[發(fā)明專利]半導體裝置結(jié)構(gòu)及其制造方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202010076330.4
• 申請日: 2020-01-23
• 公開（公告）號: CN112951727A
• 公開（公告）日: 2021-06-11
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 李依珊;潘欽寒
• 申請（專利權(quán)）人: 新唐科技股份有限公司
• 主分類號: H01L21/336
• 分類號: H01L21/336;H01L29/06;H01L29/36;H01L29/78
• 代理公司: 北京三友知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11127
• 代理人: 王濤;孫乳筍

1.一種半導體裝置結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，包括：

提供一半導體襯底；

形成一保護層于所述半導體襯底上，其中所述保護層包括：

形成一氧化層于所述半導體襯底上；

形成一第一介電層于所述氧化層上；

形成一第二介電層于所述第一介電層上；以及

形成一源極電極、一柵極電極和一漏極電極于所述保護層上。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導體裝置結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，所述第一介電層具有一第一硼濃度和一第一磷濃度，且所述第二介電層具有一第二硼濃度和一第二磷濃度，且其中所述第一硼濃度小于所述第二硼濃度，且所述第一磷濃度小于所述第二磷濃度。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導體裝置結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，還包括：

形成一第三介電層于所述第二介電層上，其中所述第三介電層具有一第三硼濃度和一第三磷濃度，且所述第二硼濃度小于所述第三硼濃度，且所述第二磷濃度小于所述第三磷濃度。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的半導體裝置結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，所述第一硼濃度為1wt％至3wt％，所述第二硼濃度為2wt％至4wt％，且所述第三硼濃度為3wt％至5wt％。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導體裝置結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，還包括對所述保護層進行一熱處理。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的半導體裝置結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，所述熱處理包括一快速熱退火工藝和一熔爐工藝。

7.一種半導體裝置結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括：

一半導體襯底；

一保護層，設(shè)置于所述半導體襯底上，其中所述保護層包括：

一氧化層，設(shè)置在所述半導體襯底上；

一第一介電層，設(shè)置在所述氧化層上；

一第二介電層，設(shè)置在所述第一介電層上；以及

一源極電極、一柵極電極和一漏極電極，設(shè)置于所述保護層上。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的半導體裝置結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一介電層具有一第一硼濃度和一第一磷濃度，且所述第二介電層具有一第二硼濃度和一第二磷濃度，且其中所述第二硼濃度大于所述第一硼濃度，且所述第二磷濃度大于所述第一磷濃度。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的半導體裝置結(jié)構(gòu)，其特征在于，還包括：

一第三介電層，設(shè)置在所述第二介電層上，其中所述第三介電層具有一第三硼濃度和一第三磷濃度，且所述第二硼濃度小于所述第三硼濃度，且所述第二磷濃度小于所述第三磷濃度。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的半導體裝置結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一硼濃度為1wt％至3wt％，所述第二硼濃度為2wt％至4wt％，且所述第三硼濃度為3wt％至5wt％。