[發明專利]振蕩電路、振蕩器、電子設備以及移動體有效
| 申請號: | 202010076550.7 | 申請日: | 2020-01-23 |
| 公開(公告)號: | CN111490735B | 公開(公告)日: | 2023-09-29 |
| 發明(設計)人: | 山本壯洋 | 申請(專利權)人: | 精工愛普生株式會社 |
| 主分類號: | H03B5/32 | 分類號: | H03B5/32;H03B5/36 |
| 代理公司: | 北京三友知識產權代理有限公司 11127 | 代理人: | 鄧毅;黃綸偉 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 振蕩 電路 振蕩器 電子設備 以及 移動 | ||
提供振蕩電路、振蕩器、電子設備以及移動體,能夠減少振蕩信號向外部連接端子的泄漏,使振蕩頻率穩定化。振蕩電路包含第1節點、第1開關元件以及第2開關元件,具有第1模式和第2模式,在該第1模式中,第1開關元件不將第1外部連接端子和所述第1節點電連接,并且第2開關元件不將所述第1節點和與振子的一端電連接的第2外部連接端子電連接,在該第2模式中,第1開關元件將所述第1外部連接端子和所述第1節點電連接,并且第2開關元件將所述第1節點和所述第2外部連接端子電連接,在所述第1模式下,所述第1節點的電壓被固定。
技術領域
本發明涉及振蕩電路、振蕩器、電子設備以及移動體。
背景技術
在專利文獻1中記載了一種振蕩器,該振蕩器具有對第1模式和第2模式進行切換的MOS(Metal?Oxide?Semiconductor:金屬氧化物半導體)晶體管,在該第1模式中,振子的一端與振蕩電路的外部連接端子電連接,在該第2模式中,振子的一端不與振蕩電路的外部連接端子電連接。根據專利文獻1記載的振蕩器,即使是將振蕩電路和振子收納在同一容器內的小型/低高度/單封裝的振蕩器,也可以設定為第1模式,通過向振蕩電路的外部連接端子輸入期望的信號,能夠進行振子的過驅動檢查和驅動電平檢查,提高產品品質和成品率。
專利文獻1:日本特開2015-88930號公報
但是,在專利文獻1記載的振蕩器中,在通常動作時設定為第2模式的狀態下,振蕩信號例如擺動到地電平以下,或者達到電源電平,由此,MOS晶體管為弱導通狀態,振蕩信號有可能泄漏到振蕩電路的外部連接端子。由于該泄漏量根據該外部連接端子的電壓電平而變動,所以振蕩頻率有可能變得不穩定。
發明內容
本發明的振蕩電路的一個方式包含:第1外部連接端子;第2外部連接端子,其與振子的一端電連接;第3外部連接端子,其與所述振子的另一端電連接;放大電路,其與所述第2外部連接端子和所述第3外部連接端子電連接,對從所述振子輸出的信號進行放大并供給到所述振子;第1節點;第1開關元件,其切換是否將所述第1外部連接端子和所述第1節點電連接;以及第2開關元件,其切換是否將所述第1節點和所述第2外部連接端子電連接,該振蕩電路具有第1模式和第2模式,在該第1模式中,第1開關元件不將所述第1外部連接端子和所述第1節點電連接,并且第2開關元件不將所述第1節點和所述第2外部連接端子電連接,在該第2模式中,第1開關元件將所述第1外部連接端子和所述第1節點電連接,并且第2開關元件將所述第1節點和所述第2外部連接端子電連接,在所述第1模式下,所述第1節點的電壓被固定。
所述振蕩電路的一個方式也可以包含:第3開關元件,其切換是否將所述第1外部連接端子和所述第1節點電連接;以及第4開關元件,其切換是否將所述第1節點和所述第2外部連接端子電連接,在所述第1模式下,所述第3開關元件不將所述第1外部連接端子和所述第1節點電連接,所述第4開關元件不將所述第1節點和所述第2外部連接端子電連接,在所述第2模式下,所述第3開關元件將所述第1外部連接端子和所述第1節點電連接,所述第4開關元件將所述第1節點和所述第2外部連接端子電連接,所述第1開關元件和所述第2開關元件分別是N溝道型MOS開關,所述第3開關元件和所述第4開關元件分別是P溝道型MOS開關。
所述振蕩電路的一個方式也可以包含第3開關元件,該第3開關元件切換是否將所述第1外部連接端子和所述第2外部連接端子電連接,在所述第1模式下,所述第3開關元件不將所述第1外部連接端子和所述第2外部連接端子電連接,在所述第2模式下,所述第3開關元件將所述第1外部連接端子和所述第2外部連接端子電連接,所述第1開關元件和所述第2開關元件分別是N溝道型MOS開關,所述第3開關元件是P溝道型MOS開關。
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