[發(fā)明專利]半導(dǎo)體模塊的制造方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202010076298.X | 申請日: | 2020-01-23 |
| 公開(公告)號: | CN111489977A | 公開(公告)日: | 2020-08-04 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 竹永智裕 | 申請(專利權(quán))人: | 豐田自動(dòng)車株式會社 |
| 主分類號: | H01L21/56 | 分類號: | H01L21/56;H01L21/48;H01L23/495 |
| 代理公司: | 廣州華進(jìn)聯(lián)合專利商標(biāo)代理有限公司 44224 | 代理人: | 何沖 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 半導(dǎo)體 模塊 制造 方法 | ||
1.一種半導(dǎo)體模塊的制造方法,該半導(dǎo)體模塊具備半導(dǎo)體元件、在所述半導(dǎo)體元件的兩面互相對置地配置的一對引線框架、以及從所述一對引線框架突出的引線端子,所述半導(dǎo)體模塊的制造方法具備:
在所述一對引線框架的一方的至少一個(gè)部位形成通孔的步驟;
以夾著所述半導(dǎo)體元件的兩面的方式配置所述一對引線框架的步驟;
從所述通孔注入液體狀的熱固化性樹脂,而將所述樹脂填充到由所述一對引線框架夾著的區(qū)域的步驟;以及
將填充到所述區(qū)域的所述樹脂加熱并固化的步驟。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體模塊的制造方法,其中,在所述半導(dǎo)體模塊中存在多個(gè)所述半導(dǎo)體元件,
以位于在所述半導(dǎo)體模塊中存在的多個(gè)所述半導(dǎo)體元件之中發(fā)熱量最多的半導(dǎo)體元件附近的方式,形成所述通孔。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或者2所述的半導(dǎo)體模塊的制造方法,其中,還具備以絕緣性材料涂覆所述引線端子的與所述一對引線框架連接的一側(cè)的端部的步驟。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





