[發明專利]LED制備工藝

有效

• 申請號: 202010077300.5
• 申請日: 2020-01-26
• 公開（公告）號: CN111244233B
• 公開（公告）日: 2021-09-24
• 發明（設計）人: 孫蕾蕾
• 申請（專利權）人: 江蘇明納半導體科技有限公司
• 主分類號: H01L33/00
• 分類號: H01L33/00;H01L33/12;H01L33/32
• 代理公司: 北京華仁聯合知識產權代理有限公司 11588
• 代理人: 陶長清

1.一種LED制備工藝，其特征在于，包括以下步驟：

提供一襯底；

對襯底進行高溫處理；

在經過高溫處理后的襯底上形成緩沖層；

在所述緩沖層上形成未摻雜層；

在所述未摻雜層上形成第一半導體層；

在所述第一半導體層上形成發光層；

在所述發光層上形成第二半導體層；

所述緩沖層包括依次形成在所述襯底上的第一緩沖層、第二緩沖層、第三緩沖層，所述第一緩沖層形成過程中溫度逐漸減低，所述第二緩沖層形成過程中溫度保持不變，所述第三緩沖層形成過程中溫度逐漸升高；所述發光層包括交替設置在所述第一半導體層上的多個發光壘層和多個發光阱層，所述發光壘層和所述發光阱層交替層疊設置，第一個發光壘層位于第一半導體層上，第二半導體層位于最后一個發光壘層上，發光壘層數量比發光阱層數量多一個；形成所述第一緩沖層分為第一高溫階段和第一低溫階段，所述第一低溫階段過程中通入銦源；形成所述第三緩沖層分為第三低溫階段和第三高溫階段，所述第三低溫階段過程中通入銦源；所述第一高溫階段溫度為1200～900℃，所述第一低溫階段溫度為900～500℃；所述第三低溫階段溫度為500～900℃，所述第三高溫階段溫度為900～1200℃；形成所述第二緩沖層的溫度為500～700℃。

2.如權利要求1所述的LED制備工藝，其特征在于，在形成所述第二緩沖層過程中通入鋁源。

3.如權利要求2所述的LED制備工藝，其特征在于，所述第二緩沖層為氮化鎵層和鋁鎵氮層形成的復合結構，相鄰氮化鎵層之間具有所述鋁鎵氮層，氮化鎵層數量比鋁鎵氮層數量多一個。

4.如權利要求3所述的LED制備工藝，其特征在于，所述鋁鎵氮層從靠近所述第一緩沖層到靠近所述第二緩沖層各鋁鎵氮層中鋁含量逐漸升高。

5.如權利要求3所述的LED制備工藝，其特征在于，所述復合結構中的氮化鎵層在形成過程中通入鎂源。