[發明專利]蒸鍍掩模組、電子器件的制造方法和電子器件有效
| 申請號: | 202010077646.5 | 申請日: | 2020-01-31 |
| 公開(公告)號: | CN111500979B | 公開(公告)日: | 2022-08-12 |
| 發明(設計)人: | 樋口拓也;落合洋光;岡宏樹 | 申請(專利權)人: | 大日本印刷株式會社 |
| 主分類號: | C23C14/04 | 分類號: | C23C14/04;C23C14/24;H01L51/52 |
| 代理公司: | 北京三友知識產權代理有限公司 11127 | 代理人: | 王博;褚瑤楊 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 蒸鍍掩 模組 電子器件 制造 方法 | ||
1.一種蒸鍍掩模組,其具備:
第1蒸鍍掩模,其具有沿不同的兩個方向排列的兩個以上的第1貫通孔;
第2蒸鍍掩模,其具有沿不同的兩個方向排列的兩個以上的第2貫通孔;和
第3蒸鍍掩模,其具有兩個以上的第3貫通孔,
在將所述第1蒸鍍掩模、所述第2蒸鍍掩模和所述第3蒸鍍掩模重合時,所述第1貫通孔與所述第2貫通孔或所述第3貫通孔部分重疊,
兩個以上的所述第1貫通孔包含:兩個以上的掩模第1基本區域,它們沿不同的兩個方向排列;和兩個以上的掩模第1擴張區域,它們從所述掩模第1基本區域延伸出以便在將所述第1蒸鍍掩模、所述第2蒸鍍掩模和所述第3蒸鍍掩模重合時與所述第2貫通孔或所述第3貫通孔部分重疊,
在與所述掩模第1擴張區域的延伸方向正交的方向上,所述掩模第1擴張區域的尺寸為所述掩模第1基本區域的尺寸的0.9倍以下,
所述第1蒸鍍掩模、所述第2蒸鍍掩模和所述第3蒸鍍掩模的厚度分別為100μm以下。
2.如權利要求1所述的蒸鍍掩模組,其中,兩個以上的所述第2貫通孔包含沿不同的兩個方向排列的兩個以上的掩模第2基本區域、和從所述掩模第2基本區域延伸出的兩個以上的掩模第2擴張區域,或者,兩個以上的所述第3貫通孔包含沿不同的兩個方向排列的兩個以上的掩模第3基本區域、和從所述掩模第3基本區域延伸出的兩個以上的掩模第3擴張區域,
在將所述第1蒸鍍掩模、所述第2蒸鍍掩模和所述第3蒸鍍掩模重合時,兩個以上的所述掩模第1擴張區域的至少一部分與所述掩模第2擴張區域或所述掩模第3擴張區域整體或部分重疊。
3.如權利要求2所述的蒸鍍掩模組,其中,所述掩模第2擴張區域或所述掩模第3擴張區域中的與所述掩模第1擴張區域重疊的區域與所述掩模第1基本區域部分重疊。
4.如權利要求1~3中任一項所述的蒸鍍掩模組,其中,所述掩模第1基本區域的排列方向與所述掩模第1擴張區域從所述掩模第1基本區域延伸出的方向一致。
5.如權利要求1~3中任一項所述的蒸鍍掩模組,其中,所述掩模第1基本區域的排列方向與所述掩模第1擴張區域從所述掩模第1基本區域延伸出的方向不同。
6.一種蒸鍍掩模組,其具備:
第1蒸鍍掩模,其具有沿不同的兩個方向排列的兩個以上的第1貫通孔;
第2蒸鍍掩模,其具有沿不同的兩個方向排列的兩個以上的第2貫通孔;和
第3蒸鍍掩模,其具有兩個以上的第3貫通孔,
在將所述第1蒸鍍掩模、所述第2蒸鍍掩模和所述第3蒸鍍掩模重合時,所述第1貫通孔與所述第2貫通孔或所述第3貫通孔部分重疊,
兩個以上的所述第1貫通孔包含沿不同的兩個方向排列的兩個以上的掩模第1基本區域、和兩個以上的掩模第1輔助區域,
在將所述第1蒸鍍掩模、所述第2蒸鍍掩模和所述第3蒸鍍掩模重合時,所述掩模第1輔助區域按照與相鄰的兩個所述第2貫通孔、相鄰的兩個所述第3貫通孔、或者相鄰的所述第2貫通孔和所述第3貫通孔部分重疊的方式延伸,
在與所述掩模第1輔助區域的延伸方向正交的方向上,所述掩模第1輔助區域的尺寸為所述掩模第1基本區域的尺寸的0.9倍以下。
7.如權利要求6所述的蒸鍍掩模組,其中,所述掩模第1輔助區域與所述掩模第1基本區域連接。
8.如權利要求6所述的蒸鍍掩模組,其中,所述掩模第1輔助區域不與所述掩模第1基本區域連接。
9.如權利要求1或6所述的蒸鍍掩模組,其中,在將所述第1蒸鍍掩模、所述第2蒸鍍掩模和所述第3蒸鍍掩模重合時,兩個以上的所述第1貫通孔中的至少一部分所述第1貫通孔藉由所述第2貫通孔和所述第3貫通孔與其他所述第1貫通孔連接。
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