[發(fā)明專利]顯示裝置以及用于制造其的方法

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• 申請?zhí)枺?/td>: 202010077884.6
• 申請日: 2016-08-05
• 公開（公告）號: CN111200003A
• 公開（公告）日: 2020-05-26
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 大地朋和
• 申請（專利權(quán)）人: 索尼公司
• 主分類號: H01L27/32
• 分類號: H01L27/32;G09F9/30;H01L51/52;H01L51/56;H05B33/10;H05B33/12;H05B33/14;H05B33/22;H05B33/24
• 代理公司: 北京康信知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11240
• 代理人: 吳孟秋

1.一種用于制造顯示裝置的方法，所述顯示裝置包括以二維矩陣布置的多個(gè)像素，每個(gè)所述像素包括第一發(fā)光元件、第二發(fā)光元件和第三發(fā)光元件，

每個(gè)所述像素包括最下層層間絕緣層、形成在所述最下層層間絕緣層上的第一層間絕緣層、形成在所述第一層間絕緣層上的第二層間絕緣層、以及最上層層間絕緣層，

所述第一發(fā)光元件、所述第二發(fā)光元件和所述第三發(fā)光元件的每個(gè)包括：

第一電極，形成在所述最上層層間絕緣層上；

絕緣膜，至少形成在所述最上層層間絕緣層的未形成所述第一電極的區(qū)域上；

有機(jī)層，從所述第一電極上方遍及所述絕緣膜上形成并且包括由有機(jī)發(fā)光材料構(gòu)成的發(fā)光層；以及

第二電極，形成在所述有機(jī)層上，

所述第一發(fā)光元件包括形成在所述最下層層間絕緣層上的第一光反射層，

所述第二發(fā)光元件包括形成在所述第一層間絕緣層上的第二光反射層，并且

所述第三發(fā)光元件包括形成在所述第二層間絕緣層上的第三光反射層，所述方法包括：

(A)形成最下層層間絕緣層、圖案化的第一層間絕緣層、和圖案化的第二層間絕緣層；然后

(B)在整個(gè)表面上形成光反射層以及然后圖案化所述光反射層以在所述最下層層間絕緣層的將形成第一發(fā)光元件的區(qū)域上形成第一光反射層，在所述第一層間絕緣層的將形成第二發(fā)光元件的區(qū)域上形成第二光反射層，并且在所述第二層間絕緣層的將形成第三發(fā)光元件的區(qū)域上形成第三光反射層；然后

(C)蝕刻位于所述第一發(fā)光元件和所述第二發(fā)光元件之間的邊界區(qū)域中的至少所述第一層間絕緣層的一部分以形成第一凹部，同時(shí)

蝕刻位于所述第二發(fā)光元件和所述第三發(fā)光元件之間的邊界區(qū)域中的至少所述第二層間絕緣層的一部分以形成第二凹部，并且同時(shí)

蝕刻位于所述第一發(fā)光元件和所述第三發(fā)光元件之間的邊界區(qū)域中的至少所述第一層間絕緣層的一部分以及所述第二層間絕緣層的一部分以形成第三凹部；然后

(D)在整個(gè)表面上形成最上層層間絕緣層并且然后平坦化所述最上層層間絕緣層以分別在所述第一凹部、所述第二凹部、和所述第三凹部上方的所述最上層層間絕緣層的一部分中形成第一溝部、第二溝部、和第三溝部；并且然后

(E)在所述第一溝部、所述第二溝部、和所述第三溝部的內(nèi)側(cè)形成遮光層。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于制造顯示裝置的方法，其中

在步驟(C)中，

蝕刻位于所述第一發(fā)光元件和所述第二發(fā)光元件之間的邊界區(qū)域中的所述最下層層間絕緣層的一部分和所述第一層間絕緣層的一部分以形成第一凹部，同時(shí)

蝕刻位于所述第二發(fā)光元件和所述第三發(fā)光元件之間的邊界區(qū)域中的所述第一層間絕緣層的一部分和所述第二層間絕緣層的一部分以形成第二凹部，并且同時(shí)

蝕刻位于所述第一發(fā)光元件和所述第三發(fā)光元件之間的邊界區(qū)域中的所述最下層層間絕緣層的一部分、所述第一層間絕緣層的一部分、和所述第二層間絕緣層的一部分以形成第三凹部。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于制造顯示裝置的方法，其中

所述第一溝部的底部的最下部和所述第三溝部的底部的最下部位于高于所述第一光反射層的頂面的位置，并且

所述第二溝部的底部的最下部位于高于所述第二光反射層的頂面的位置。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的用于制造顯示裝置的方法，其中

所述第一溝部的底部的最下部和所述第三溝部的底部的最下部位于比所述第三發(fā)光元件更接近所述第一發(fā)光元件的位置，并且

所述第二溝部的底部的最下部位于比所述第三發(fā)光元件更接近所述第二發(fā)光元件的位置。