[發明專利]R－T－B系燒結磁體的制造方法

在審

• 申請號: 202010076504.7
• 申請日: 2020-01-23
• 公開（公告）號: CN111489888A
• 公開（公告）日: 2020-08-04
• 發明（設計）人: 野澤宣介
• 申請（專利權）人: 日立金屬株式會社
• 主分類號: H01F41/02
• 分類號: H01F41/02;H01F1/057;B22F3/24
• 代理公司: 北京尚誠知識產權代理有限公司 11322
• 代理人: 龍淳

1.一種R－T－B系燒結磁體的制造方法，其特征在于，包括：

準備R－T－B系燒結磁體原材料的工序；

準備RL1－RH－M1系合金的工序；

準備RL2－M2系合金的工序；

第一擴散工序，其在所述R－T－B系燒結磁體原材料的表面的至少一部分附著所述RL1－RH－M1系合金的至少一部分，在真空或不活潑氣體氣氛中，以700℃以上1100℃以下的溫度進行加熱；和

第二擴散工序，其在實施了所述第一擴散工序后的R－T－B系燒結磁體原材料的表面的至少一部分附著所述RL2－M2系合金的至少一部分，在真空或不活潑氣體氣氛中，以400℃以上600℃以下的溫度進行加熱，

所述第一擴散工序中的所述RL1－RH－M1系合金向所述R－T－B系燒結磁體原材料的附著量為4mass％以上15mass％以下，并且利用所述RL1－RH－M1系合金向所述R－T－B系燒結磁體原材料附著的RH的附著量為0.1mass％以上0.6mass％以下，

所述第二擴散工序中的所述RL2－M2系合金向實施了所述第一擴散工序后的R－T－B系燒結磁體原材料的附著量為1mass％以上15mass％以下，

在所述R－T－B系燒結磁體原材料中，

R為稀土元素，必須含有選自Nd、Pr和Ce中的至少1種，R的含量為R－T－B系燒結磁體原材料整體的27mass％以上35mass％以下，

T為選自Fe、Co、Al、Mn和Si中的至少1種，T必須含有Fe，Fe相對于T整體的含量為80mass％以上，

[T]/[B]的摩爾比超過14.0且為15.0以下，

在所述RL1－RH－M1系合金中，

RL1為輕稀土元素中的至少1種，必須含有選自Nd、Pr和Ce中的至少1種，RL1的含量為RL1－RH－M1系合金整體的60mass％以上97mass％以下，

RH為選自Tb、Dy和Ho中的至少1種，RH的含量為RL1－RH－M1系合金整體的1mass％以上8mass％以下，

M1為選自Cu、Ga、Fe、Co、Ni和Al中的至少1種，M1的含量為RL1－RH－M1系合金整體的2mass％以上39mass％以下，

在所述RL2－M2系合金中，

RL2為輕稀土元素中的至少1種，必須含有選自Nd、Pr和Ce中的至少1種，RL2的含量為RL2－M2系合金整體的60mass％以上97mass％以下，

M2為選自Cu、Ga、Fe、Co、Ni和Al中的至少1種，M2的含量為RL2－M2系合金整體的3mass％以上40mass％以下。

2.如權利要求1所述的R－T－B系燒結磁體的制造方法，其特征在于：

在所述RL1－RH－M1系合金中，RH的含量為RL1－RH－M1系合金整體的2mass％以上6mass％以下。

3.如權利要求1或2所述的R－T－B系燒結磁體的制造方法，其特征在于：

所述第一擴散工序中的所述RL1－RH－M1系合金向所述R－T－B系燒結磁體原材料的附著量為5mass％以上10mass％以下。

4.如權利要求1～3中任一項所述的R－T－B系燒結磁體的制造方法，其特征在于：

所述第二擴散工序中的所述RL2－M2系合金向所述R－T－B系燒結磁體原材料的附著量為2mass％以上10mass％以下。