[發明專利]一種藍光/紅光雙色LED芯片封裝結構及制備方法有效
| 申請號： | 202010075461.0 | 申請日： | 2020-01-22 |
| 公開（公告）號： | CN111261764B | 公開（公告）日： | 2021-10-15 |
| 發明（設計）人： | 劉新科;羅江流;賁建偉;賀威 | 申請（專利權）人： | 山西穿越光電科技有限責任公司 |
| 主分類號： | H01L33/50 | 分類號： | H01L33/50;H01L33/00;A01G7/04 |
| 代理公司： | 北京三聚陽光知識產權代理有限公司 11250 | 代理人： | 張琳琳 |
| 地址： | 044599 山西省運*** | 國省代碼： | 山西;14 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 紅光 led 芯片 封裝 結構 制備 方法 | ||
1.一種藍光/紅光雙色LED芯片封裝結構，其特征在于，包括：
襯底；
LED外延片，生成于所述襯底的表面；
MoS2發光涂層，沉積于所述LED外延片表面或LED發光窗口上，所述MoS2發光涂層用于將藍光轉換成紅光；
通過調節MoS2發光涂層的厚度，確定藍光與紅光的轉換比例，以適用于不同植物的吸收強度特性。
2.根據權利要求1所述的藍光/紅光雙色LED芯片封裝結構，其特征在于，所述LED外延片包括：緩沖層、n型摻雜層、有源層及p型摻雜層，依次形成于襯底表面。
3.根據權利要求2所述的藍光/紅光雙色LED芯片封裝結構，其特征在于，所述緩沖層為非摻雜GaN層，用于緩解所述LED外延片與所述襯底之間的熱失配。
4.根據權利要求2所述的藍光/紅光雙色LED芯片封裝結構，其特征在于，所述n型摻雜層為n型摻雜GaN層，用于提供電子載流子。
5.根據權利要求2所述的藍光/紅光雙色LED芯片封裝結構，其特征在于，所述有源層為量子阱結構層，所述量子阱結構為InGaN/GaN量子阱結構。
6.根據權利要求2所述的藍光/紅光雙色LED芯片封裝結構，其特征在于，所述p型摻雜層為p型摻雜GaN層，用于提供空穴載流子。
7.一種藍光/紅光雙色LED芯片的制備方法，其特征在于，包括如下步驟：
在襯底上外延生長LED外延片；
在所述LED外延片或LED發光窗口上沉積MoS2發光涂層，所述MoS2發光涂層用于將藍光轉換成紅光；
通過調節MoS2發光涂層厚度，確定藍光與紅光的轉換比例。
8.根據權利要求7所述的藍光/紅光雙色LED芯片的制備方法，其特征在于，利用化學氣相沉積法、涂覆法，在所述LED外延片或LED發光窗口上沉積MoS2發光涂層，所述涂覆法包括旋涂法。
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