[發(fā)明專利]透明導(dǎo)電性薄膜

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202010075277.6
• 申請(qǐng)日: 2020-01-22
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN111508641A
• 公開(kāi)（公告）日: 2020-08-07
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 梶原大輔;藤野望
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 日東電工株式會(huì)社
• 主分類號(hào): H01B5/14
• 分類號(hào): H01B5/14;H01B1/08
• 代理公司: 北京林達(dá)劉知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11277
• 代理人: 劉新宇;李茂家

提供能以低溫且短時(shí)間結(jié)晶轉(zhuǎn)化的透明導(dǎo)電性薄膜。透明導(dǎo)電性薄膜(1)具備：透明基材(2)和非晶質(zhì)透明導(dǎo)電層(5)，透明基材(2)含有環(huán)烯烴系樹(shù)脂，非晶質(zhì)透明導(dǎo)電層(5)能轉(zhuǎn)化為結(jié)晶質(zhì)，非晶質(zhì)透明導(dǎo)電層(5)的霍爾遷移率超過(guò)25.0(cm²/V·s)，將非晶質(zhì)透明導(dǎo)電層(5)結(jié)晶轉(zhuǎn)化后的結(jié)晶質(zhì)透明導(dǎo)電層(6)的霍爾遷移率比非晶質(zhì)透明導(dǎo)電層(5)的霍爾遷移率大。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及透明導(dǎo)電性薄膜、詳細(xì)而言涉及適合用于光學(xué)用途的透明導(dǎo)電性薄膜。

背景技術(shù)

以往以來(lái)，具備由銦錫復(fù)合氧化物形成的透明導(dǎo)電層的透明導(dǎo)電性薄膜被用于圖像顯示裝置內(nèi)的觸摸面板用基材等。

例如，專利文獻(xiàn)1中公開(kāi)了一種透明導(dǎo)電性薄膜，其具備：高分子薄膜、和由銦-錫復(fù)合氧化物形成的非晶質(zhì)透明導(dǎo)電層。對(duì)于專利文獻(xiàn)1的透明導(dǎo)電性薄膜，作為高分子薄膜基材，使用了耐熱性及機(jī)械強(qiáng)度優(yōu)異的聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯(PET)薄膜。而且，通過(guò)150℃、60分鐘的高溫處理，將非晶質(zhì)透明導(dǎo)電層結(jié)晶轉(zhuǎn)化從而提高透明導(dǎo)電性薄膜的導(dǎo)電性。

現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)

專利文獻(xiàn)

專利文獻(xiàn)1：日本特開(kāi)2017-71850號(hào)公報(bào)

發(fā)明內(nèi)容

發(fā)明要解決的問(wèn)題

然而，近年來(lái)，由于透明性高、雙折射率低，因此透明基材使用了聚環(huán)烯烴(COP)薄膜的透明導(dǎo)電性薄膜的要求正在提高。

但是，COP薄膜與PET薄膜相比，耐熱性低、并且容易熱膨脹。因此，若在150℃的高溫下實(shí)施60分鐘的長(zhǎng)時(shí)間的加熱處理，則有時(shí)COP薄膜會(huì)產(chǎn)生熔解等熱損傷、或因COP薄膜的熱膨脹而在配置于其上側(cè)的ITO產(chǎn)生裂紋。因此，使非晶質(zhì)透明導(dǎo)電層結(jié)晶轉(zhuǎn)化時(shí)，要求以盡可能低溫并且短時(shí)間進(jìn)行加熱處理。

本發(fā)明提供能以低溫且短時(shí)間結(jié)晶轉(zhuǎn)化的透明導(dǎo)電性薄膜。

用于解決問(wèn)題的方案

本發(fā)明[1]包含一種透明導(dǎo)電性薄膜，其具備：透明基材、和配置于透明基材的厚度方向一側(cè)的非晶質(zhì)透明導(dǎo)電層，前述透明基材含有環(huán)烯烴系樹(shù)脂，前述非晶質(zhì)透明導(dǎo)電層能轉(zhuǎn)化為結(jié)晶質(zhì)，前述非晶質(zhì)透明導(dǎo)電層的霍爾遷移率超過(guò)25.0(cm²/V·s)，將前述非晶質(zhì)透明導(dǎo)電層結(jié)晶轉(zhuǎn)化后的結(jié)晶質(zhì)透明導(dǎo)電層的霍爾遷移率比前述非晶質(zhì)透明導(dǎo)電層的霍爾遷移率大。

本發(fā)明[2]包含[1]所述的透明導(dǎo)電性薄膜，其中，前述結(jié)晶質(zhì)透明導(dǎo)電層的載流子密度不足90.0×10¹⁹(/cm³)。

本發(fā)明[3]包含[1]或[2]所述的透明導(dǎo)電性薄膜，其中，前述非晶質(zhì)透明導(dǎo)電層含有銦系無(wú)機(jī)氧化物。

本發(fā)明[4]包含[3]所述的透明導(dǎo)電性薄膜，其中，前述非晶質(zhì)透明導(dǎo)電層在厚度方向具備：雜質(zhì)無(wú)機(jī)元素相對(duì)于銦的質(zhì)量比為0.05以上的第1區(qū)域、和雜質(zhì)無(wú)機(jī)元素相對(duì)于銦的質(zhì)量比不足0.05的第2區(qū)域。

發(fā)明的效果

利用本發(fā)明的透明導(dǎo)電性薄膜，能夠以低溫且短時(shí)間使非晶質(zhì)透明導(dǎo)電層結(jié)晶轉(zhuǎn)化。

附圖說(shuō)明

圖1示出本發(fā)明的透明導(dǎo)電性薄膜的一實(shí)施方式的截面圖。

圖2示出將圖1所述的透明導(dǎo)電性薄膜結(jié)晶轉(zhuǎn)化所得的結(jié)晶質(zhì)透明導(dǎo)電性薄膜的截面圖。

附圖標(biāo)記說(shuō)明

1 透明導(dǎo)電性薄膜