[發明專利]半導體裝置在審
| 申請號： | 202010078531.8 | 申請日： | 2020-02-03 |
| 公開（公告）號： | CN111509119A | 公開（公告）日： | 2020-08-07 |
| 發明（設計）人： | 飛岡孝明;挽地友生 | 申請（專利權）人： | 艾普凌科有限公司 |
| 主分類號： | H01L43/04 | 分類號： | H01L43/04;H01L43/06 |
| 代理公司： | 中國專利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 何欣亭;姜冰 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 半導體 裝置 | ||
1.一種半導體裝置，其特征在于具備：
第1縱型霍爾元件，其設置在半導體襯底的第1區域，并具有依次并排配置在第1直線上的第1至第3電極；以及
第1電路，其具有發熱源，并設置在所述半導體襯底的與所述第1區域不同的第2區域，
當所述第1縱型霍爾元件動作時所述第1電路中成為最高溫度的區域的中心點位于第2直線上，該第2直線與成為流過所述第1電極與所述第3電極之間的霍爾元件驅動電流的路徑的第1電流路徑正交且通過所述第1縱型霍爾元件的中心。
2.如權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于：
還具備第2電路，其具有發熱源，并設置在所述半導體襯底的與所述第1及第2區域不同的第3區域，
當所述第1縱型霍爾元件動作時所述第2電路中成為最高溫度的區域的中心點位于所述第2直線上。
3.如權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于：
還具備第2縱型霍爾元件，其設置在所述半導體襯底的與所述第1及第2區域不同的第3區域，并具有依次并排配置在第3直線上的第4至第6電極，
與成為流過所述第4電極與所述第6電極之間的霍爾元件驅動電流的路徑的第2電流路徑正交且通過所述第2縱型霍爾元件的中心的直線，與所述第2直線一致。
4.如權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于：
還具備第2縱型霍爾元件，其在所述半導體襯底的與所述第1及第2區域不同的第3區域，具有依次并排配置在與所述第1直線正交的第3直線上的第4至第6電極，
當所述第1縱型霍爾元件動作時所述第1電路中成為最高溫度的區域的中心點位于第4直線上，該第4直線與成為流過所述第4電極與所述第6電極之間的霍爾元件驅動電流的路徑的第2電流路徑正交且通過所述第2縱型霍爾元件的中心。
5.如權利要求1至4的任一項所述的半導體裝置，其特征在于：所述第1縱型霍爾元件還具有以夾持所述第1至第3電極的方式與所述第1至第3電極并排設置在所述第1直線上的第7及第8電極。
6.如權利要求1至4的任一項所述的半導體裝置，其特征在于：所述第1縱型霍爾元件相對于所述第2直線具有線對稱的構造。
7.如權利要求3所述的半導體裝置，其特征在于：所述第2縱型霍爾元件還具有以夾持所述第4至第6電極的方式與所述第4至第6電極并排設置在所述第3直線上的第9及第10電極。
8.如權利要求3或7所述的半導體裝置，其特征在于：所述第2縱型霍爾元件相對于所述第2直線具有線對稱的構造。
9.如權利要求4所述的半導體裝置，其特征在于：所述第2縱型霍爾元件還具有以夾持所述第4至第6電極的方式與所述第4至第6電極并排設置在所述第3直線上的第9及第10電極。
10.如權利要求4或9所述的半導體裝置，其特征在于：所述第2縱型霍爾元件相對于所述第4直線具有線對稱的構造。
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