[發(fā)明專利]一種集成芯片及其制作方法和集成電路有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202010075240.3 | 申請(qǐng)日: | 2020-01-22 |
| 公開(公告)號(hào): | CN113161348B | 公開(公告)日: | 2023-03-21 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 樊永輝;樊曉兵;許明偉;曾學(xué)忠 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 深圳市匯芯通信技術(shù)有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L27/06 | 分類號(hào): | H01L27/06;H01L23/64;H01L29/778;H01L21/335;H01L21/8252 |
| 代理公司: | 深圳市博衍知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 44415 | 代理人: | 曾新浩 |
| 地址: | 518000 廣東省深圳市華富街道蓮花一*** | 國(guó)省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 集成 芯片 及其 制作方法 集成電路 | ||
1.一種集成芯片,其特征在于,所述集成芯片包括相鄰且連接設(shè)置的晶體管區(qū)和LC濾波器區(qū),所述晶體管區(qū)設(shè)置有砷化鎵高電子遷移率晶體管,所述砷化鎵高電子遷移率晶體管包括:
襯底;
外延層,設(shè)置在所述襯底的上表面,采用砷化鎵系材料制成;
第一鈍化層,設(shè)置在所述外延層上;
柵極、源極和漏極,設(shè)置在所述外延層的上方;
第二鈍化層,設(shè)置在所述柵極、源極和漏極的上方;
第一金屬層,設(shè)置在所述第二鈍化層的上方,與所述源極和漏極相連;
第二金屬層,與所述第一金屬層連接,且設(shè)置在所述第一金屬層的上方;
所述LC濾波器區(qū)包括電感區(qū)和電容區(qū),所述電感區(qū)中設(shè)置有電感,所述電容區(qū)中設(shè)置有電容,所述電感和電容電連接,所述電感包括:
第一鈍化層,設(shè)置在所述外延層上;
第二鈍化層,設(shè)置在所述第一鈍化層上;
電感繞線,設(shè)置在所述第二鈍化層的上方;以及
電感端口,設(shè)置在所述電感繞線的上方,與所述電感繞線的端部連接;
所述電容包括:
第一鈍化層,設(shè)置在所述外延層上;
第二鈍化層,設(shè)置在所述第一鈍化層上;
下電極,設(shè)置在所述第二鈍化層的上方;
電容介質(zhì),設(shè)置在所述下電極上;以及
上電極,設(shè)置在所述電容介質(zhì)的上方;
其中,所述電感繞線、所述下電極與所述第一金屬層采用同一制程形成;所述電感端口、所述第二金屬層和上電極通過同一道制程形成;
所述第二金屬層與所述電感端口通過空氣橋耦合,所述電感端口與所述上電極通過空氣橋耦合。
2.如權(quán)利要求1所述的一種集成芯片,其特征在于,所述晶體管區(qū)和LC濾波器區(qū)包括:金屬間電介質(zhì),設(shè)置在所述第二鈍化層上;
在所述砷化鎵高電子遷移率晶體管中:
所述源極、漏極和柵極,貫穿所述第一鈍化層,與所述外延層連接;
所述第一金屬層,設(shè)置在所述源極和漏極的上方,貫穿所述第二鈍化層,且分別與所述源極和漏極連接;以及
所述第二金屬層,設(shè)置在所述金屬間電介質(zhì)的上方,貫穿所述金屬間電介質(zhì),且分別與所述第一金屬層連接;
在所述電感中:
所述電感端口,設(shè)置在所述金屬間電介質(zhì)的上方,包括電感輸入電極和電感輸出電極,所述電感輸入電極與所述電感繞線的一端連接,所述電感輸出電極與所述電感繞線的另一端連接;
在所述電容中:
所述電容介質(zhì),設(shè)置在所述下電極和金屬間電介質(zhì)之間;以及
所述上電極,設(shè)置在所述金屬間電介質(zhì)的上方,包括電容輸入電極和電容輸出電極,所述電容輸入電極貫穿所述金屬間電介質(zhì)和電容介質(zhì),與所述下電極連接;所述電容輸出電極貫穿所述金屬間電介質(zhì),與所述電容介質(zhì)連接;
其中,所述電感輸入電極與所述漏極上方的第二金屬層通過空氣橋連接,所述電感輸出電極與所述電容輸入電極通過空氣橋連接。
3.如權(quán)利要求2所述的一種集成芯片,其特征在于,包括:
背孔,貫穿所述襯底和外延層;以及
背面金屬層,設(shè)置在所述襯底的下表面,通過所述背孔與所述源極連接。
4.如權(quán)利要求2所述的一種集成芯片,其特征在于,所述集成芯片還包括與所述電容區(qū)或電感區(qū)相鄰設(shè)置的電阻區(qū),所述電阻區(qū)內(nèi)設(shè)有電阻,所述電阻包括:
電阻薄膜,設(shè)置在所述第二鈍化層上;
電阻輸入電極,設(shè)置在所述金屬間電介質(zhì)上,與所述電阻薄膜連接;以及
電阻輸出電極,設(shè)置在所述金屬間電介質(zhì)上,與所述電阻薄膜連接;
其中,所述電阻與所述電容或電感通過空氣橋相連。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的多個(gè)半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無(wú)源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的;包括至少有一個(gè)躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的無(wú)源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對(duì)紅外輻射、光、較短波長(zhǎng)的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點(diǎn)的熱電元件的;包括有熱磁組件的
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