述半導(dǎo)體器件的所述一個面與所述散熱器之間的所述導(dǎo)熱性材料的狀態(tài)。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體模塊的評價方法，其中，

所述不同的2點(diǎn)處的所述溫度信息包含所述不同的2點(diǎn)的溫度差，

在對所述半導(dǎo)體器件開始通電之后所述溫度差以預(yù)先確定的時間保持恒定的情況下，判定為所述導(dǎo)熱性材料填充了所述半導(dǎo)體器件與所述散熱器之間的空隙。