[發(fā)明專利]基準(zhǔn)電壓電路以及半導(dǎo)體裝置

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202010077657.3
• 申請(qǐng)日: 2020-01-31
• 公開（公告）號(hào): CN111552344A
• 公開（公告）日: 2020-08-18
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 坂口薰
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 艾普凌科有限公司
• 主分類號(hào): G05F3/24
• 分類號(hào): G05F3/24
• 代理公司: 北京三友知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11127
• 代理人: 鄧毅;黃綸偉

本發(fā)明提供基準(zhǔn)電壓電路以及半導(dǎo)體裝置。基準(zhǔn)電壓電路具備第1MOS晶體管對(duì)和第2MOS晶體管對(duì)，其中，所述第1MOS晶體管對(duì)具備：第一導(dǎo)電型增強(qiáng)型的第1MOS晶體管，其柵極與漏極連接；和第一導(dǎo)電型耗盡型的第2MOS晶體管，其柵極與第1MOS晶體管的源極連接，源極與第1MOS晶體管的漏極連接，漏極與輸出端子連接，所述第2MOS晶體管對(duì)具備：第一導(dǎo)電型增強(qiáng)型的第3MOS晶體管，其柵極和漏極與輸出端子連接，源極與第2MOS晶體管的源極連接；和第一導(dǎo)電型耗盡型的第4MOS晶體管，其柵極與第3MOS晶體管的源極連接，源極與輸出端子連接，全部MOS晶體管在弱反型區(qū)中工作。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及基準(zhǔn)電壓電路以及半導(dǎo)體裝置。

背景技術(shù)

一直以來，在半導(dǎo)體裝置中，使用由增強(qiáng)型MOS晶體管和耗盡型MOS晶體管的閾值電壓的絕對(duì)值之和來決定輸出電壓的基準(zhǔn)電壓電路。

已知對(duì)于那樣的基準(zhǔn)電壓電路輸出的基準(zhǔn)電壓，通過使增強(qiáng)型MOS晶體管和耗盡型MOS晶體管的各閾值電壓的溫度依賴性相互抵消，使得溫度依賴性變小。此外，通過增加耗盡型MOS晶體管或增強(qiáng)型MOS晶體管中的任一方的數(shù)量，能夠得到任意的高基準(zhǔn)電壓(例如，參照專利文獻(xiàn)1的圖2至圖4)。

現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)

專利文獻(xiàn)1：日本特開2015-141462號(hào)公報(bào)

然而，在專利文獻(xiàn)1所記載的基準(zhǔn)電壓電路中，為了使增強(qiáng)型MOS晶體管和耗盡型MOS晶體管偏置而具備兩個(gè)以上的恒流源。因此，由于在兩個(gè)以上的路徑中始終流過電流，因此難以減小消耗電流。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明是鑒于上述課題而完成的，其目的在于提供一種消耗電流微小、能夠任意地將基準(zhǔn)電壓設(shè)定得較高的基準(zhǔn)電壓電路。

本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式的基準(zhǔn)電壓電路的特征在于，

所述基準(zhǔn)電壓電路具備第1MOS晶體管對(duì)、第2MOS晶體管對(duì)以及輸出端子，

所述第1MOS晶體管對(duì)具備：

第一導(dǎo)電型增強(qiáng)型的第1MOS晶體管，其柵極與漏極連接；和

第一導(dǎo)電型耗盡型的第2MOS晶體管，其柵極與所述第1MOS晶體管的源極連接，源極與所述第1MOS晶體管的漏極連接，漏極與所述輸出端子連接，

所述第2MOS晶體管對(duì)具備：

第一導(dǎo)電型增強(qiáng)型的第3MOS晶體管，其柵極和漏極與所述輸出端子連接，源極與所述第2MOS晶體管的源極連接；和

第一導(dǎo)電型耗盡型的第4MOS晶體管，其柵極與所述第3MOS晶體管的源極連接，源極與所述輸出端子連接，

全部MOS晶體管在弱反型區(qū)中工作。

根據(jù)本發(fā)明的基準(zhǔn)電壓電路，由于消耗電流取決于進(jìn)行弱反型工作的第一導(dǎo)電型增強(qiáng)型的MOS晶體管(第1MOS晶體管)的電流，因此能夠容易地使消耗電流微小。

附圖說明

圖1是用于說明本發(fā)明的實(shí)施方式的基準(zhǔn)電壓電路的電路圖。

圖2是用于說明本實(shí)施方式的基準(zhǔn)電壓電路的另一例的電路圖。

圖3是用于說明本實(shí)施方式的基準(zhǔn)電壓電路的另一例的電路圖。

圖4是用于說明本實(shí)施方式的基準(zhǔn)電壓電路的另一例的電路圖。

標(biāo)號(hào)說明

10、20：基準(zhǔn)電壓電路；

11、12、13：第一導(dǎo)電型增強(qiáng)型MOS晶體管；

21、22、23：第一導(dǎo)電型耗盡型MOS晶體管；